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最新专利技术
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411164754.0
    本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：基底；第一介质层，位于所述基底上；第一互连结构，位于所述第一介质层内；第一器件，位于所述第一介质层内，且所述第一器件覆盖在所述第一互连结构的底部和侧壁上，所述第一器件包括堆叠的第一...
    2026-03-19
  • 包含有磁隧穿结和电感的半导体结构
    包含有磁隧穿结和电感的半导体结构_联华电子股份有限公司_202411232947.5
    本发明公开一种包含有磁隧穿结(MTJ, Magnetic Tunnel Junction)和电感的半导体结构，包含一基底，基底上定义有的一元件区以及一电感区，一磁隧穿结(MTJ)位于元件区内，其中磁隧穿结包含有一第一MTJ材料层，以及一电感...
    2026-03-19
  • 磁存储器件以及制造该磁存储器件的方法
    磁存储器件以及制造该磁存储器件的方法_三星电子株式会社_202511160786.8
    一种磁存储器件，包括：衬底；基底绝缘膜，在衬底上；磁隧道结元件，包括在基底绝缘膜上的第一磁性图案和第二磁性图案以及位于第一磁性图案与第二磁性图案之间的隧道势垒图案；上电极图案，在磁隧道结元件的上表面上；封盖结构，包括顺序堆叠在磁隧道结元件的...
    2026-03-19
  • 存储器件及其制备方法
    存储器件及其制备方法_杭州富芯半导体有限公司_202511804885.5
    本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储器件及其制备方法，包括：半导体结构，包括基底、位于基底上的至少一层金属层和位于至少一层金属层上的第一互连层，第一互连层包括至少一个第一互连结构；位于半导体结构上的第一底电极层，包括至少一个第一底电极...
    2026-03-19
  • 包含至少两个存储器元件的封装结构、组装结构及其制备方法
    包含至少两个存储器元件的封装结构、组装结构及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202510223772.X
    本申请提供一种包含至少两个存储器元件的封装结构、组装结构及其制备方法。该封装结构包括一模塑结构、一逻辑元件、一非易失性存储器元件及一易失性存储器元件。该模塑结构包括一存储器控制器元件、一互连元件及封装该存储器控制器元件及该互连元件的一封装剂...
    2026-03-19
  • 封装结构
    封装结构_日月光半导体制造股份有限公司_202510487639.5
    本发明提供一种封装结构。所述封装结构包含第一电子组件及第二电子组件以及数据存取结构。所述数据存取结构部分地安置于所述第一电子组件与所述第二电子组件之间的间隙中。所述数据存取结构包含逻辑部分及存储部分。所述逻辑部分及所述存储部分中的一者在所述...
    2026-03-19
  • MIM电容及其制作方法
    MIM电容及其制作方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202411156300.9
    本发明提供一种MIM电容及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成下电极；进行热处理在所述下电极表面形成表面处理层；在所述表面处理层上形成介电质层。本发明通过对下电极表面进行热处理使得下电极表面形成表面处理层，由此改善下电极表面...
    2026-03-19
  • 一种ε-Ga2O3/金刚石异质结二极管
    一种ε-Ga2O3/金刚石异质结二极管_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202411141191.3
    本公开属于半导体技术领域，提供了一种ε‑Ga2O3/金刚石异质结二极管。其包括从下至上层叠设置的阳极金属层、p型金刚石衬底、n型ε‑Ga2O3外延层和阴极金属层；当衬底由p‑或p‑/p+金刚石组成时，外延层由n‑、n+或n‑/n+型ε‑Ga...
    2026-03-19
  • 一种快恢复二极管及其制作方法
    一种快恢复二极管及其制作方法_江苏索力德普半导体科技有限公司_202511806579.5
    本发明涉及一种快恢复二极管及其制作方法，包括以下步骤：在n型基板正面的有源区上淀积硬掩模，并在硬掩膜上刻蚀出注入窗口；通过窗口向n型基板正面注入p型杂质，热扩散形成p‑阱；刻蚀硬掩模和n型基板，在n型基板上形成凹槽；n型基板正面注入p型杂质...
    2026-03-19
  • 半导体装置
    半导体装置_新唐科技股份有限公司_202510047563.4
    本发明提供半导体装置。半导体装置包括基板、外延层、第一高压阱、第一掺杂区、栅极介电层及栅极电极。基板具有第一导电类型。外延层设置于基板上，且具有不同于第一导电类型的第二导电类型。第一高压阱设置于外延层中，且具有第二导电类型。第一掺杂区设置于...
    2026-03-19
  • 一种超结绝缘栅双极型晶体管、晶体管制作方法和芯片
    一种超结绝缘栅双极型晶体管、晶体管制作方法和芯片_珠海零边界集成电路有限公司_202511531675.3
    本发明实施例提供了一种超结绝缘栅双极型晶体管、超结绝缘栅双极型晶体管的制作方法和芯片，该超结绝缘栅双极型晶体管可以包括：沿第一方向交替排列的第一截面区和第二截面区；所述第一截面区和所述第二截面区均包括集电极、集电区、缓冲层、外延层、超结P柱...
    2026-03-19
  • 一种逆导型IGBT器件、制造方法和芯片
    一种逆导型IGBT器件、制造方法和芯片_珠海格力电器股份有限公司_202511533422.X
    本发明实施例提供了一种逆导型IGBT器件、制造方法和芯片, 包括N型衬底；多个沿横向间隔排列且相互平行的沟槽, 栅氧化层，位于各个沟槽的侧壁和底部；多晶硅层，位于栅氧化层之上，并填充沟槽的内部空间；掩埋P层，载流子存储N层，P型阱，N+电子...
    2026-03-19
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_珠海格力电器股份有限公司_202511533415.X
    本申请提供了一种半导体器件制备方法，方法包括：在基底上镀覆形成掩膜层，掩膜层的厚度为1000埃~10000埃；在掩膜层中形成第一开口，通过第一开口对基底进行刻蚀，以在基底中形成初级沟槽；在初级沟槽的沟槽底部进行离子注入，以形成包裹初级沟槽底...
    2026-03-19
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510769417.2
    本公开涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置可包括高集成存储单元，用于制造该半导体装置的方法可包括：在衬底之上形成多个初步纳米片，在初步纳米片之间设置有第一水平间隙；形成间隔层，其环绕初步纳米片的部分并在初步纳米片之间限定第二水平间隙；形成...
    2026-03-19
  • 功率组件及其制造方法
    功率组件及其制造方法_王佩如_202510810070.1
    本揭示涉及功率组件及其制造方法。本揭示提供一种半导体组件的制造方法，包含下列步骤：提供一半导体基板；在所述半导体基板上成长一外延层；在所述外延层上形成一绝缘层；在所述绝缘层上成长一金属掩膜层，其中所述金属掩膜层包括一离子注入阻挡区及一离子注...
    2026-03-19
  • 沟槽型器件及其制造方法
    沟槽型器件及其制造方法_重庆奕能科技有限公司_202511803747.5
    本公开提供了一种沟槽型器件及其制造方法，该器件包括：衬底；外延层，位于衬底上；沟槽栅，自外延层的表面延伸至外延层内，沟槽栅的宽度大于深度；体区，位于外延层中且与沟槽栅的侧壁邻接；源区，位于体区中，并与沟槽栅的侧壁邻接；以及第一埋柱区和第二埋...
    2026-03-19
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_广东芯粤能半导体有限公司_202511817524.4
    本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。相对于传统的半导体结构，本申请将源区划分为三个子区，并在第二方向上，在第一子区与第二子区之间以及第二子区与第三子区之间，设置第二掺杂区，第二掺杂区的掺杂浓度小于源区的掺杂浓度，且在垂...
    2026-03-19
  • 一种HEMT器件及其制备方法
    一种HEMT器件及其制备方法_先导原创(上海)新技术研究有限公司_202411151474.6
    本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种HEMT器件及其制备方法，包括：衬底；III‑V族外延层，包括依次层叠设置于衬底上的沟道层和势垒层；源电极和漏电极，间隔设置于势垒层上；介质层，设置于势垒层背离衬底层一侧的表面上，且位于源电极与漏电极之...
    2026-03-19
  • 具有同步光电栅的半导体器件
    具有同步光电栅的半导体器件_香港科技大学_202510332701.3
    一种半导体器件，包括高电子迁移率晶体管(HEMT)和发光器件。HEMT具有成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、源极和漏极、P型掺杂III‑V层和栅极。成核层位于衬底上，缓冲层和沟道层堆叠在其上方。在沟道层和势垒层之间的界面处，能形成2DEG区域...
    2026-03-19
  • 氮化物系半导体装置
    氮化物系半导体装置_三垦电气株式会社_202510981083.5
    本发明提供一种氮化物系半导体装置，其能够进一步抑制电流崩塌现象的发生。一种氮化物系半导体装置，其包含：在上部具有二维电子气层的第一氮化物半导体层；第一氮化物半导体层上的带隙能量比其大的第二氮化物半导体层；与二维电子气层连接的第一主电极及第二...
    2026-03-19
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