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最新专利技术
  • 半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法
    半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法_爱思开海力士有限公司_202510563869.5
    本文可以提供半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法。半导体存储器装置包括：栅极层叠体；在栅极层叠体上方的第一半导体层；在第一半导体层和栅极层叠体之间的源极绝缘结构；接触源极层，其设置在源极绝缘结构和栅极层叠体之间；沟道结构，其穿透栅极...
    2026-03-20
  • 半导体器件和制造该半导体器件的方法
    半导体器件和制造该半导体器件的方法_三星电子株式会社_202510326068.7
    一种制造半导体器件的方法可以包括：在衬底上形成下模制结构；在下模制结构上形成第一模制结构，第一模制结构包括沿竖直方向交替堆叠的第一层间绝缘层和第一牺牲层；形成第一竖直沟道孔以穿透第一模制结构、下模制结构、以及衬底的一部分；以及形成有源层以覆...
    2026-03-20
  • 半导体装置和包括该半导体装置的电子系统
    半导体装置和包括该半导体装置的电子系统_三星电子株式会社_202510419205.1
    提供了一种半导体装置和一种电子系统。该半导体装置包括：存储器单元结构，其位于单元阵列区域中；电极堆叠结构，其包括在连接区域中交替地堆叠的多个电极和多个层间绝缘层；以及多个电极接触部分，其穿透电极堆叠结构的至少局部部分，并且电连接到多个电极。...
    2026-03-20
  • 半导体结构及其制造方法、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411132904.X
    本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括第一电极层和电容介质层。第一电极层沿第一方向贯穿堆叠结构，其中堆叠结构包括交替堆叠的第一介质层和第二电极层。电容介质层位于第一电极层和第二电极层之间。多个第二电极层相连接。
    2026-03-20
  • 半导体结构及其制备方法、三维存储器和存储系统
    半导体结构及其制备方法、三维存储器和存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411147722.X
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器和存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在提升沟道结构的尺寸均一性。半导体结构包括基板、叠层结构和栅极隔离结构。叠层结构包括交替叠置的多个栅线层和多个绝缘层。栅极隔离结构包括依次连接的多个第一...
    2026-03-20
  • 半导体结构及其制备方法、三维存储器和存储系统
    半导体结构及其制备方法、三维存储器和存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411151303.3
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器和存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在降低半导体结构制备过程中的形变量。所述半导体结构包括叠层结构、多个沟道结构和填充部。所述叠层结构包括交叠设置的多个栅线层和多个绝缘层。所述多个沟道结构...
    2026-03-20
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_铠侠股份有限公司_202510205556.2
    根据一个实施方式，半导体装置具备：层叠膜，其包含在第一方向上交替设置的多个第一绝缘膜和多个电极层；以及多个柱状部，其在所述层叠膜内沿所述第一方向延伸。所述多个柱状部中的第一柱状部包含：第二绝缘膜，其设置在所述多个第一绝缘膜及所述多个电极层的...
    2026-03-20
  • 半导体装置和包括该半导体装置的电子系统
    半导体装置和包括该半导体装置的电子系统_三星电子株式会社_202510597414.5
    提供了一种半导体装置和一种电子系统。该半导体装置包括：栅极线，其各自具有一对主栅极部分和桥接部分；伪沟道结构，其在竖直方向上穿过栅极线；以及局部字线切割结构，其在竖直方向上穿过栅极线的相应的局部区域，并且在第一方向上间歇地延伸以限定桥接部分...
    2026-03-20
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411132520.8
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。半导体器件包括半导体结构和外围电路结构，外围电路结构沿第一方向位于半导体结构的一侧并与半导体结构耦接，半导体结构包括存储阵列，外围电路结构包括第一半导体层和电容结构，电容结构包括第一电极层和...
    2026-03-20
  • 存储器件
    存储器件_三星电子株式会社_202510425928.2
    提供了一种存储器件，其中串选择线的接地晶体管连接到虚设字线以减小芯片尺寸。在一方面中，存储器件包括：存储块，包括分别由串选择线选择的单元串，其中每个单元串连接到在竖直方向上堆叠的字线；传输晶体管电路，包括分别连接到多条串选择线和多条字线的传...
    2026-03-20
  • 管理半导体器件中的触点结构
    管理半导体器件中的触点结构_长江存储科技有限责任公司_202411124706.9
    本公开涉及用于管理半导体器件中的触点结构的方法、设备和系统。示例半导体器件包括沿着第一方向彼此交替的导电层和隔离层的第一堆叠体，以及沿着第一方向彼此交替的电介质层和隔离层的第二堆叠体。半导体器件还包括均在第二堆叠体中延伸的第一触点结构和第二...
    2026-03-20
  • 半导体结构及其制造方法和存储器系统
    半导体结构及其制造方法和存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202411147713.0
    本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法和存储器系统，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括第一半导体结构和第二半导体结构。第一半导体结构包括存储单元阵列和第一互连层，第一互连层中包括第一金属互连。第二半导体结构包括外围电路和第二互连层，第...
    2026-03-20
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510195285.7
    实施方式提供一种能适当地动作的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：多个导电层(110)，在积层方向(Z)上积层，在第1方向(X)上延伸；第1半导体柱(120)，与多个导电层对向；第2半导体柱(120)，第2方向(Y)的位置与第1半...
    2026-03-20
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411140885.5
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备。所述半导体器件包括基底以及层叠设置于所述基底上的多个存储单元层，所述存储单元层包括多个阵列排布的存储单元，每个所述存储单元包括至少一个晶体管；所述至少一个晶体管包括栅电极、铁电薄膜、金属层和沟道层；所述...
    2026-03-20
  • 半导体结构及其制作方法、电子设备
    半导体结构及其制作方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411117203.9
    本公开涉及一种半导体结构及其制作方法、电子设备，涉及集成电路领域，制作方法通过形成电容孔组并定义电容孔组的电容孔的数量，以使形成的存储单元包括一个晶体管与至少两个铁电电容器，提升了存储密度，提高了半导体结构的存储能力；并通过形成铁电层与第一...
    2026-03-20
  • 铁电存储器、三维铁电存储器及三维铁电存储装置
    铁电存储器、三维铁电存储器及三维铁电存储装置_长鑫科技集团股份有限公司_202411183485.2
    一种铁电存储器、三维铁电存储器及三维铁电存储装置，该铁电存储器包括第一字线、第一位线、第一晶体管、第一铁电电容对；第一铁电电容对包括第一铁电电容和第二铁电电容，第一铁电电容和第二铁电电容沿第一方向延伸；第一晶体管的控制端与第一字线连接，第一...
    2026-03-20
  • 存储器装置和该存储器装置的操作方法
    存储器装置和该存储器装置的操作方法_三星电子株式会社_202511118713.2
    一种存储器装置包括：位线，其在第一水平方向上延伸；竖直沟道层，其在位线上在竖直方向上延伸；均在竖直方向上延伸的第一介电层和第二介电层，且竖直沟道层位于第一介电层与第二介电层之间；彼此面对的一对字线，且竖直沟道层、第一介电层和第二介电层位于一...
    2026-03-20
  • 一种铁电电容的制备方法
    一种铁电电容的制备方法_温州核芯智存科技有限公司_202511742132.6
    本发明涉及一种铁电电容的制备方法，本发明主要目的在于采用磁控溅射工艺在电容孔底部沉积一层致密的TiN薄膜并去氧化层，使得TiN薄膜的电阻率仅为50～100uΩ·cm，其远低于氮化钽的电阻率，有效降低下电极与铜衬垫之间的接触电阻，提高存储器的...
    2026-03-20
  • 一种铪锆氧铁电介质层、铪锆氧铁电存储器及其制备方法
    一种铪锆氧铁电介质层、铪锆氧铁电存储器及其制备方法_西安电子科技大学_202511765572.3
    本发明涉及半导体存储器技术领域，特别涉及一种铪锆氧铁电介质层、铪锆氧铁电存储器及其制备方法；铪锆氧铁电介质层包含掺杂有二氧化锆的二氧化铪，二氧化锆的层数为二氧化铪与二氧化锆总层数的50%~70%，铪锆氧铁电介质层表面通过离子注入工艺注入He...
    2026-03-20
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411164754.0
    本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：基底；第一介质层，位于所述基底上；第一互连结构，位于所述第一介质层内；第一器件，位于所述第一介质层内，且所述第一器件覆盖在所述第一互连结构的底部和侧壁上，所述第一器件包括堆叠的第一...
    2026-03-20
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