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最新专利技术
  • 背接触太阳电池
    背接触太阳电池_通威太阳能(成都)有限公司_202610093644.2
    本申请提供了背接触太阳电池，包括硅衬底、第一金属栅线、第二金属栅线、第一钝化层、第二钝化层和保护层；第一金属栅线和第二金属栅线设于硅衬底背面，相邻的部分第一金属栅线和第二金属栅线之间间隔形成保护层容置区；第一钝化层设于硅衬底正面，第二钝化层...
    2026-03-10
  • 改善UVID的TOPCon电池制备方法和TOPCon电池
    改善UVID的TOPCon电池制备方法和TOPCon电池_滁州捷泰新能源科技有限公司_202511590701.X
    本申请涉及一种改善UVID的TOPCon电池制备方法和TOPCon电池，对处理后的硅基底背面沉积第一隧穿氧化层和阻挡多晶硅层，在沉积的阻挡多晶硅层上再次沉积第二隧穿氧化层和掺杂多晶硅层；在硅基底的背面形成二氧化硅掩蔽膜，并进行背面磷扩散；在...
    2026-03-10
  • 背接触电池、电池组件和光伏系统
    背接触电池、电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202610102012.8
    本申请涉及太阳能电池技术领域，提供了一种背接触电池、电池组件和光伏系统，在背接触电池中，第一极性区域与第二极性区域的高度平齐或者第一极性区域和第二极性区域的高度差为10nm‑150nm，第一内扩层与第二内扩层相接触以在硅衬底内形成体内互扩区...
    2026-03-10
  • 一种基于环保型量子点的高效叠层荧光太阳能聚光器
    一种基于环保型量子点的高效叠层荧光太阳能聚光器_电子科技大学_202511708722.7
    本发明公开了一种基于环保型量子点的高效叠层荧光太阳能聚光器，属于太阳能光电转换技术领域。该聚光器采用上下两层结构物理贴合形成光学耦合的叠层设计，其中顶层使用吸收300‑500nm可见光的环保型碳量子点作为发光材料；底层采用吸收范围覆盖紫外至...
    2026-03-10
  • 应用于BIPV幕墙的玻璃组件及其制备方法、光伏组件
    应用于BIPV幕墙的玻璃组件及其制备方法、光伏组件_中能创光电科技(常州)有限公司_202610083827.6
    一种应用于BIPV幕墙的玻璃组件及其制备方法、光伏组件，涉及玻璃幕墙制造技术领域。该应用于BIPV幕墙的玻璃组件包括透明基底，透明基底的一侧表面设置有树脂干涉膜，树脂干涉膜的厚度在100nm至400nm之间连续变化；树脂干涉膜背离透明基底的...
    2026-03-10
  • 一种集成CPGA的金属壳体
    一种集成CPGA的金属壳体_西南技术物理研究所_202511556684.8
    本发明属于封装外壳技术领域，公开了一种集成CPGA的金属壳体，其包括：CPGA引线块(1)、钼铜热沉(2)、可伐腔体(3)、陶瓷绝缘子和穿心引线(4)、排气管(5)；可伐腔体(3)和CPGA引线块(1)焊接在钼铜热沉(2)上，CPGA引线块...
    2026-03-10
  • 封装结构及其制备方法
    封装结构及其制备方法_越润集成电路(绍兴)有限公司_202511731236.7
    本发明涉及一种封装结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该封装结构及其制备方法中，第一重布线层包括走线层与介质层，走线层在载板上的正投影与光学耦合器在载板上的正投影不交叠，即走线层不遮挡的光学耦合器的光学窗口，在第一重布线层的远离载板的一侧...
    2026-03-10
  • 太阳电池及其制备方法、光伏组件
    太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202512005638.5
    本申请涉及太阳电池领域，公开一种太阳电池及其制备方法、光伏组件，所述太阳电池包括基底，所述基底的表面具有多个类金字塔结构，所述类金字塔结构为顶部具有凹坑的锥面体，所述凹坑内设置有多个第一凸起结构，在一个所述凹坑中，所述第一凸起结构的总轮廓面...
    2026-03-10
  • 多色彩可拉伸电致发光纤维、制备方法及应用
    多色彩可拉伸电致发光纤维、制备方法及应用_浙江理工大学_202511617085.2
    本发明属于柔性电子及可穿戴技术领域，涉及一种纤维状的电致发光器件，具体涉及一种多色彩可拉伸电致发光纤维、制备方法及应用。该多色彩可拉伸电致发光纤维的制备方法包括以下步骤：a)制备一基体发光纤维，所述基体发光纤维包含一发光层，该发光层在电场驱...
    2026-03-10
  • 一种LED芯片及其制作方法
    一种LED芯片及其制作方法_厦门乾照光电股份有限公司_202511747791.9
    本申请提供一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片的制作方法对外延叠层进行蚀刻形成切割道包括连续进行的两个阶段，第一阶段以第一光刻胶层作为掩膜，蚀刻硬掩膜裸露部分外延叠层；第二阶段蚀刻裸露的外延叠层直至裸露衬底部分表面形成切割道，蚀刻期间先...
    2026-03-10
  • 一种Mini/Micro LED返修工艺
    一种Mini/Micro LED返修工艺_广东工业大学_202511641337.5
    本发明涉及Mini/Micro LED显示屏技术领域，尤其涉及一种Mini/Micro LED返修工艺。返修设备包括浆料打印装置以及红外激光和紫外激光同轴输出的激光器；浆料打印装置和激光器分别与返修工位的位置相对应；所述返修工艺包括以下步骤...
    2026-03-10
  • 一种LED发光结构的制作方法
    一种LED发光结构的制作方法_广东卓恒半导体有限公司_202511764328.5
    本发明涉及LED照明技术领域，提供一种LED发光结构的制作方法，包括：将多个芯片间隔安装于基板上，每组发光单元包括第一芯片、第二芯片和第三芯片；涂布高反射封装材料于每个芯片的周侧，并形成反射层；涂覆光学耦合材料于第一芯片和第二芯片的上表面，...
    2026-03-10
  • 无焊料键合的柔性微型发光二极管与柔性电路互联方法
    无焊料键合的柔性微型发光二极管与柔性电路互联方法_深圳市美耐斯光电有限公司_202610077614.2
    本发明公开了一种无焊料键合的柔性微型发光二极管与柔性电路互联方法，属于柔性Micro‑LED显示互连技术领域。该方法包括在芯片电极制备三层金属凸点、在柔性基板形成成分匹配的接收层，经原子级清洁后对准贴合，并在低温低压下实现固相扩散键合，形成...
    2026-03-10
  • 一种基于离子注入的InGaN全彩Micro-LED器件制备方法
    一种基于离子注入的InGaN全彩Micro-LED器件制备方法_微玖(苏州)光电科技有限公司_202610081356.5
    本申请公开了一种基于离子注入的InGaN全彩Micro‑LED器件制备方法，包括制备红、绿、蓝三色InGaN多量子阱堆叠外延片；通过光刻定义像素图形后，注入特定离子形成高阻绝缘层，实现像素电学隔离；刻蚀深孔暴露各颜色发光层的接触区域；沉积绝...
    2026-03-10
  • 一种基于MiniLED的超薄导光系统发光模组的制作方法
    一种基于MiniLED的超薄导光系统发光模组的制作方法_长春富维集团汽车零部件股份有限公司_202511709991.5
    本发明涉及一种基于MiniLED的超薄导光系统发光模组的制作方法，包括以下步骤：步骤S1：Mini LED柔性灯条的制作，将蓝光晶元转移到柔性基板进行固晶，采用透明环氧树脂材质的光学封胶层将蓝光晶元密封固定在柔性基板上；步骤S2：PC膜片的...
    2026-03-10
  • 基于多波段协同激发的全光谱LED光源及其制备方法和应用
    基于多波段协同激发的全光谱LED光源及其制备方法和应用_东莞市立德达光电科技有限公司_202511740360.X
    本发明属于LED技术领域，尤其涉及一种基于多波段协同激发的全光谱LED光源及其制备方法和应用，包括协同激发模块、荧光胶模块、封装结构及光谱调控模块，四者形成“激发‑吸收‑封装‑辐射”闭环协同体系。本发明实现构建多波段协同激发体系，通过四类不...
    2026-03-10
  • 微型LED显示芯片及其形成方法
    微型LED显示芯片及其形成方法_上海显耀显示科技股份有限公司_202411091976.4
    一种微型LED显示芯片及其形成方法，所述方法包括：形成基底，所述基底包括呈阵列分布的发光台面；形成钝化层，所述钝化层位于各个发光台面的侧壁表面和所述基底的表面，并暴露出所述发光台面的顶部表面；形成光反射层，所述光反射层位于所述发光台面的顶部...
    2026-03-10
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_上海显耀显示科技股份有限公司_202411090579.5
    一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：形成基底，所述基底具有发光台面区域；在所述发光台面区域的基底上形成呈阵列分布的发光台面；形成具有第一导电柱的第一键合层，所述第一导电柱位于所述发光台面的顶部表面上；形成驱动背板，所述驱动背板具有第二...
    2026-03-10
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_天马新型显示技术研究院(厦门)有限公司_202512026707.0
    本申请涉及一种显示面板及显示装置。显示面板包括基板、静电防护层和多个导电结构，基板设置有第一面、第二面以及位于第一面和第二面之间的侧面，多个导电结构沿第一方向间隔排布，在同一导电结构中，导电结构包括连接垫和侧面走线，连接垫设置于第一面，侧面...
    2026-03-10
  • 一种MIP芯片倒装封装结构及其封装工艺
    一种MIP芯片倒装封装结构及其封装工艺_深圳市锦瑞新材料股份有限公司_202610076710.5
    本发明涉及一种MIP芯片倒装封装结构及其封装工艺，包括呈盒盖配合的载板和盖板，载板内安装有半导体芯片，载板和盖板边缘处开设有相互配合的啮合槽，还包括集流内环板、配合环板以及第一转板和第二转板，配合环板上开设有流通槽，所述流通槽呈底宽顶窄的形...
    2026-03-10
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