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  • 本发明提供了一种光电转换方法及其应用。所述光电转换方法包括:使选定波长的光照射异质结器件,以使异质结器件产生光电流和/或光电势差;其中,异质结器件由直接接触的GaN层和单层石墨烯(SLG)组成,GaN层与SLG的接触面为GaN的N面或r面。...
  • 本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法,包括:电池基片、第一透明导电层、栅线结构及第二透明导电层,其中电池基片包括在第一方向上相对设置的第一受光面和第一背光面;第一透明导电层位于第一受光面和第一背光面;栅线结构位于第一透明导电层远离电池基片的...
  • 本申请涉及太阳电池领域,公开一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。包括太阳电池半成品和设置在太阳电池半成品上的电极结构,太阳电池半成品的材质包括硅,电极结构包括:接触层、及依次叠层设置于接触层上的扩散抑制层、导电层;导电层的材质包括第一金属,...
  • 本公开涉及光伏技术领域,提供一种背接触电池、叠层电池及光伏组件,背接触电池,包括基底及设于其第一侧的多根极性不同的第一细栅与第二细栅,二者沿第一方向间隔排布、沿第二方向延伸。第一边缘连接线与第一细栅电性连线,第二边缘连接线与第二细栅电性连线...
  • 本申请实施例涉及光伏领域,提供一种太阳能电池、印刷网板、制备方法和光伏组件,电池包括:硅基底;栅线结构,位于硅基底的表面处,栅线结构包括多条主栅、多条细栅和多个鱼叉结构,鱼叉结构与主栅的端部连接,主栅与细栅的延伸方向相交,一部分细栅与鱼叉结...
  • 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种光伏双面电池和组件,包括第一单元片和第二单元片,所述第一单元片与所述第二单元片叠合,在第一方向上,所述第一单元片设有第一表面和第二表面,所述第二单元片设有第三表面和第四表面,所述第二表面与所述第三表面相对...
  • 本申请涉及光伏技术领域,特别是一种太阳能电池及光伏组件。太阳能电池包括基底以及依次层叠设置在基底第一表面上的隧穿氧化层、掺杂多晶硅层、缓冲结构、第一钝化层和电极。沿基底的厚度方向,电极位于缓冲结构的投影范围内,以使缓冲结构与电极贯穿第一钝化...
  • 本发明涉及太阳电池技术领域,具体公开了一种低温焊料栅线硅异质结太阳电池及其制备方法。该太阳电池在硅异质结太阳电池表面与低温焊料栅线之间含有合金薄膜过渡层;所述的合金薄膜过渡层,其成份按质量百分比计为含铜和/或镍95‑100%、锡0‑5%;所...
  • 本申请涉及光伏技术领域,提供了一种背接触太阳能电池、其制备方法及光伏组件,背接触太阳能电池包括:基底,基底的背光面包括交替排布的第一区域和第二区域,第一区域为抛光面,第二区域为绒面;第一掺杂层,设置于第一区域上,第一掺杂层包括第一部分和第二...
  • 本申请实施例涉及光伏领域,提供一种背接触太阳能电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件。背接触太阳能电池包括:基底,包括相对的正面和背面,背面包括第一区和第二区;叠置在第一区的隧穿氧化层、第一掺杂多晶硅层和第一钝化结构,第一钝化结构包括第一多孔...
  • 本发明公开了一种可提高单位面积发电量的光伏模块及其制备方法。可提高单位面积发电量的光伏模块,包括光线收集传导组件、光伏层和三角基座;光线收集传导组件为长条结构,光线收集传导组件四周设有反光层;三角基座为纵截面为三角形的长条状,光线收集传导组...
  • 本发明涉及一种太阳能电池、制造方法以及光伏组件,太阳能电池包括硅基底、第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层;第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层交替设置在硅基底的第一表面;第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层的电性不同;在第一掺杂半导体层背离硅基...
  • 本申请公开了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件,该太阳电池包括硅基底和设置于硅基底表面的PN结层,PN结层具有第一绒面结构,第一绒面结构包括第一塔尖区域和第一塔底区域,第一塔尖区域的结深D1大于等于第一塔底区域的结深D2。本申请能减少载流子...
  • 本申请公开了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件,该太阳电池包括硅基底,硅基底具有第一区域和第二区域;图形化的PN结,图形化的PN结设置于硅基底的第一区域上,图形化的PN结相对第二区域的硅基底表面呈凸起设置;第一电极,第一电极与图形化的PN结...
  • 本申请公开了太阳电池及其制备方法、光伏组件,该太阳电池包括硅基底,硅基底的背光面包括第一区域和第二区域,第一区域包括若干抛光结构和若干相对抛光结构凸起的陷光结构,陷光结构包括棱锥、棱台、类棱锥或类棱台的一种或者多种组合,陷光结构的直径为2 ...
  • 本申请涉及光伏领域,公开了一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件,包括半导体基底,半导体基底包括相对设置的第一表面和第二表面,以及围设连接第一表面和第二表面的多个侧边;至少一个侧边的表面分布有向半导体基底内部凹陷的第一塔基结构和第二塔基结构,...
  • 本发明公开了一种LED贴片灯珠的制造方法及其灯珠,旨在提供一种轻量化、高散热、高精度的LED贴片灯珠的制造方法及其灯珠,其技术方案要点是包括散热底座制备、电极层制作、散热底座组装、散热底座焊接、LED芯片安装与封装以、检测与成品处理,能够及...
  • 本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括:制作第一半导体层;在第一生长温度下,在第一半导体层上制作第一有源子层;在第二生长温度下,在第一有源子层上制作第二有源子层,第二生长温度大于第一生长温度;在第三生长温度下,在第二有源子层...
  • 本文公开了一种响应驱动电流密度变化在红色波长内发射的LED系统及方法。在一个示例中,所述系统包括经图案化的电介质层、多个量子井(MQW)区域、电子阻挡层(EBL)以及p型GaN层。所述EBL沉积在MQW区域上并且经结构化而使得空穴到MQW区...
  • 本文公开一种具有响应于驱动电流密度的变化的颜色可调性的LED系统及操作其的方法。在一个示例中,所述系统包括经图案化的电介质层、多量子井(MQW)区域、电子阻挡层(EBL)以及p型GaN层。所述EBL沉积在MQW区域上并且经结构化而使得空穴到...
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