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  • 本发明公开了一种毛细力驱动两相热虹吸散热器及其工作方法,属于芯片散热领域,包括毛细力驱动式散热器主体和自适应升降式冷凝器,毛细力驱动式散热器主体包括毛细板以及密封设置于毛细板一侧的蒸发腔和储液室,蒸发腔经蒸汽软管与自适应升降式冷凝器的输入端...
  • 本申请公开了一种MOS管散热封装结构,其特征在于,包括PCB板以及贴合设置于所述PCB板表层的MOS管芯片,所述PCB板的表层对应所述MOS管芯片的区域设有散热焊盘;所述散热焊盘由多个间隔设置的长条状焊盘组成,相邻两个长条状焊盘之间形成间隔...
  • 本发明涉及半导体封装冷却技术领域,具体公开基于金刚石‑铜复合式微流道冷却封装结构,包括封装壳体及底部通过弹性密封圈浮动搭接的金刚石‑铜热传导板;热传导板上表面一体成型有若干换热立柱,各换热立柱插设于封装壳体的容纳沉孔内形成微流道环状间隙;封...
  • 本发明属于功率半导体器件封装集成技术领域,尤其涉及一种功率器件散热结构的制备方法及功率器件散热结构,本发明通过在功率器件表面依次沉积绝缘层与金属层,实现绝缘防护与高效散热的一体化集成,无需依赖外部散热器,有效缩短热传输路径,显著降低界面热阻...
  • 本发明公开一种功率器件主动散热电路一体化集成结构,包括热电制冷器、导电金属柱、含通孔结构的三维陶瓷基板、功率芯片、键合引线和功率端子。热电制冷器包含热端陶瓷基板、冷端陶瓷基板及交替排列的P型与N型半导体;三维陶瓷基板与热电制冷器冷端基板为一...
  • 本发明属于功率半导体器件封装集成技术领域,尤其涉及一种功率器件多芯片原位主动散热结构及制备方法,散热结构包括:中心基板;若干半导体组,间隔嵌设在中心基板内;热端基板,固定连接在中心基板一侧;若干冷端基板,固定连接在中心基板另一侧,冷端基板与...
  • 公开了矩阵测温型IGBT模块的水冷散热器垂直限位装置及系统,装置中,散热器本体底板上设有呈m×n矩阵式分布的多个测温孔,所述测温孔贯穿底板,多个温度传感器分别插入所述测温孔中使温度传感器的感温端与上方IGBT模块的基板底部接触;传感器固定机...
  • 本发明公开了一种高效节能三极管,属于三极管相关技术领域,包括散热壳体与引脚,引脚与散热壳体的内部固定并向外延伸,所述引脚通过剪切装置剪切处理,散热壳体的内部卡接有导热机构,且散热壳体的外部两侧还固定安装有用于导热机构固定的卡接件,散热壳体的...
  • 本发明公开了一种面向3D VC的强化换热毛细结构及3D VC,属于高热流密度电子器件冷却领域。在该结构中,梯度孔径多孔结构的孔径沿梯度孔径多孔结构厚度一侧至另一侧呈梯度增大,梯度孔径多孔结构的一侧与3D VC的金属外壳内壁相接,梯度孔径多孔...
  • 本申请提供了一种基于HTCC的垂直传输互连结构及多芯片组件,垂直传输互连结构包括叠层体,叠层体包括多个层叠设置的多个陶瓷介质层;沿陶瓷介质层的层叠方向,叠层体的顶部设有基体微带线,基体微带线的部分结构露出于叠层体之外构成第一传输端;叠层体的...
  • 本发明提供了一种半导体测试结构及半导体测试方法,涉及半导体技术领域。通过对第一连接通孔和第一测试电极施加第一测试电压,同时第一网格导电线接入第一参考电压时,即能够完成第一测试引线和第一网格导电线之间的第一绝缘层的介电隔离性能测试。由于第一网...
  • 本发明提供一种测试结构及其测试方法,测试结构包括一个或多个测试单元,测试单元包括:基底,基底包括衬底,以及位于衬底上的鳍部;栅极结构,横跨鳍部,栅极结构作为驱动电压输入端;源漏掺杂层,位于鳍部的其中一端的位置处的源漏掺杂层作为第一源漏掺杂层...
  • 本发明公开了一种光伏组件及光伏系统,光伏组件包括电连接在一起的多个电池串,电池串包括交叠的第N个电池片和第N+1个电池片,第N+1个电池片的边缘与第N个电池片的边缘交叠形成交叠区域;第N+1个电池片与第N个电池片的第一表面接触;电池片的第一...
  • 本发明提供了一种测试键、测试结构及测试方法,应用于半导体技术领域。在本发明中,通过把测试键分为m个测试元件组,把每个所述测试元件组中的测试结构中的子栅极线分为n组,再通过m*n条第一互连线引出每个所述测试元件组中的多个所述测试结构中的每个子...
  • 本申请提供了一种铜基复合导电结构及其制备方法。铜基复合导电结构的制备方法包括提供多孔铜基体,并控制等离子体抛光工艺,以使多孔铜基体表面粗糙度Ra≤100nm;形成设于多孔铜基体的石墨烯层,得到预制基体;控制熔渗工艺,注入熔融银液至预制基体,...
  • 本申请提供了一种单晶铜导电结构及其制备方法。单晶铜导电结构的制备方法,包括:提供单晶铜基板;控制第一光刻工艺,形成设于单晶铜基板一侧的第一微结构,第一微结构由多个第一子部间隔组成;控制第二光刻工艺,形成设于第一微结构的第二微结构,第二微结构...
  • 本发明涉及芯片封装技术领域,提供了一种玻璃基板上通孔制作方法,包括:激光改质:采用UV脉冲激光对玻璃基板进行照射,以使所述玻璃基板上所述UV脉冲激光照射光路上的至少部分玻璃发生改质;碱性蚀刻:采用碱对改质后的所述玻璃基板进行蚀刻,以使所述至...
  • 本发明提供了一种芯片载板及其制备方法、芯片封装结构。该芯片载板的制备方法包括:在基板的表面制备重布线层,重布线层包括导电区域和围绕导电区域设置的绝缘区域。在基板的表面制备重布线层的步骤中包括:在位于导电区域中的基板的表面上形成图案层;在位于...
  • 本申请实施例提供一种封装基板加工设备及封装基板,加工设备包括:衔接滚轮组,用于撕除干膜一面的麦拉膜,并将所述干膜输送至封装基板;除静电装置,靠近所述衔接滚轮组,用于去除所述干膜撕除一面的麦拉膜时产生的静电;输送装置,设置于所述衔接滚轮组下游...
  • 本发明提供了一种半导体封装组件包括:基板;设置于该基板上的中介层,其中该中介层具有中心区域和周边区域,该周边区域包括角落区域和非角落区域;第一芯片,设置于该中介层的该中心区域;第二芯片,设置于该第一芯片旁并位于该中介层的该周边区域的该非角落...
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