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最新专利技术
  • 一种栅极刻蚀损伤原位修复方法及GaN HEMT器件
    一种栅极刻蚀损伤原位修复方法及GaN HEMT器件_西安电子科技大学_202511657457.4
    本发明公开了一种栅极刻蚀损伤原位修复方法及GaN HEMT器件，该方法包括提供衬底，在衬底上依次形成GaN外延层、源漏电极区和钝化层；源漏电极区包括源极和漏极；在钝化层进行栅槽刻蚀，形成栅槽；刻蚀深度延伸至GaN外延层内；采用N22和O22...
    2026-02-20
  • 一种堆叠结构的空腔的制备方法和半导体设备
    一种堆叠结构的空腔的制备方法和半导体设备_深圳市新凯来工业机器有限公司_202511676377.3
    本申请涉及半导体领域，公开了一种堆叠结构的空腔的制备方法和半导体设备，方法包括：准备待刻蚀堆叠结构，待刻蚀堆叠结构包括交替层叠的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包括硅，第二半导体层包括锗化硅；刻蚀部分第二半导体层以形成待修饰空腔；向...
    2026-02-20
  • 晶体管及其制备方法
    晶体管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511305297.7
    本公开提供了一种晶体管及其制备方法。晶体管包括：沟道层、势垒层、非晶硅层、电流扩展结构和电极结构；势垒层和非晶硅层依次层叠在沟道层上，非晶硅层开设有多个顶部位于沟道层的锥形凹槽，锥形凹槽位于势垒层的侧壁为硅离子注入结构；电流扩展结构位于锥形...
    2026-02-20
  • 晶体管及其制备方法
    晶体管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511372721.X
    本公开提供了一种晶体管及其制备方法。该晶体管包括：沟道层、第一势垒层、第二势垒层和电极结构；第一势垒层位于所述沟道层上，第一势垒层开设有多个底部位于沟道层的凹槽，凹槽的侧壁和底部均为镁离子注入结构；第二势垒层位于多个凹槽的底部，电极结构位于...
    2026-02-20
  • 一种GaN基P型场效应晶体管及其集成方法
    一种GaN基P型场效应晶体管及其集成方法_电子科技大学_202511549368.8
    本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种GaN基P型场效应晶体管及其集成方法。该晶体管的半导体功能层从表面向底部依次包含低阻P型GaN层、高阻GaN体区、极化电场层和GaN电子收集层，其中介质槽贯穿低阻P型GaN层形成槽栅结构，介质槽由位于槽...
    2026-02-20
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_深圳市鹏进高科技有限公司_202511565216.7
    本公开实施例提供一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，可以缓解半导体器件栅极表面漏电造成功耗大的问题。半导体器件包括衬底、异质结构、栅帽层、栅极、第一钝化层、绝缘层、第二钝化层。异质结构设置于衬底的一侧。栅帽层设置于异质...
    2026-02-20
  • 铝氮类HEMT器件及其制备方法
    铝氮类HEMT器件及其制备方法_广东省科学院半导体研究所_202512027866.2
    本发明公开一种铝氮类HEMT器件及其制备方法，其中，铝氮类HEMT器件包括设置在铝氮类势垒层与源极和漏极之间的n型接触改善层，n型接触改善层通过在镓氮类材料中进行n型掺杂得到。由于本发明在铝氮类势垒层与源极和漏极之间设置了n型接触改善层，n...
    2026-02-20
  • 一种二维材料场效应晶体管及其制备方法
    一种二维材料场效应晶体管及其制备方法_清华大学_202610032647.5
    本发明涉及场效应晶体管器件技术领域，公开了一种二维材料场效应晶体管及其制备方法。该二维材料场效应晶体管包括层叠布置的衬底绝缘层、栅极层、栅极接触电极、垂直电场屏蔽结构、第二绝缘层及导电沟道薄膜。导电沟道薄膜远离第二绝缘层的一侧形成有第二台阶...
    2026-02-20
  • 一种基于双铁电耦合界面的多功能逻辑器件及其制备方法
    一种基于双铁电耦合界面的多功能逻辑器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511628162.4
    本发明公开了一种基于双铁电耦合界面的多功能逻辑器件及其制备方法，该器件包括硅衬底层以及硅衬底层上的TiN/Al1‑x1‑xScxxN/ε‑Ga22O33/TiN异质结构，TiN/Al1‑x1‑xScxxN/ε‑Ga22O33/TiN异质结构...
    2026-02-20
  • 一种4H-SiC MOSFET芯片及其主结区结构、制作方法
    一种4H-SiC MOSFET芯片及其主结区结构、制作方法_深圳市华南微电子有限公司_202511659873.8
    本申请提供的一种4H‑SiC MOSFET芯片及其主结区结构、制作方法，其中一种4H‑SiC MOSFET芯片的主结区结构提及，衬底上形成N‑漂移层，在N‑漂移层嵌入P阱，场氧化层设置在P阱的表面，且在P阱的范围内，场氧化层分为多个场氧化块...
    2026-02-20
  • 功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202511628662.8
    本申请公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：半导体本体还包括基区、第一区域、第二区域和第三区域，基区设置为第二导电类型且位于第一区域远离第一表面的一侧；第二区域设置为第二导电类型且位于第一表面；第三区域设...
    2026-02-20
  • LDMOS器件及其制造方法
    LDMOS器件及其制造方法_杰华特微电子股份有限公司_202510405365.0
    本申请提供了一种LDMOS器件及其制造方法，该LDMOS器件包括：外延层；位于外延层中的漂移区和体区；位于外延层上，并横跨漂移区和体区的栅极结构；位于漂移区内的漏极注入区；位于体区内的源极注入区和多个体区注入区；其中，源极注入区包括：多个第...
    2026-02-20
  • 高压横向双扩散金属氧化物半导体结构及其制造方法
    高压横向双扩散金属氧化物半导体结构及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511548214.7
    本发明提供一种高压横向双扩散金属氧化物半导体结构及其制造方法。该结构包括衬底、漂移区、源极区域、漏极区域、栅极结构及浅沟槽隔离结构。其创新之处在于，在位于栅极与漏极之间的浅沟槽隔离结构内，埋设了电学悬浮的导电体。在器件承受高压时，该悬浮导电...
    2026-02-20
  • 降低导通电阻的LDMOS器件及其制造方法
    降低导通电阻的LDMOS器件及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511548230.6
    本发明提供一种降低导通电阻的LDMOS器件及其制造方法。该LDMOS器件包括半导体衬底、形成于其内的漂移区、源区和漏区，以及栅极结构。其关键在于，在漂移区内形成有高载流子迁移率层，该层构成沟道与漏区之间导电通路的一部分。该高载流子迁移率层可...
    2026-02-20
  • 半导体结构
    半导体结构_北京燕东微电子科技有限公司_202511841782.6
    本申请提供一种半导体结构，包括半导体基板，沿厚度方向，半导体基板包括依次层叠设置的第一半导体层至第三半导体层，其中：第三半导体层包括有源区，有源区中设有重掺区，重掺区的掺杂浓度大于第三半导体层的掺杂浓度；第二半导体层中设有多层隔离层，每层隔...
    2026-02-20
  • LDMOS器件及其制备方法
    LDMOS器件及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610023786.1
    本发明公开了一种LDMOS器件及其制备方法，属于半导体技术领域。LDMOS器件包括第一场板和第二场板；第一场板插入漂移区并贯穿栅氧化层，第一场板包括第一PN结，第一PN结的PN结交界面高于漂移区表面，使得第一PN结在漂移区中仅包括第一类离子...
    2026-02-20
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510068896.5
    一种半导体装置包括第一电极、具有第一半导体区域、第二半导体区域和第三半导体区域的衬底以及设置在衬底上的第二电极。该半导体装置具有导电体、绝缘体、设置在导电体周围的栅电极和栅极绝缘膜。栅极绝缘膜具有多条曲线。所述多条曲线包括具有第一曲率半径R...
    2026-02-20
  • 异质结Cascode器件的终端结构及其制造方法
    异质结Cascode器件的终端结构及其制造方法_深圳尚阳通科技股份有限公司_202511608831.1
    本发明公开了一种异质结Cascode器件的终端结构，第一JFET和第二MOSFET分别形成于位于有源区的接触面呈异质结的第一和第二外延层中，第一外延层的禁带宽度较大；终端结构形成于环绕在有源区周侧的终端区中。JFET终端结构和MOSFET终...
    2026-02-20
  • 芯片结构及具有其车辆
    芯片结构及具有其车辆_中国第一汽车股份有限公司_202511782224.7
    本发明提供了一种芯片结构及具有其的车辆，芯片结构包括：集成电阻模块，集成电阻模块位于芯片的栅极区域，集成电阻模块的一端与栅极pad连接，集成电阻模块的另一端与栅极总线连接，集成电阻模块包括第一电阻结构、第二电阻结构和第三电阻结构，其中，一电...
    2026-02-20
  • 抗辐射功率器件及其制造方法
    抗辐射功率器件及其制造方法_成都芯电慧芯科技有限公司_202511867043.4
    本发明提供了一种抗辐射功率器件及其制造方法，包括第一导电类型外延层、形成于第一导电类型外延层中的第一导电类型区域与第二导电类型区域、形成于第一导电类型外延层上的栅极结构与源极金属层；所述源极金属层与部分栅极结构的氧化层上形成有抗辐射层。本发...
    2026-02-20
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