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最新专利技术
  • 用于键合基底的方法和装置
    用于键合基底的方法和装置_EV集团E·索尔纳有限责任公司_202511622640.0
    提出了一种用于弯曲基底(7)的基底保持器(1', 1'', 1''')以及一种相应的方法，该基底保持器具有：‑ 用于固定基底(7)的固定板(3)；‑ 用于弯曲固定板(3)的弯曲器件(6, 6', 6'')，其中，固定板(3)如此构造，使得基...
    2026-02-12
  • 用于键合基底的方法和装置
    用于键合基底的方法和装置_EV集团E·索尔纳有限责任公司_202511622641.5
    提出了一种用于弯曲基底(7)的基底保持器(1', 1'', 1''')以及一种相应的方法，该基底保持器具有：‑ 用于固定基底(7)的固定板(3)；‑ 用于弯曲固定板(3)的弯曲器件(6, 6', 6'')，其中，固定板(3)如此构造，使得基...
    2026-02-12
  • 一种单轴结构的控温偏压旋转底座
    一种单轴结构的控温偏压旋转底座_奕晟微科技(武汉)有限责任公司_202511645311.8
    本发明属于半导体制造设备技术领域，尤其涉及一种单轴结构的控温偏压旋转底座，包括，腔室；晶圆台，设置在腔室内；晶圆台下底座，与晶圆台传动连接，晶圆台下底座带动晶圆台在腔室内转动；升降驱动装置，活动端与晶圆台下底座的固定端固接，升降驱动装置使晶...
    2026-02-12
  • 一种晶圆搬运装置及其搬运方法
    一种晶圆搬运装置及其搬运方法_盛吉盛半导体科技(无锡)有限公司_202512012010.8
    本发明公开了一种晶圆搬运装置及其搬运方法，涉及半导体技术领域。该晶圆搬运装置包括机架、中转室、调度室、搬运机械手和工艺室。中转室、调度室和工艺室均安装于机架，中转室和工艺室共同围设于调度室外，且均与调度室连通，搬运机械手安装于调度室内；搬运...
    2026-02-12
  • 一种晶舟缺片监测系统及方法
    一种晶舟缺片监测系统及方法_江南大学_202511551448.7
    本发明公开了一种晶舟缺片监测系统及方法，涉及半导体制造设备检测技术领域，该系统包括：传感单元、数据采集与处理模块和软件终端模块。传感单元的感应层为多通道应变敏感阵列，其感知晶圆下压后产生的电阻信号变化。数据采集与处理模块采用多路切换对多通道...
    2026-02-12
  • 用于晶圆切割道的可靠性测试键结构及其可靠性验证方法
    用于晶圆切割道的可靠性测试键结构及其可靠性验证方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511578360.4
    本发明涉及一种用于晶圆切割道的可靠性测试键结构及其可靠性验证方法，所述可靠性测试键结构包括：测试键，设置于所述晶圆切割道内，所述测试键沿垂直于所述晶圆切割道的延伸方向的两个侧边被配置为与相邻芯片自带的芯片封装条相邻接，以借助所述芯片封装条阻...
    2026-02-12
  • 一种预对准中晶圆破损自动检测方法及系统
    一种预对准中晶圆破损自动检测方法及系统_沈阳新松半导体设备有限公司_202511592110.6
    本发明提供一种预对准中晶圆破损自动检测方法及系统，涉及晶圆检测技术领域。该方法首先通过旋转台采集晶圆边缘数据，结合CCD传感器和码盘值，获取完整的采样数据，并去除直流分量以简化信号形态；然后通过互相关性分析和面积计算来求解相关波的相位和振幅...
    2026-02-12
  • 一种反熔丝刻蚀缺陷的定位测试结构与监控方法
    一种反熔丝刻蚀缺陷的定位测试结构与监控方法_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511662976.X
    本发明涉及一种反熔丝刻蚀缺陷的定位测试结构与监控方法，所述定位测试结构包括MTM反熔丝单元、上极板金属梳指组、两个交叉排列的下极板金属梳指组，以及对应的上电控制MOS组和三个测试焊盘。每个金属梳指均通过一个MOS管独立控制通断。该方法通过向...
    2026-02-12
  • 快速热退火设备的监测方法及装置、电子设备及存储介质
    快速热退火设备的监测方法及装置、电子设备及存储介质_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511343517.5
    本公开提供了一种快速热退火设备的监测方法及装置、电子设备及存储介质，属于半导体技术领域。该快速热退火设备的监测方法包括：生长Ti层；测量得到Ti层的电阻率均匀性值；通过待测快速热退火设备对Ti层进行快速热退火，以得到TiN层，Ti层的退火参...
    2026-02-12
  • SRP过度区宽度的计算方法
    SRP过度区宽度的计算方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202511344565.6
    本发明涉及一种SRP过度区宽度的计算方法，所属硅片加工技术领域，如下操作步骤：当硅片的外延层材料和衬底层材料的电阻率数值相差在10²数量级时，电阻率‑深度曲线上会有一个非常陡峭的“悬崖式”下降或上升，在这种情况下，采用相对百分比法来确定边界...
    2026-02-12
  • 一种N型硅外延片汞C-V测试前的处理方法
    一种N型硅外延片汞C-V测试前的处理方法_麦斯克电子材料股份有限公司_202511512666.X
    一种N型硅外延片汞C‑V测试前的处理方法，本发明通过对完成外延生长的N型硅外延片依次用氢氟酸溶液、碱性清洗液以及酸性清洗液对N型硅外延片处理并进行干燥后，将干燥处理后的N型硅外延片转移至干法Pre‑CV处理区域，并在N型硅外延片表面生长氧化...
    2026-02-12
  • 一种降低边缘堆胶隆起的晶圆涂胶方法
    一种降低边缘堆胶隆起的晶圆涂胶方法_沈阳芯源微电子设备股份有限公司_202411020357.6
    本发明涉及一种降低边缘堆胶隆起的晶圆涂胶方法，其先对晶圆进行一次涂胶作业，然后将晶圆转速降至R1，并在R1转速下对晶圆边缘进行一次冲洗洗边处理并冲洗出第一凹槽，然后将晶圆转速提升至R2，并在R2转速下对晶圆边缘的第一凹槽槽底进行二次冲洗洗边...
    2026-02-12
  • 足部效应缺陷的改善方法
    足部效应缺陷的改善方法_宁波众芯半导体有限公司_202411045463.X
    一种足部效应缺陷的改善方法，所述方法包括：形成多个半导体初始结构；在各个半导体初始结构上分别形成厚度依次增大的光刻胶层，且厚度均值为预设的基准厚度；对各个光刻胶层进行曝光显影处理，以得到处理后光刻胶层；确定足部效应缺陷最小的一个或多个处理后...
    2026-02-12
  • 基于超分辨光刻与导向自组装的图形结构制备方法
    基于超分辨光刻与导向自组装的图形结构制备方法_中国科学院光电技术研究所_202511402355.8
    本发明涉及半导体光刻技术领域，公开了基于超分辨光刻与导向自组装的图形结构制备方法，包括：S1、在衬底上形成依次堆叠的导向层、反射金属层和感光膜层；S2、采用超分辨光刻设备对感光膜层曝光、显影，在感光膜层上形成光刻图形；S3、依次刻蚀反射金属...
    2026-02-12
  • 一种降低贵金属硬掩模图形转移后金属痕量残留的方法
    一种降低贵金属硬掩模图形转移后金属痕量残留的方法_中国科学院微电子研究所_202511579549.5
    本发明提供一种降低贵金属硬掩模图形转移后金属痕量残留的方法。本发明的方法包括如下步骤：S1：在功能材料层上依次形成第二硬掩模、第一硬掩模和贵金属硬掩模，第一硬掩模与第二硬掩模的材料不同；S2：光刻、刻蚀，在贵金属硬掩模上形成图形；S3：干法...
    2026-02-12
  • 一种碳化硅晶圆减薄方法
    一种碳化硅晶圆减薄方法_重庆伟特森电子科技有限公司_202511297489.8
    本发明属于碳化硅加工技术领域，具体公开了一种碳化硅晶圆减薄方法，包括以下步骤：S1.将第一激光束的焦点对准碳化硅晶圆预设深度的剥离平面，剥离平面的碳化硅晶圆吸收激光能量，形成改性点，并通过激光照射扫描方式将各改性点连通形成改性层；S2.通过...
    2026-02-12
  • 半导体衬底及其制备方法
    半导体衬底及其制备方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511339371.7
    本公开提供了半导体衬底及其制备方法，所述制备方法包括：对掺杂氮元素的硅基板进行热处理，使所述硅基板中的氮元素向所述硅基板的表面扩散，以由所述氮元素在所述硅基板的所述表面形成具有预定尺寸的形核位点；在所述形核位点上生长多晶硅薄膜，以形成半导体...
    2026-02-12
  • 立式炉管设备及其温度控制方法
    立式炉管设备及其温度控制方法_河南东微电子材料有限公司_202511636121.X
    本发明提供一种立式炉管设备及其温度控制方法，立式炉管设备包括：炉体；晶舟，沿高度方向上承载多层晶圆，多层晶圆分为N个高度区域；多个气体注射管，用于分别向每个高度区域注入气体；多个调节阀，用于调节对应的气体注射管的气体流量；多个温度检测装置，...
    2026-02-12
  • 基于异质金属加工的半导体加热盘结构
    基于异质金属加工的半导体加热盘结构_晶斐(徐州)半导体科技有限公司_202511648566.X
    本发明公开了基于异质金属加工的半导体加热盘结构，涉及半导体加热盘结构技术领域，包括：主体单元，其包括工作台以及固定连接在工作台上表面的连接框，所述工作台下表面固定连接有支座；本发明利用驱动电机，使驱动电机带动加热盘本体整体进行转动，进一步，...
    2026-02-12
  • 先进半导体装置的浅沟槽隔离中形成自转化支撑板的方法
    先进半导体装置的浅沟槽隔离中形成自转化支撑板的方法_南亚科技股份有限公司_202411361892.8
    本发明提供一种先进半导体装置的浅沟槽隔离中形成自转化支撑板的方法，其中以光刻工艺在硅基板上定义主动区域后，施加额外的光掩膜以在STI刻蚀工艺期间形成支撑板图案层于欲进行STI刻蚀的区域，并形成STI沟槽。经STI刻蚀后，在STI沟槽内形成微...
    2026-02-12
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