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最新专利技术
  • 空心高熵过渡金属氢氧化物晶体及其制备方法
    空心高熵过渡金属氢氧化物晶体及其制备方法_重庆大学_202511712473.9
    本发明涉及一种空心高熵过渡金属氢氧化物晶体及其制备方法。该制备方法包括：提供氧化亚铜晶体；分别将镍盐前驱体、钴盐前驱体、铬盐前驱体、锰盐和/或铁盐前驱体以及氧化亚铜晶体加入乙醇/水混合溶剂中配置成均匀分散的悬浮液；将聚乙烯吡咯烷酮加入上述悬...
    2026-03-26
  • 一种BaM籽晶及其制备方法和应用
    一种BaM籽晶及其制备方法和应用_成都飞锐特科技有限公司_202511721069.8
    本发明提供了一种BaM籽晶及其制备方法和应用。所述制备方法包括：将BaCO33、Fe22O33和作为助熔剂的K22CO33混合熔融，得到均匀的熔体；对熔体进行保温和阶段式降温，使籽晶自发成核并生长，得到初始籽晶；将初始籽晶从凝固后的熔体中分...
    2026-03-26
  • 助熔剂法生长氮化镓单晶用助熔剂回收装置及方法
    助熔剂法生长氮化镓单晶用助熔剂回收装置及方法_西安交通大学_202511754293.7
    本发明公开了一种助熔剂法生长氮化镓单晶用助熔剂回收装置及方法，属于晶体材料制备技术领域。本发明包括高压腔体，内部自上而下依次包括阻流罩、回流腔和单晶生长腔；其中回流腔为双锥导流结构；阻流罩盖合于回流腔顶部；压力调控系统包括压力振荡气路、晶体...
    2026-03-26
  • 一种大尺寸钙钛矿晶体制备用VGF与VB晶体生长炉
    一种大尺寸钙钛矿晶体制备用VGF与VB晶体生长炉_哈尔滨理工大学_202610010412.6
    本发明涉及晶体生长技术领域，尤其涉及一种大尺寸钙钛矿晶体制备用VGF与VB晶体生长炉，包括：安装架、设置在安装架一侧的升降装置和固定在升降装置升降端的加热炉，所述安装架上固定安装有底座，所述底座上方设置有固定法兰，所述固定法兰上端设置有支撑...
    2026-03-26
  • 一种单晶炉不同热场下的智能掺杂装置及计算方法
    一种单晶炉不同热场下的智能掺杂装置及计算方法_包头美科硅能源有限公司_202511527173.3
    本发明涉及单晶硅加工技术领域，具体是涉及一种单晶炉不同热场下的智能掺杂装置及计算方法，包括安装座，安装座上设有伸缩机构，伸缩机构包括固定筒和伸缩杆，伸缩杆上设有撒料机构，撒料机构包括撒料筒和送料螺杆，撒料筒呈倾斜状态，且其上下两端的外壁上分...
    2026-03-26
  • 单晶电阻率控制方法、装置和电子设备
    单晶电阻率控制方法、装置和电子设备_内蒙古中环领先半导体材料有限公司_202511787209.1
    本申请公开了一种单晶电阻率控制方法、装置和电子设备，属于单晶制备技术领域，用于通过预先制备的外延母合金片对目标单晶进行掺杂，外延母合金片包括本征硅衬底和设于本征硅衬底上的外延层，外延层具有外延电阻率，该方法包括基于目标单晶的单晶参数、外延电...
    2026-03-26
  • 单晶硅棒和硅片的制备方法以及硅片
    单晶硅棒和硅片的制备方法以及硅片_青海晶科能源有限公司_202511667399.3
    本申请实施例涉及单晶硅制备领域，提供一种单晶硅棒和硅片的制备方法以及硅片，该方法包括：在单晶硅棒的等径生长阶段，控制单晶硅棒经过单晶炉中第一位置区间的时间为第一时长；在等径生长阶段，控制单晶硅棒经过单晶炉中第二位置区间的时间为第二时长，第一...
    2026-03-26
  • 一种碳化硅生长炉
    一种碳化硅生长炉_连科半导体有限公司_202511618177.2
    本发明属于晶体加工技术领域，具体的说是一种碳化硅生长炉，包括设备主体，设备主体顶端的一侧安装有炉体，炉体内部的中部固定有内胆，内胆的外部固定有加热器，设备主体靠近炉体的一侧固定有支撑杆，支撑杆的外部套设有升降架，升降架的一侧固定有密封盖，支...
    2026-03-26
  • 一种高净度大尺寸碳化硅晶体生长方法
    一种高净度大尺寸碳化硅晶体生长方法_嘉兴鬃晶科技有限公司_202511889605.5
    本发明涉及晶体生长技术领域，公开了一种高净度大尺寸碳化硅晶体生长方法，将SiC 粉末放入石墨坩埚中生长，SiC 粉末在放入石墨坩埚前进行预处理：控制SiC 粉末中受主杂质总浓度Naa与施主杂质浓度Ndd满足：0.8Ndd≤ Naa≤ 1.2...
    2026-03-26
  • 一种柔性薄膜制备方法及柔性薄膜
    一种柔性薄膜制备方法及柔性薄膜_中国南方电网有限责任公司_202511572337.4
    本申请涉及一种柔性薄膜制备方法及柔性薄膜。所述方法包括：提供一单晶衬底；在单晶衬底上外延生长一水溶性牺牲层；在水溶性牺牲层上外延生长单晶钴酸镍薄膜；将生长有单晶钴酸镍薄膜的样品浸入目标溶剂中，使水溶性牺牲层溶解后，单晶钴酸镍薄膜从单晶衬底上...
    2026-03-26
  • 内衬和半导体工艺腔室
    内衬和半导体工艺腔室_北京北方华创微电子装备有限公司_202411040009.5
    本发明公开一种内衬和半导体工艺腔室，半导体工艺腔室包括腔体和设置在腔体内的支撑座，内衬包括：内衬本体，用于设置在腔体内且环绕支撑座设置，内衬本体开设有第一进气通道；隔挡件，第一进气通道通过隔挡件被分隔为多个进气子通道，多个进气子通道沿内衬本...
    2026-03-26
  • 一种轻掺硼衬底高阻外延片的生产方法及系统
    一种轻掺硼衬底高阻外延片的生产方法及系统_浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司_202511637254.9
    本发明公开了一种轻掺硼衬底高阻外延片的生产方法及系统，属于生产控制技术领域，该方法包括：基于废气离子浓度计算废气残留指数，若连续多个废气残留指数出现异常时，更新分层状态观测器的模型参数，否则将在线监测数据输入至分层状态观测器中，获得晶圆生长...
    2026-03-26
  • 二维CsxRb1-xPbBr3单晶纳米片及其制备方法
    二维CsxRb1-xPbBr3单晶纳米片及其制备方法_河北大学_202511760469.X
    本发明提供了一种二维CsxxRb1‑x1‑xPbBr33单晶纳米片及其制备方法。本发明针对CsBr和RbBr挥发性差异及Cs++与Rb++离子半径失配的问题，开发了分区温度协同控制与多参数优化的化学气相沉积工艺，首次实现了全组分范围内高质量...
    2026-03-26
  • 半导体外延生长参数的反演方法、系统、检测装置及相关产品
    半导体外延生长参数的反演方法、系统、检测装置及相关产品_上海车仪田科技有限公司_202512035147.5
    本申请提供了一种半导体外延生长参数的反演方法、系统、检测装置及相关产品，涉及半导体检测技术领域，本申请通过基于当前工艺参数和预存气体分子光谱吸收数据库计算气相组分的吸收特性参数，并进一步得到探测光路的气相透射率，对半导体外延生长过程中的实测...
    2026-03-26
  • 一种高尔夫球座纳米柱阵列金刚石反射镜加工方法
    一种高尔夫球座纳米柱阵列金刚石反射镜加工方法_中国科学院重庆绿色智能技术研究院_202511296247.7
    本发明公开了一种“高尔夫球座”纳米柱阵列金刚石反射镜加工方法，其包括以下步骤：步骤S1 : 分析获取多晶金刚石光学参数，并构建“高尔夫球座”纳米柱阵列三维模型；步骤S2：采用光刻和各向异性刻蚀方法在单晶硅衬底制备出“高尔夫球座”纳米孔阵列；...
    2026-03-26
  • 高确定性单晶锂金属负极的制备方法
    高确定性单晶锂金属负极的制备方法_南开大学_202511420244.X
    本发明涉及一种高确定性单晶锂金属负极制备方法及其在电化学储能中的应用，属于金属电池材料技术领域。针对现有技术难以精准调控单晶锂金属负极晶面的问题，本发明提出了一种基于预织构化与晶界迁移的单晶化策略。具体而言：该方法首先通过晶粒取向调控，实现...
    2026-03-26
  • 基于深度学习模型的放肩控制方法、装置及相关设备
    基于深度学习模型的放肩控制方法、装置及相关设备_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511618385.2
    本发明提供了一种基于深度学习模型的放肩控制方法、装置及相关设备，属于半导体制造技术领域。所述方法包括：在直拉单晶硅放肩过程中出现放肩不正常的情况下，获取所述直拉单晶硅放肩过程中的第一放肩参数，所述第一放肩参数用于表示所述直拉单晶硅在放肩过程...
    2026-03-26
  • 一种单晶炉、晶棒的制备方法及硅片
    一种单晶炉、晶棒的制备方法及硅片_青海晶科能源有限公司_202511729939.6
    本申请涉及晶棒生产技术领域，尤其涉及一种单晶炉、晶棒的制备方法及硅片。单晶炉包括炉体和稳流装置，炉体的喉口位置设置有第一配气孔，通过第一配气孔向炉体内通入第一保护气体和掺杂气体。稳流装置安装于炉体内的喉口处，稳流装置连通第一配气孔与炉体的内...
    2026-03-26
  • 一种双折射晶体及其制备方法和应用
    一种双折射晶体及其制备方法和应用_河南省科学院半导体研究所_202511654054.4
    本发明属于双折射晶体材料技术领域，具体涉及一种双折射晶体及其制备方法和应用。所述双折射晶体的化学式为Na66[ZnF22(B1212O2424H66)]，属于三方晶系，空间群为R‑3c，晶胞参数为α＝90°，β＝90°，γ＝120°。本发明...
    2026-03-26
  • 一种高电压单晶正极材料及其制备方法和应用
    一种高电压单晶正极材料及其制备方法和应用_陕西彩虹新材料有限公司_202511582878.5
    本发明公开了一种高电压单晶正极材料及其制备方法和应用，属于锂离子电池技术领域。上述制备方法包括以下步骤：以具有多孔结构的金属有机框架物MOFs为模板，采用溶剂热法在模板的孔道内负载三元前驱体，制得负载后的MOFs；将负载后的MOFs与锂源混...
    2026-03-26
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