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最新专利技术
  • 光伏组件及制造方法、光伏发电系统
    光伏组件及制造方法、光伏发电系统_深圳市华宝新能源股份有限公司_202511740162.3
    本申请涉及光伏技术领域，具体而言，涉及一种光伏组件及制造方法、光伏发电系统。光伏组件包括：层叠设置的第一耐候层、第一封装胶膜、电池层、第二封装胶膜和第二耐候层；其中，第一封装胶膜包括：第一基体层，设置于第一耐候层和电池层之间；第一基体层包括...
    2026-02-11
  • 一种用于光伏组件层压工艺的热敏排气凸台垫及其使用方法
    一种用于光伏组件层压工艺的热敏排气凸台垫及其使用方法_桂林电子科技大学_202511885708.4
    本发明公开了一种用于光伏组件层压工艺的热敏排气凸台垫及其使用方法，属于光伏组件封装技术领域。该凸台垫包括柔性基底层以及设置在所述基底层表面的凸台阵列，基底层具有多个用于导流排气的孔洞结构；所述凸台阵列在平面内呈中心区域向周缘区域逐渐降低的高...
    2026-02-11
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511940757.3
    本公开涉及光伏领域，提供一种光伏组件，包括：相对设置的第一基板和第二基板，第一基板具有相对的第一面和第二面，其中，第一面位于第一基板远离第二基板的一侧，第一面形貌呈凹凸结构；电池串以及封装层，电池串以及封装层位于第一基板与第二基板之间，封装...
    2026-02-11
  • 背接触太阳电池及背接触光伏组件
    背接触太阳电池及背接触光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511174062.9
    本申请涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种背接触太阳电池及背接触光伏组件。背接触太阳电池包括电池本体、焊盘组以及集电栅线。两种极性的焊盘组沿第一方向交替间隔设置在电池本体的背面上；各焊盘组包括沿第二方向间隔设置的多个极性相同的焊盘。两种极性的...
    2026-02-11
  • 一种光伏组件
    一种光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202511318404.X
    本申请公开了一种光伏组件，包括：第一玻璃、第二玻璃以及电池单元，第一玻璃和第二玻璃层叠设置，电池单元设于第一玻璃和第二玻璃之间；第一玻璃和第二玻璃通过焊线固定连接，焊线包括直线形焊线和弧形焊线，弧形焊线位于直线形焊线上和/或直线形焊线的延长...
    2026-02-11
  • 一种光伏组件反光汇流条结构及其加工方法
    一种光伏组件反光汇流条结构及其加工方法_宏润泰阳(宣城)绿色能源有限公司_202511347477.1
    本发明公开一种光伏组件反光汇流条结构及其加工方法，涉及光伏设备技术领域；反光汇流条呈长条状，具有两个相对设置的表面，其一为焊接面，另一为非焊接面；非焊接面为曲面构造，曲面构造不同于平面结构，沿反光汇流条的宽度方向与厚度方向形成凸起与凹陷的连...
    2026-02-11
  • 电压可调的光伏电池及其制备方法
    电压可调的光伏电池及其制备方法_甬江实验室_202511536781.0
    本申请提供一种电压可调的光伏电池及其制备方法，涉及光伏电池技术领域。该电压可调的光伏电池包括：衬底；多个子电池，各子电池依次层叠设置于衬底上，每个子电池的上表面均具有位于上方相邻的子电池之外的台阶面；多个隧道结，每相邻两个子电池之间设置一隧...
    2026-02-11
  • 太阳能电池、太阳能电池串、太阳能电池组件和光伏系统
    太阳能电池、太阳能电池串、太阳能电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511904786.4
    本发明提供一种太阳能电池、太阳能电池串、太阳能电池组件和光伏系统。该太阳能电池包括半导体基底和第一栅线，半导体基底上的第一表面设置有第一区域，第一区域上设置有第一掺杂层；第一栅线设置在第一掺杂层上并连接到第一汇流点，第一栅线还连接有第一端头...
    2026-02-11
  • 太阳能组件排布方法及四串矩形电池片排布结构
    太阳能组件排布方法及四串矩形电池片排布结构_无锡爱尔华光电科技有限公司_202511988385.1
    本发明提供了太阳能组件排布方法及四串矩形电池片排布结构。其铺开能达到较好性能和平衡。其分上下对称两块，每一块有2串电池，四串的起点和终点分列两边，从内到外层层包裹，内串和外串中间部分分别是单串的转折排布方式；再加上两个侧列，把内串包住，各串...
    2026-02-11
  • 宽光谱红外光电探测器
    宽光谱红外光电探测器_清华大学_202511528891.2
    本发明公开了一种宽光谱红外光电探测器，包括自下而上层叠的衬底、n型欧姆接触层、渐变层、吸收层、电子势垒层以及p型欧姆接触层；所述电子势垒层的材料为AlAsSb，AlAsSb的带隙较大，不吸收短波长的红外光，使得更短波长的红外光能到达吸收层。...
    2026-02-11
  • 短波长红外光电探测器
    短波长红外光电探测器_清华大学_202511528897.X
    本发明公开了一种短波长红外光电探测器，包括自下而上依次层叠的衬底、n型欧姆接触层、腐蚀停止层、n型次欧姆接触层、渐变层、吸收层、电子势垒层、p型欧姆接触层和制作在p型欧姆接触层的上表面上的p型电极；p型欧姆接触层为厚度小于50nm的InGa...
    2026-02-11
  • 基于双分布式布拉格反射镜谐振腔的波导型光电探测器
    基于双分布式布拉格反射镜谐振腔的波导型光电探测器_清华大学_202511533161.1
    本发明涉及光电探测器技术领域，特别涉及一种基于双分布式布拉格反射镜谐振腔的波导型光电探测器，包括：外延层；脊型波导，其刻蚀至外延层的n型掺杂层；电极，其设置在脊型波导的中段；双分布式布拉格反射镜谐振腔结构DBR，其包括第一分布式布拉格反射镜...
    2026-02-11
  • 基于微环谐振腔的光电探测器及其制备方法
    基于微环谐振腔的光电探测器及其制备方法_清华大学_202511533164.5
    本发明涉及光电子技术领域，特别涉及一种基于微环谐振腔的高速高响应度的光电探测器及其制备方法，其中，光电探测器包括：外延层结构；波导，采用脊形波导结构刻蚀至外延层结构的N型InP接触层；微环与波导并排放置，且微环与波导之间设有预设间隙宽度，以...
    2026-02-11
  • 基于速度匹配的行波电极光电探测器及其制备方法
    基于速度匹配的行波电极光电探测器及其制备方法_清华大学_202511533166.4
    本发明涉及光电器件与光通信技术领域，特别涉及一种基于速度匹配的行波电极光电探测器及其制备方法，其中，光电探测器包括：外延层结构；脊形波导，其刻蚀至外延层结构的N型InP覆层；行波电极，其采用共面波导结构，设于脊形波导的上表面和外延层结构的上...
    2026-02-11
  • 单光子雪崩二极管及其制备方法
    单光子雪崩二极管及其制备方法_杭州海康威视数字技术股份有限公司_202410985067.9
    本发明公开一种单光子雪崩二极管及其制备工艺，单光子雪崩二极管包括衬底和外延层，外延层设置于衬底的一侧的表面上，外延层远离衬底的一侧形成有第一阱区，第一阱区内形成有环形结构的第二阱区，第二阱区背离衬底的一端设置有第一重掺杂区，第一重掺杂区覆盖...
    2026-02-11
  • 一种具有光控特性的半导体器件及其制备方法
    一种具有光控特性的半导体器件及其制备方法_厦门大学_202511863627.4
    一种具有光控特性的半导体器件及其制备方法，属于半导体技术领域。包括：第一掺杂类型半导体衬底，设置在衬底上的第一掺杂类型外延层；间隔设置在第一掺杂类型外延层中的第二掺杂类型源区和漏区；设置在源区和漏区上的金属电极，源区及漏区和金属电极形成欧姆...
    2026-02-11
  • 一种基于布局优化的高CTR与高速光敏晶体管及其制造方法
    一种基于布局优化的高CTR与高速光敏晶体管及其制造方法_江苏艾倍思特光电子有限公司_202511477546.0
    本发明涉及光敏晶体管领域，具体而言，涉及一种基于布局优化的高CTR与高速光敏晶体管及其制造方法，包括包括：半导体衬底，半导体衬底上依次形成N型外延层、P型基区与N型射区；P型基区包括独立设置的光电传感区与基极主体，光电传感区用于接收光信号并...
    2026-02-11
  • 光电转换基板和平板检测装置
    光电转换基板和平板检测装置_北京京东方传感技术有限公司_202410961634.7
    一种光电转换基板和平板检测装置。该光电转换基板，包括第一区，光电转换基板包括基板，至少一个像素单元，位于基板一侧，且位于第一区；像素单元包括光电转换元件，位于基板一侧；光电转换元件包括第一电极、光电转换层和第二电极，第一电极、光电转换层和第...
    2026-02-11
  • 一种图像传感器的形成方法
    一种图像传感器的形成方法_格科半导体(上海)有限公司_202511249789.9
    本发明通过碳/锗离子注入在衬底晶圆的浅表层形成Si‑C或Si‑Ge区域，来提高衬底晶圆内部对杂质离子的吸杂能力，可以减少金属杂质污染、抑制暗电流从而降低白色像素缺陷；通过分步浅层离子注入，在晶圆表面至体内形成递减浓度梯度分布，能够在表面提供...
    2026-02-11
  • 一种图像传感器的制备方法
    一种图像传感器的制备方法_格科微电子(上海)有限公司_202511352098.1
    本发明公开了一种图像传感器的制备方法，在衬底上沟槽刻蚀完成后，通过在沟槽和衬底表面沉积一掺杂有P型离子的氧化层(BSG)，采用低温增强扩散和/或激光瞬时热退火的工艺将P型掺杂离子引入并激活的同时，不提高器件的热预算，且修复了沟槽表面的刻蚀损...
    2026-02-11
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