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  • 本发明提供一种静电放电保护装置,包括基板、第一阱区、第二阱区、第一掺杂区、第二掺杂区、第一端以及第二端。第一阱区设置于基板中,且具有第一导电类型。第二阱区设置于第一阱区中,且具有不同于第一导电类型的第二导电类型。第一掺杂区设置于基板中且分离...
  • 本发明涉及一种二极管结构及其制备方法、半导体器件,包括基底、浮空栅极结构、阳极结构、阴极结构、第一电容结构和第二电容结构,浮空栅极结构、阳极结构、阴极结构、第一电容结构和第二电容结构分别在第一方向上位于基底的一侧,且沿第二方向依次设置,阳极...
  • 本发明属于高压集成电路(Integrated Circuits,简称IC)的静电放电(Electrostatic Discharge,简称ESD)保护器件设计领域,针对双向硅控整流器(Dual‑Directional Silicon Con...
  • 本申请公开了一种太阳能电池、电池组件以及光伏系统,太阳能电池包括至少一个切割侧面,切割侧面包括沿切割侧面的长度方向X相对设置的第一边缘和第二边缘;切割侧面还包括第一切割区和第二切割区。第一切割区与第一边缘之间的距离大于0,且小于或等于第一预...
  • 本申请提供了一种太阳电池及光伏组件,其中太阳电池包括晶体硅衬底,晶体硅衬底的背面包括交替排列的P型掺杂区和N型掺杂区,在P型掺杂区,晶体硅衬底的背面依次设置有第一隧穿氧化层和P型掺杂层;在N型掺杂区,晶体硅衬底的背面依次设置有第二隧穿氧化层...
  • 本发明公开了一种太阳电池及其制备方法,属于太阳电池技术领域。该太阳电池包括电池基底,电池基底包括第一表面及与第一表面相对的第二表面;第一表面由内至外层叠设有钝化层、减反射膜层及第一金属电极,第二表面由内至外层叠设有本征非晶硅层、P型非晶硅层...
  • 本申请提供了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件,其中太阳电池包括晶体硅衬底,晶体硅衬底的背面依次设置有介质层、第一掺杂层和背面表面钝化层,晶体硅衬底的正面具有正面绒面结构,正面绒面结构中包括金字塔状的微单元结构;正面绒面结构包括第一区域和第...
  • 本公开涉及太阳能电池技术领域,公开了一种背接触太阳能电池。包括:基底层、位于基底层的背面的第一掺杂区和第二掺杂区以及隔离区;第一掺杂区包括第一连接部和多个第一延伸部,第二掺杂区包括第二连接部和多个第二延伸部;第一连接部和第二连接部沿第一方向...
  • 本发明公开了一种太阳能电池、电池组件和光伏系统,太阳能电池包括:基底,以及设置于基底的第一侧的多个第一掺杂层和多个第二掺杂层;第一掺杂层和第二掺杂层交替排布;相邻的第一掺杂层和第二掺杂层之间设置有隔离区,隔离区用于隔离第一掺杂层和第二掺杂层...
  • 本发明属于背接触电池技术领域,具体涉及一种具有特定正面结构的背接触电池及其电池组件,该特定正面结构包括在硅基底正面依次设置的隧穿氧化层、特定掺杂非晶硅层,且特定掺杂非晶硅层中沿远离隧穿氧化层的方向依次设置低掺杂非晶硅层、高掺杂非晶硅层和掺氧...
  • 本发明公开了一种无铅钙钛矿Si叠层结构太阳能电池及其制备方法,电池结构自下而上依次为:底电极、电子传输层ETL、光吸收层、空穴传输层HTL、顶电极;所述电子传输层ETL为N型宽禁带半导体或SiC;空穴传输层HTL为P型宽禁带半导体金刚石或G...
  • 本发明涉及同位素电池技术领域并公开一种半导体换能器件及其制备方法、同位素电池,所述半导体换能器件包括P型金刚石衬底,所述P型金刚石衬底的表面附着有N型三维纳米膜,其中,所述N型三维纳米膜是由N型半导体前驱体经电解氧化后形成。所述半导体换能器...
  • 本发明涉及太阳电池技术领域,公开一种异质结太阳电池及其制备方法、光伏组件。所述异质结太阳电池包括:硅基底;第一钝化层,所述第一钝化层位于所述硅基底上;缓冲层,所述缓冲层设置于所述第一钝化层背离所述硅基底的一侧表面,所述缓冲层中包括晶体结构,...
  • 本申请提供了一种太阳电池及其制备方法,太阳电池包括硅衬底、第一本征非晶硅层、N型掺杂晶硅层、第二本征非晶硅层、P型掺杂晶硅层、第一电极和第二电极;硅衬底具有相对的第一表面和第二表面;第一本征非晶硅层、N型掺杂晶硅层和第一电极依次层叠设于硅衬...
  • 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体而言,涉及太阳能电池及其制备方法,该太阳能电池的n型掺杂层和p型掺杂层两者中的至少一者为复合掺杂层,复合掺杂层包括微晶硅层和形成于微晶硅层的高度非晶化层;且形成于复合掺杂层的第一透明导电层或第二透明导电层包...
  • 本发明公开了一种太阳电池及其制备方法,属于太阳电池技术领域。该太阳电池包括硅衬底;该衬底正面设置的第一透明导电层包括由内至外依次层叠设置的第一TCO本体层及第一含In层,第一含In层包括对应栅线区域的第一In单质层及对应非栅线区域的第一In...
  • 本发明公开了一种太阳电池及其制备方法,属于太阳电池技术领域。该太阳电池中,透明导电层包括在掺杂硅层表面由内至外设置的In22O33主体层和In混合层;In混合层的厚度为0.8Å~30Å;In混合层包括In原子区域以及In22O33区域,其中...
  • 本发明公开了一种异质结电池及其制备方法,属于太阳电池领域。该异质结电池包括硅衬底,硅衬底制绒后的表面由内至外依次设置有氧化硅‑非晶硅融合钝化层、本征硅种子层和本征硅主体层;氧化硅‑非晶硅融合钝化层包括氧化硅本体和非晶硅沉积物,氧化硅本体具有...
  • 本发明公开了一种PVT组件及其一体化封装工艺,其中,一体化封装工艺包括以下步骤:保护处理:对PV组件的边缘区域和电气部件区域进行覆盖保护;界面处理:在PV组件的背面进行界面处理;集热器安装:将集热器安置于经界面处理后的PV组件背面;压紧贴合...
  • 本申请涉及光伏技术领域,具体而言,涉及一种光伏组件及制造方法、光伏发电系统。光伏组件包括:层叠设置的第一耐候层、第一封装胶膜、电池层、第二封装胶膜和第二耐候层;其中,第一封装胶膜包括:第一基体层,设置于第一耐候层和电池层之间;第一基体层包括...
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