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最新专利技术
  • 一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法
    一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法_安建科技(深圳)有限公司_202511565866.1
    一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法，本发明涉及于功率半导体器件，本发明提供的技术方案通过工艺优化擦用填充层在改善极间隔离氧化层空洞结构的同时不改变栅氧的膜层质量而降低其可靠性及电容性能，并且可以利用氮化硅其临界击穿电场强度高于二氧...
    2026-02-12
  • 薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板
    薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板_昆山国显光电有限公司_202511587399.2
    本发明提供了一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板，制备方法包括在衬底上制备有源层、栅极绝缘层以及栅极，有源层包括沟道区以及分别位于沟道区两侧的源极区、漏极区；对源极区和漏极区进行低剂量离子注入；其中，低剂量离子注入的剂量优选范围为...
    2026-02-12
  • 一种一体化结构SiC MOSFET栅极的制备工艺
    一种一体化结构SiC MOSFET栅极的制备工艺_山东大学_202511634532.5
    本发明公开了一种一体化结构SiC MOSFET栅极的制备工艺，采用金属颗粒与有机胶黏液均匀混合，形成悬浊液；通过旋涂技术将悬浊液涂覆于SiC MOSFET的SiO22介电层上表面，形成完全覆盖的薄膜基底；基于单向化学气相沉积工艺，促使薄膜基...
    2026-02-12
  • 一种氮化镓器件及其制备方法
    一种氮化镓器件及其制备方法_中科华清(泉州)精细陶瓷研究院有限公司_202511644932.4
    本发明公开了一种氮化镓器件及其制备方法，涉及半导体材料技术领域。包括选用半绝缘碳化硅衬底，表面粗糙度Ra<0.3nm，通过过渡层培生方法生成过渡层；生成氮化铝层和厚缓冲层，最后生成未掺杂GaN层；生成Al GaN势垒层，再通过GaN帽层制备...
    2026-02-12
  • 半导体结构制备方法、半导体器件
    半导体结构制备方法、半导体器件_上海积塔半导体有限公司_202511679012.6
    本申请涉及一种半导体结构制备方法、半导体器件，包括：提供衬底，衬底包括沿第一方向间隔排列的元件区，以及位于相邻元件区之间的电阻区；于电阻区形成沿背离衬底方向依次排列的介质叠层、保护层以及具有预设高宽比的多晶硅层；于保护层、介质叠层及多晶硅层...
    2026-02-12
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_广东芯粤能半导体有限公司_202511813298.2
    本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，包括：提供半导体衬底，在其一侧形成外延层；在外延层内形成多个间隔设置的第一沟槽；基于第一注入角度，于第一沟槽底部的外延层中形成第一屏蔽区，其导电类型与外延层相反，且其底部与外延层底部间隔设置；基于第二注...
    2026-02-12
  • 半导体结构的制造方法及半导体结构
    半导体结构的制造方法及半导体结构_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511938940.X
    本申请实施例提供了一种半导体结构的制造方法及半导体结构，该方法包括：提供包括具有栅极沟槽的衬底和底部栅极部的基底；其中，栅极沟槽具有底面和侧面；底部栅极部形成于栅极沟槽内靠近底面的区域；栅极沟槽的部分侧面暴露；利用侧向外延工艺，基于栅极沟槽...
    2026-02-12
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_三星电子株式会社_202510317562.7
    提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：沟道层；设置在沟道层上的阻挡层；设置在阻挡层上的栅电极；源电极和漏电极，连接到沟道层并且在栅电极的相应侧上；下场分布图案，在栅电极和漏电极之间彼此间隔开；以及上场分布图案，在下场分布图案上与下...
    2026-02-12
  • 一种新型氮化镓HEMT器件
    一种新型氮化镓HEMT器件_深圳镓楠半导体科技有限公司_202511442225.7
    本发明涉及一种新型氮化镓HEMT器件，其中新型氮化镓HEMT器件包括半导体层、位于半导体层上方的第一栅极金属层；设置在半导体层、第一栅极金属层之间的栅极机构，栅极机构包括沿第一方向延伸的第一场板、第二场板、第三场板，第一场板位于半导体层的上...
    2026-02-12
  • 一种二维晶体管及其制备方法
    一种二维晶体管及其制备方法_湖南大学_202511504387.9
    本发明公开了一种二维晶体管及其制备方法，所述底部偏置栅极设有两个，且间隔设置于所述绝缘衬底的上表面，所述底部偏置栅极的上表面完全被所述介电层覆盖，所述介电层的上表面被所述二维半导体材料完全覆盖，所述二维半导体材料的上表面设有间隔设置的所述漏...
    2026-02-12
  • 一种氮化镓器件以及方法
    一种氮化镓器件以及方法_英诺赛科(苏州)半导体有限公司_202511516532.5
    本申请涉及半导体技术领域，提供一种氮化镓器件以及方法，其中氮化镓器件包括：二维电子气层组，用于形成二维电子气；第一氮化镓层，设置于二维电子气层组上；渐变层组，设置于第一氮化镓层上；栅极金属层，设置于渐变层组上。通过渐变层组在金属层与第一氮化...
    2026-02-12
  • 氮化镓基半导体器件及二维电子气的调节方法
    氮化镓基半导体器件及二维电子气的调节方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511541007.9
    本发明公开了一种氮化镓基半导体器件及二维电子气的调节方法。氮化镓基半导体器件包括：具有异质结的半导体功能层，以及与异质结匹配的源漏栅结构或源漏结构；氮化镓基半导体器件还包括二维电子气调节层；二维电子气调节层为SixxGe1‑x1‑x混合层，...
    2026-02-12
  • 一种氮化镓器件及其制备方法
    一种氮化镓器件及其制备方法_湖南国芯半导体科技有限公司_202511610098.7
    本发明涉及氮化镓器件技术领域，特别涉及一种氮化镓器件及其制备方法。氮化镓器件由下至上依次包括：衬底；缓冲层；GaN沟道层；AlGaN势垒层；栅极；源极；漏极；在所述栅极靠近漏极侧面的竖直方向投影处，缓冲层对应有一厚度落差，其靠近漏极侧区域厚...
    2026-02-12
  • 横向功率半导体器件、芯片及电子设备
    横向功率半导体器件、芯片及电子设备_华为技术有限公司_202410970503.5
    本申请涉及半导体技术领域，公开了一种横向功率半导体器件、芯片及电子设备，横向功率半导体器件包括衬底以及设置在衬底上方的第一源极、第一漏极、第一栅极、第二栅极、第一隔离层和第二隔离层；其中，第一源极、第一栅极、第二栅极以及第一漏极依次排列；第...
    2026-02-12
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_株洲中车时代半导体股份有限公司_202510937658.3
    本发明涉及半导体技术领域，公开一种半导体器件及其制备方法。半导体器件包括衬底层；位于衬底层上且沿第一方向延伸的第一栅极和第一绝缘介质层，第一绝缘介质层覆盖于第一栅极的上表面和侧表面；第二绝缘介质层，位于第一绝缘介质层背离衬底层的一侧且沿第二...
    2026-02-12
  • 一种抗单粒子栅穿的SiC平面型MOS器件结构及制备方法
    一种抗单粒子栅穿的SiC平面型MOS器件结构及制备方法_北京时代民芯科技有限公司_202511323230.6
    本发明提供一种抗单粒子栅穿的SiC平面型MOS器件结构及制备方法，所述SiC平面型MOS器件结构包括：漏极金属层、N+衬底层、N‑漂移层、第一电流扩展层、埋置P区、第二电流扩展层、P+连接区、P基区、N+源区、栅介质、栅多晶硅、源极金属层。...
    2026-02-12
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_北京中科新微特科技开发股份有限公司_202511400778.6
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底、外延层、阱区、源区、第一绝缘层以及第一电极层；外延层设置于衬底沿厚度方向的一侧；阱区位于外延层内，源区位于阱区内；第一绝缘层设置于外延层背向衬底的一侧；第一电极层设置于第一绝缘层背...
    2026-02-12
  • MOS器件及其制备方法
    MOS器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511452430.1
    本申请涉及半导体技术领域，提供了一种MOS器件及其制备方法，其中，MOS器件包括：衬底，包括相对设置的第一表面和第二表面；外延层，位于第一表面上且具有第一掺杂类型，外延层包括JFET层；阱区，具有第二掺杂类型，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反...
    2026-02-12
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511540384.0
    本发明提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括半导体衬底，半导体衬底具有第一区域，在半导体衬底上设置有第一CESL层，在第一区域的第一CESL层上设置有第二CESL层，在第一CESL层和第二CESL层上形成有层间介质层，第一区域设置有...
    2026-02-12
  • 一种侧栅铁电可重构场效应晶体管及制备方法
    一种侧栅铁电可重构场效应晶体管及制备方法_上海大学_202511789252.1
    本发明涉及半导体器件技术领域，提供一种侧栅铁电可重构场效应晶体管，该晶体管器件在绝缘层、上栅极和下栅极的侧面区域设置有铁电介电层，所述铁电介电层完全覆盖第一至第三绝缘层及侧面区域；所述铁电介电层侧面设置有Z形垂直沟道层，利用Z形垂直沟道结构...
    2026-02-12
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