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最新专利技术
  • 一种低漏电流复合叠层薄膜及其制备方法和应用
    一种低漏电流复合叠层薄膜及其制备方法和应用_泉州师范学院_202511553053.0
    本发明属于复合材料制备技术领域，具体公开了一种低漏电流复合叠层薄膜及其制备方法和应用。该制备方法包括以下步骤：S1、对硅片衬底进行清洗预处理；S2、在S1中所述硅片衬底上依次沉积底层ZrO22薄膜、中间Al22O33薄膜和顶层ZrO22薄膜...
    2026-02-12
  • 一种铁电薄膜电容器制备方法及所制备的电容器
    一种铁电薄膜电容器制备方法及所制备的电容器_河北农业大学_202511553972.8
    本发明公开了一种铁电薄膜电容器的制备方法及所制备的电容器，先在LaAlO33(001)基底上磁控溅射生长La0.50.5Sr0.50.5CoO33薄膜底电极，然后在La0.50.5Sr0.50.5CoO33薄膜底电极上磁控溅射生长I‑III...
    2026-02-12
  • 一种电容器及其制备方法和应用
    一种电容器及其制备方法和应用_北京元陆鸿远电子技术有限公司_202511816584.4
    本发明涉及电子元件技术领域，具体涉及一种电容器及其制备方法和应用。本发明提供的电容器包括具有第一通孔的基板，位于基板下表面的第一金属键合层，位于基板上表面的第一电极层，所述第一电极层的面积小于基板的面积，位于第一电极层表面的第一介质层，围绕...
    2026-02-12
  • 一种大电流高耐压金刚石二极管及其制造方法
    一种大电流高耐压金刚石二极管及其制造方法_东南大学_202511251260.0
    本发明涉及一种大电流高耐压金刚石二极管及其制造方法，剖面结构以衬底金刚石(1)为底，基于衬底金刚石(1)上表面局部设置一型掺杂金刚石(2)，进一步在一型掺杂金刚石(2)的上表面、以及衬底金刚石(1)上表面布设一型导电沟道(7)，然后在一型导...
    2026-02-12
  • 共振隧穿二极管及其制备方法
    共振隧穿二极管及其制备方法_中国科学院半导体研究所_202410956508.2
    本公开提供了一种共振隧穿二极管，可应用于半导体技术领域。该共振隧穿二极管包括：衬底；缓冲层，位于衬底上；第一台面结构，位于缓冲层远离衬底的一侧；以及第二台面结构，位于缓冲层远离衬底的一侧，其中，衬底的材料包括砷化镓；第二台面结构的材料包括砷...
    2026-02-12
  • 基于锗上外延生长石墨烯技术的硅/石墨烯/锗势垒晶体管阵列及构筑方法
    基于锗上外延生长石墨烯技术的硅/石墨烯/锗势垒晶体管阵列及构筑方法_中国科学院金属研究所_202410960115.9
    本发明涉及半导体器件的研发与应用领域，具体为一种基于锗上外延生长石墨烯技术的硅/石墨烯/锗势垒晶体管阵列及构筑方法。该晶体管自上而下的构成如下：第一层包括基极与硅薄膜组合结构，第二层为发射极与外延生长的单晶单层石墨烯，第三层为锗衬底，第四层...
    2026-02-12
  • 一种抗闩锁的碳化硅NPN型横向绝缘栅双极型晶体管
    一种抗闩锁的碳化硅NPN型横向绝缘栅双极型晶体管_东南大学_202511251710.6
    一种抗闩锁的碳化硅NPN型横向绝缘栅双极型晶体管，包括设于N型衬底的内设P型阱区及N型缓冲区的N型外延层、栅极多晶硅和介质层，在P型阱区内设有N型发射极区、P型源极区和N型源极区，P型源极区和N型源极区具有相同电位；栅极多晶硅位于P型阱区的...
    2026-02-12
  • 一种深沟槽半导体结构及其制备方法
    一种深沟槽半导体结构及其制备方法_成都森未科技有限公司_202511565371.9
    本发明提供了一种深沟槽半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该深沟槽半导体结构包括第一导电类型漂移区、第一导电类型存储区、第二导电类型基区以及贯穿第二导电类型基区、第一导电类型存储区，并延伸至第一导电类型漂移区的多个沟槽结构；每个沟槽...
    2026-02-12
  • 一种沟槽型功率器件集成栅极电阻的结构及制造方法
    一种沟槽型功率器件集成栅极电阻的结构及制造方法_西安龙威半导体有限公司_202511531878.2
    本发明公开了一种沟槽型功率器件集成栅极电阻的结构及制造方法，属于半导体器件加工技术领域，有源区结构制备过程包括：在晶圆上沉积硬掩模；进行沟槽光刻使得沟槽光刻图案中，集成电阻区沟槽宽度的线宽小于有源区沟槽宽度的线宽；去除沟槽光刻图案区域的硬掩...
    2026-02-12
  • 一种鳍式场效应晶体管及其形成方法
    一种鳍式场效应晶体管及其形成方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202410970992.4
    本申请提供一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，形成半导体结构；半导体结构包括位于衬底一侧的多个鳍、保护层和光刻胶层；多个鳍包括伪鳍，光刻胶层具有沟槽；对沟槽进行测量得到第一尺寸和中心偏移量；根据第一尺寸、中心偏移量和目标区域的第二尺寸，确定第...
    2026-02-12
  • 横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法
    横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法_无锡华润上华科技有限公司_202410979741.2
    本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法，所述方法包括：在晶圆的第一主面形成硬掩膜；进行有源区光刻和刻蚀，在需要形成场氧层的位置去除所述硬掩膜；形成所述场氧层；在所述第一主面形成图案化的光刻胶层，覆盖在不需要形成漂移区的位...
    2026-02-12
  • FinFET器件及其外延源漏极的制备方法
    FinFET器件及其外延源漏极的制备方法_重庆芯联微电子有限公司_202411098222.1
    本发明提供一种FinFET器件及其外延源漏极的制备方法，采用由沉积步骤及刻蚀步骤构成的循环执行若干次至所需厚度，每个循环中的沉积步骤先选择性外延沉积预设厚度的磷掺杂的第二硅外延层，然后在该循环的刻蚀步骤中对该循环沉积的预设厚度的磷掺杂的第二...
    2026-02-12
  • 超结半导体结构及其制备方法
    超结半导体结构及其制备方法_株洲中车时代半导体股份有限公司_202510672365.7
    本发明提供一种超结半导体结构及其制备方法。超结半导体结构包括：衬底层；位于衬底层上层叠设置的漂移层和电流扩展层，漂移层中具有若干个间隔设置的掺杂柱，衬底层上包括元胞区和包围元胞区的终端区；位于元胞区的掺杂柱自漂移层靠近衬底层的一侧表面延伸至...
    2026-02-12
  • 一种场效应晶体管的制造方法、场效应晶体管及版图结构
    一种场效应晶体管的制造方法、场效应晶体管及版图结构_重庆平伟实业股份有限公司_202511363777.9
    本申请提供一种场效应晶体管的制造方法、场效应晶体管及版图结构，该晶体管将屏蔽栅和栅极分开放置，使得屏蔽栅均匀接触源极金属，以便及时响应状态变换，避免器件在局部击穿；且在屏蔽栅顶端对氧化层进行减薄，在反向恢复时减小反向恢复电荷的注入。本发明通...
    2026-02-12
  • P型栅氮化镓功率器件及其制备方法
    P型栅氮化镓功率器件及其制备方法_南方科技大学_202511381013.2
    本申请公开了一种P型栅氮化镓功率器件及其制备方法，所述制备方法包括：提供半导体器件的基底，基底至少包括势垒层；在势垒层上形成第一介质层，第一介质层上设有第一开窗；在第一开窗内生长P型层；在P型层上形成栅极。P型层在形成的过程中，通过势垒层上...
    2026-02-12
  • 一种高迁移率半导体材料场效应晶体管及其制备方法
    一种高迁移率半导体材料场效应晶体管及其制备方法_山东大学_202511439364.4
    本发明涉及场效应晶体管，公开了一种高迁移率半导体材料场效应晶体管及其制备方法，制备方法包括如下步骤：(1)超声清洗表面覆盖有栅介质层的基底，并用氮气枪吹干残留溶液；(2)将高迁移率半导体材料定位转移至步骤(1)获得的栅介质层上；(3)采用掩...
    2026-02-12
  • 减少非器件边缘区域的高迁移率场效应晶体管及制备方法
    减少非器件边缘区域的高迁移率场效应晶体管及制备方法_山东大学_202511444265.5
    本发明属于微电子技术领域，具体涉及减少非器件边缘区域的高迁移率场效应晶体管及制备方法。将高迁移率半导体材料转移到基底上，得到高迁移率半导体材料/基底；将高迁移率半导体材料/基底在掩模版定义沟道的修饰下，蒸镀金属电极；采用等离子体增强化学气相...
    2026-02-12
  • 制造半导体器件的方法以及半导体器件
    制造半导体器件的方法以及半导体器件_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511534696.0
    本发明提供一种制造半导体器件的方法以及半导体器件，该方法包括：提供待处理器件，所述待处理器件包括器件区域和边缘区域；选择性在所述待处理器件的所述边缘区域顶面形成目标氧化层；在所述器件区域内需要形成接触孔的位置形成金属接触层；在所述待处理器件...
    2026-02-12
  • 半导体器件的制备方法及半导体器件
    半导体器件的制备方法及半导体器件_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511534710.7
    本发明提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，该方法：提供衬底并在衬底的顶面形成垫氧层；在衬底上形成STI；沉积氮化硅掩膜，并涂覆光刻胶层，将边缘区域的光刻胶层去除后，使用硅离子对边缘区域部分厚度的氮化硅掩膜进行改性处理；在氮化硅掩膜上光...
    2026-02-12
  • 一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法
    一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法_安建科技(深圳)有限公司_202511565866.1
    一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法，本发明涉及于功率半导体器件，本发明提供的技术方案通过工艺优化擦用填充层在改善极间隔离氧化层空洞结构的同时不改变栅氧的膜层质量而降低其可靠性及电容性能，并且可以利用氮化硅其临界击穿电场强度高于二氧...
    2026-02-12
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