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  • 本申请提供一种成像芯片封装的制备方法、设备、计算机可读存储介质及成像芯片封装,属于成像芯片封装技术领域。该方法应用于成像芯片封装的制备设备的处理器,所述成像芯片封装包括成像芯片和玻璃板,所述成像芯片和所述玻璃板层叠设置。所述制备方法包括:获...
  • 本公开涉及一种具有鳍式电容器的堆叠式半导体装置。本公开描述一种包括安置在半导体衬底之中或之上的多个鳍式电容器的堆叠式半导体装置。所述多个鳍式电容器被布置为形成鳍式电容器阵列。所述多个鳍式电容器中所包含的鳍式电容器包括第一电极、第二电极及绝缘...
  • 本发明提供一种图像传感器,该图像传感器可以包括半导体衬底和像素隔离结构,半导体衬底具有彼此相对的第一表面和第二表面,像素隔离结构垂直地穿透半导体衬底并限定多个像素区。像素隔离结构可以包括与半导体衬底接触的侧壁绝缘图案、在侧壁绝缘图案上的导电...
  • 本申请涉及一种电池片的焊接方法、太阳能电池串和光伏组件。上述电池片的背面包括交替间隔设置的主栅电极和呈叉指状分布的细栅电极,细栅电极和与其极性相同的主栅电极相交,相交处记为金属接触点,细栅电极和与其极性相反的主栅电极之间设有绝缘胶;上述焊接...
  • 本申请涉及一种太阳电池及其制备方法。本申请的太阳电池的制备方法,包括如下步骤:提供一制绒后的硅衬底,硅衬底的表面具有氧化层;使用酸液对硅衬底进行刻蚀,去除部分氧化层,控制剩余氧化层的厚度为0.5nm~2nm,以剩余的氧化层作为防外延层;以包...
  • 本发明公开一种基于光刻工艺制备背接触太阳电池的方法,属于电池技术领域。制备方法包括步骤:S1、对n型单晶硅衬底进行双面抛光;S2、LPCVD及硼扩散处理;S3、链式光刻去除BSG;S4、碱刻蚀;S5、LPCVD及磷扩散处理;S6、链式光刻去...
  • 本申请提供了一种钝化膜层的制备方法、太阳电池的制备方法,钝化膜层的制备方法包括以下步骤:通过等离子体增强化学气相沉积法在硅片的表面上制备第一掺杂硅层,通过等离子体增强化学气相沉积法在第一掺杂硅层背离硅片的表面上制备第二掺杂硅层;其中,制备第...
  • 本申请公开了一种太阳电池及其制备方法和光伏组件,涉及光伏技术领域。本申请提供的太阳电池的制备方法通过分步对中部区域和边缘区域进行激光诱导接触处理,以使电极前驱体烧穿钝化层并形成与掺杂硅层接触的金属电极,在进行激光诱导接触处理的同时向所处理的...
  • 本发明涉及一种太阳电池及其制备方法。上述制备方法包括以下步骤:提供待镀电池片,所述待镀电池片包括电池片主体、种子层以及栅线,所述种子层设置在所述电池片主体上,所述栅线设置在所述种子层上;对所述待镀电池片的表面施加电场,在所述电场的作用下,通...
  • 本申请涉及一种电池串制备方法和电池串。所述方法包括:对待串焊的多个光伏电池分别进行热处理,对热处理之后的各光伏电池进行串焊处理,得到电池串。采用上述方法,可以提高电池的电学性能。
  • 本申请涉及一种太阳电池的制备方法、太阳电池。本申请的太阳电池的制备方法包括如下步骤:提供太阳电池主体结构,于太阳电池主体结构的表面上制备透明导电层;将透明导电层于水蒸气氛围中进行退火处理;于退火处理后的透明导电层远离太阳电池主体结构的表面上...
  • 本申请涉及一种太阳能电池中金属电极的制造方法及太阳能电池。该方法包括:提供电池片,使电池片的电极接触区域裸露;电极接触区域位于电池片的第一侧;于电池片的第一侧依序层叠金属种子层和掩膜前驱材料层;图案化掩膜前驱材料层,形成掩膜前驱层;掩膜前驱...
  • 本申请涉及一种电池片制作方法和电池片。所述方法包括:对基材进行加工处理,得到第一半成品;在第一半成品上沉积可焊接金属,得到可焊接金属层;可焊接金属层包括焊点区域和非焊点区域;去除非焊点区域的可焊接金属,得到第二半成品;在第二半成品上制备与焊...
  • 本发明公开了一种硅片制绒方法、太阳能电池的制备方法以及太阳能电池,涉及太阳能电池技术领域。硅片制绒方法先通过一次制绒清洗在硅片的正面形成由多个正梯形凸起组成的绒面,再通过二次制绒清洗在硅片的正面形成由多个倒梯形凸起组成的绒面。第一,能够提高...
  • 本发明属于光伏行业硅片清洗领域,公开了一种循环用水清洗机及其操作方法。清洗机构、氧化机构、漂洗机构的用水采用循环方式,清洗机构配设清洗进水水箱和清洗喷淋水箱,氧化机构配设氧化水箱,漂洗机构配设漂洗水箱和漂洗喷淋水箱;其中清洗进水水箱用于给清...
  • 本发明公开了含电镀栅线的太阳能电池及其制备方法和应用,涉及光伏技术领域。本发明在电镀栅线之前沉积边缘分离层,在电镀栅线之后可以剥离边缘分离层。由于边缘分离层与基体材料的结合力优于一般有机胶,使膜层不容易在物理作用力下被剥离,能够有效避免边缘...
  • 本申请关于一种光伏电池片的制备方法、光伏电池片及光伏组件,涉及光伏技术领域。其中,光伏电池片的制备方法可以包括:在硅基底上形成隧穿层,在隧穿层的背离硅基底的一侧沉积本征硅层,本征硅层包括第一区和第二区,第一区位于隧穿层和第二区之间,使第一区...
  • 本申请提供了一种选择性发射极的制备方法和太阳能电池,选择性发射极的制备方法包括:提供硅衬底,硅衬底包括交替分布的栅线区和非栅线区;在硅衬底的一面上依次形成第一氧化硅层、第一掺杂源层和掩膜;刻蚀第一氧化硅层、第一掺杂源层和掩膜,以形成暴露出栅...
  • 本申请公开了背接触电池的钝化方法、背接触电池和光伏组件。所述背接触电池的钝化方法包括:采用紫外激光分别对背接触电池背面的P区和N区进行激光处理,其中,作用于所述P区的紫外激光的功率密度高于作用于所述N区的紫外激光的功率密度,和/或,作用于所...
  • 本申请涉及硅片转移设备领域,尤其是涉及一种电池片料仓装卸机构,包括装卸平台,装卸平台的一侧布置有装片机械手,装卸平台的另一侧布置有移仓机械手,装卸平台上滑动设置有滑移座,装卸平台上设置有往复件,往复件用于驱动滑移座在装片机械手和移仓机械手之...
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