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最新专利技术
  • 凸块电镀方法
    凸块电镀方法_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202410980780.4
    本申请揭示了一种凸块电镀方法，包括：将晶圆置于电镀装置中，晶圆具有多个开口；向电镀装置提供一脉冲控制信号，以控制电镀装置在开口中电镀以形成凸块，在一个脉冲周期内，波峰持续时间t1大于波谷持续时间t2，且波峰持续时间t1和波谷持续时间t2都大...
    2026-03-08
  • 一种高性能铜基金属复合焊片及其制备方法
    一种高性能铜基金属复合焊片及其制备方法_华中科技大学_202511817928.3
    本发明公开了一种高性能铜基金属复合焊片及其制备方法，属于电子制造技术领域，一种高性能铜基金属复合焊片的制备方法，包括以下步骤：对三维多孔骨架铜片进行超声酸洗，再将其浸入电镀液中进行电化学沉积，形成铜基复合金属片；然后依次进行浸洗、干燥和压片...
    2026-03-08
  • 一种预植入有机膦化合物的合金-树脂基疏水膜及其制备方法
    一种预植入有机膦化合物的合金-树脂基疏水膜及其制备方法_中国民航大学_202511487647.6
    本发明提供了一种预植入有机膦化合物的合金‑树脂基疏水膜及其制备方法，包括如下步骤：将铝合金作为阳极，铂电极或石墨电极作为阴极，采用电解液，进行阳极氧化，得到阳极氧化的铝合金基底；将树脂和疏水氧化铝纳米颗粒溶于溶剂中，得到树脂基疏水前驱液，将...
    2026-03-08
  • 包括氧化钛层的钟表、珠宝或时尚配饰的外部部件
    包括氧化钛层的钟表、珠宝或时尚配饰的外部部件_鲁巴特尔和韦耶曼有限公司_202510975856.9
    本发明涉及装饰钟表、珠宝或时尚配饰的外部部件(10)的方法，包括以下步骤：‑通过在电压V1下对钛基材(100)的整个装饰面(101)进行阳极化来在所述装饰面(101)上形成氧化钛的第一干涉层(110)，‑加工第一干涉层(110)的一部分，以...
    2026-03-08
  • 一种钛金属表面通过相变诱导生成红色陶瓷膜层的原位制备方法
    一种钛金属表面通过相变诱导生成红色陶瓷膜层的原位制备方法_东北大学佛山研究生创新学院_202511672110.7
    本发明涉及钛金属表面处理技术领域，特别涉及一种钛金属表面通过相变诱导生成红色陶瓷膜层的原位制备方法。该方法利用含有Fe盐的电解液体系，在特定的微弧氧化条件下生成黑色陶瓷膜层，随后经热处理实现膜层颜色的转变，最终获得色泽均匀、色彩饱和度高的红...
    2026-03-08
  • 一种电解液及其应用、铜掺杂微弧氧化膜及制备方法
    一种电解液及其应用、铜掺杂微弧氧化膜及制备方法_华中科技大学_202511940583.0
    本发明属于合金表面改性技术领域，具体涉及一种电解液及其应用、铜掺杂微弧氧化膜及制备方法。本发明提供了一种电解液，包括复合铜源、成膜剂、表面活性剂、pH值调节剂和水；所述复合铜源包括可溶性铜盐和叶绿素铜钠。本发明以叶绿素铜络离子和铜离子作为电...
    2026-03-08
  • 一种解决纳米颗粒在微弧氧化电解液中团聚的方法
    一种解决纳米颗粒在微弧氧化电解液中团聚的方法_北京石油化工学院_202511824404.7
    本发明公开了一种解决纳米颗粒在微弧氧化电解液中团聚的方法，包括以下步骤：先对镁合金样品进行打磨和磷酸预处理，再以其为阳极，在含纳米二氧化钛的乙醇基电解液中进行阳极电沉积，使纳米颗粒预先固定在基体表面；之后将沉积有纳米颗粒的样品作为阳极，在硅...
    2026-03-08
  • 一种基于三协同效应阳极氧化制备异型扁铜线CuO陶瓷层的方法
    一种基于三协同效应阳极氧化制备异型扁铜线CuO陶瓷层的方法_西安理工大学_202511813311.4
    本发明公开了一种基于三协同效应阳极氧化制备异型扁铜线CuO陶瓷层的方法，步骤1，将扁铜线进行打磨抛光并去除表层的氧化膜，倒入无水乙醇完全浸没处理后的铜线，超声波清洗，去离子水化学洗涤后，烘干得到材料；步骤2，在磁子搅拌下，将NaOH加入到去...
    2026-03-08
  • 金属皮膜的成膜装置及其成膜方法
    金属皮膜的成膜装置及其成膜方法_丰田自动车株式会社_202510856313.5
    本发明提供一种金属皮膜的成膜装置，即使使用掩模材料反复进行成膜，也能够抑制掩模部分的塑性变形，形成期望的图案的金属皮膜。在掩模部分(65)形成有：根据规定的图案(P)贯穿掩模部分(65)而使网眼部分(64)露出的多个贯穿部分(68)；以及以...
    2026-03-08
  • 一种多台可编程电源控制方法、装置、设备及介质
    一种多台可编程电源控制方法、装置、设备及介质_苏州晶洲装备科技有限公司_202511727585.1
    本发明公开了一种多台可编程电源控制方法、装置、设备及介质。其中，该方法包括：当检测到目标电镀对象到达目标电镀位置时，获取目标电镀配方；其中，所述目标电镀配方包括多个电镀工序，所述目标电镀配方用于描述每个电镀工序的多个关键控制参数；确定所述多...
    2026-03-08
  • 一种传输挂具调节结构及电镀设备
    一种传输挂具调节结构及电镀设备_常州捷佳创精密机械有限公司_202511733302.4
    本发明提供一种传输挂具调节结构及电镀设备，其中传输挂具调节结构包括传输支架；一对侧挂架，活动安装于传输支架上，用于悬挂目标工件；挂架调节装置，安装于传输支架上，用于驱动一对侧挂架同步相向或相背平移运动并改变一对侧挂架的间距。本发明提供的挂具...
    2026-03-08
  • 一种用于电镀槽中高效均匀布气搅拌装置及工艺
    一种用于电镀槽中高效均匀布气搅拌装置及工艺_山东大学_202511823117.4
    本发明公开了一种用于电镀槽中高效均匀布气搅拌装置及工艺。涉及金属表面处理及电化学工程技术领域，包括：搅拌装置本体，搅拌装置本体的一侧设有进气口，搅拌装置本体上设有高分子膜，高分子膜的表面设有多个膜孔，搅拌装置本体内部设有单向流动控制结构，通...
    2026-03-08
  • 一种湿法刻蚀铜针尖的交流电化学制备方法
    一种湿法刻蚀铜针尖的交流电化学制备方法_黑龙江科技大学_202511888498.4
    本发明涉及金属针尖加工技术领域，一种湿法刻蚀铜针尖的交流电化学制备方法。包括以下步骤：刻蚀液的配置；设置刻蚀的参数条件；前期处理：在进行刻蚀之前需要将刻蚀的铜丝剪成若干小段，将铜丝作为刻蚀装置的阳极，将铂圈作为刻蚀装置的负极，将铜丝缓慢的插...
    2026-03-08
  • 一种通气基座孔内电解抛光批量上挂治具及其工作方法
    一种通气基座孔内电解抛光批量上挂治具及其工作方法_沈阳富创精密设备股份有限公司_202511598529.2
    本发明涉及表面处理电解抛光技术领域，具体涉及一种通气基座孔内电解抛光批量上挂治具及其工作方法。上挂治具包括主框架和辅助阴极组件；主框架包括阳极挂钩、阳极挂杆、阴极挂钩、阴极挂杆、连接杆、阳极连接板、阴极框架A、阴极框架B，辅助阴极组件包括阴...
    2026-03-08
  • 一种钙钛矿微晶及其制备方法和应用
    一种钙钛矿微晶及其制备方法和应用_中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司_202410975756.1
    本发明公开了一种钙钛矿微晶及其制备方法和应用，属于钙钛矿单晶制备技术领域。本发明公开的制备方法，采用碳酸丙烯酯和目标钙钛矿各原料制备前驱体混合物，随后通过简单的超声处理，就能在溶液中直接析出黑色的钙钛矿微晶，该方法操作简单，不需要添加有毒的...
    2026-03-08
  • 双层坩埚、使用其制备钙钛矿多晶料的方法和钙钛矿单晶的制备方法
    双层坩埚、使用其制备钙钛矿多晶料的方法和钙钛矿单晶的制备方法_同方威视技术股份有限公司_202511902466.5
    本发明提供一种双层坩埚，其包含外圆管状容器、内圆管状容器和T形圆柱塞。该双层结构可以解决将原料装入坩埚过程中造成的原料损失和比例失衡，实现以经济的方式用布里奇曼法工业化制备可用于常温核辐射探测用途的钙钛矿晶体。其还可以提供真空腔体作温度缓冲...
    2026-03-08
  • 碳化硅晶体生长装置
    碳化硅晶体生长装置_江苏集芯先进材料有限公司_202511480755.0
    本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置，所述碳化硅晶体生长装置包括：生长容器；粉料容器，所述粉料容器内适于容纳碳化硅粉，所述粉料容器设在所述生长容器内且所述粉料容器的外周面与所述生长容器的内周面之间具有容纳空间；导流筒，所述导流筒包括多个在周向...
    2026-03-08
  • 掺杂氧化物的LaB6多晶材料及其制备方法和应用
    掺杂氧化物的LaB6多晶材料及其制备方法和应用_天津蔚然新材料科技有限公司_202410967630.X
    本发明公开了一种掺杂氧化物的LaB66多晶材料及其制备方法和应用，所述制备方法包括：将六硼化镧和金属氧化物混合，球磨至均匀，干燥，得到第一粉末，所述金属氧化物为M的氧化物，M为Al、Zr和Ti；将第一粉末装入模具内，第一粉末居于模具中心位置...
    2026-03-08
  • 一种碳化硅晶片制造用退火装置
    一种碳化硅晶片制造用退火装置_江苏兑尚半导体科技有限公司_202511681791.3
    本发明涉及半导体材料制造技术领域，包括自动调节组件以及辅助调节组件，且公开了一种碳化硅晶片制造用退火装置，本发明通过自动调节组件以及辅助调节组件输入电流，当退火板表面所放置的碳化硅晶片退火稳定时间后，自动调节组件以及辅助调节组件控制碳化硅晶...
    2026-03-08
  • 一种基于等离子体辅助技术的工业硅表面改性方法
    一种基于等离子体辅助技术的工业硅表面改性方法_新疆东部合盛硅业有限公司_202511453950.4
    本发明涉及工业硅表面改性领域，公开了一种基于等离子体辅助技术的工业硅表面改性方法，包括以下步骤：(a)将工业硅基材置于等离子体处理设备的真空反应腔体中；(b)向所述真空反应腔体内通入由至少两种气体组成的多组分混合气体；(c)激发等离子体，并...
    2026-03-08
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