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最新专利技术
  • 具有场效应发射极的改进的X射线管
    具有场效应发射极的改进的X射线管_西门子医疗股份公司_202510951644.7
    一种X射线管，具有管体，管体气密地包围管容积。在管容积内设置有发射电极、栅电极和阳极。发射电极构成为不加热的电极，其在朝向栅电极的区域中具有多个设置在基底上的发射极针。发射极针和栅电极的设置相互匹配，使得通过在发射电极与栅电极之间施加发射电...
    2026-02-25
  • 一种芯片检测扫描电镜
    一种芯片检测扫描电镜_芯火微测(成都)科技有限公司_202511892073.0
    本发明公开了一种芯片检测扫描电镜，包括壳体，壳体内沿竖向设置有扫描电子显微镜装置、样品台，壳体内还倾斜设置有聚焦离子束装置，样品台包括底座以及可摆动地设置在底座上的第一平台，底座上设置有用于驱动第一平台发生偏转的偏转装置，底座上设置有连接座...
    2026-02-25
  • 自适应驻留时间显微镜
    自适应驻留时间显微镜_FEI公司_202510921715.9
    一种显微镜的自适应像素驻留时间使用方法包括：控制束源发射的射束按照扫描模式在样品表面进行扫描，使得所述射束可根据所述扫描模式在第一扫描位置与样品发生相互作用。在一些例子中，所述方法包括通过至少使用显微镜的检测器监测与样品的第一扫描位置相关的...
    2026-02-25
  • 扫描电镜
    扫描电镜_深圳市中图仪器股份有限公司_202511639051.3
    本申请涉及扫描电镜技术领域，更具体的说是涉及一种扫描电镜，包括安装架、电镜主体、抽真空机构、转接头、减振机构以及真空管结构，电镜主体包括镜筒和样品仓，抽真空机构用于对镜筒和样品仓同步抽真空；减振机构设置于安装架和电镜主体之间；转接头包括转接...
    2026-02-25
  • 一种高能离子注入机及方法
    一种高能离子注入机及方法_中国科学院近代物理研究所_202511773620.3
    本发明涉及一种高能离子注入机及方法，包括ECR离子源、分析磁铁、RFQ场加速器、多级加速单元阵列、能量分析磁铁、第一聚焦四极透镜、电扫描装置和平行化透镜；ECR离子源用于得到多电荷态混合离子束流；分析磁铁用于获得单一电荷态离子束流；RFQ场...
    2026-02-25
  • 管路清理装置、半导体工艺设备和尾排管路清理方法
    管路清理装置、半导体工艺设备和尾排管路清理方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202410917789.0
    本发明提供了一种管路清理装置、半导体工艺设备和尾排管路清理方法，涉及半导体加工技术领域，以解决尾排管路内附着副产物的问题。管路清理装置，应用于半导体工艺设备，管路清理装置包括电离组件以及气体输入组件，电离组件包括相对设置且相互之间绝缘设置的...
    2026-02-25
  • 一种半导体刻蚀设备及其控制方法
    一种半导体刻蚀设备及其控制方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202410918893.1
    本申请提供一种半导体刻蚀设备及其控制方法，半导体刻蚀设备包括离子源腔。离子源腔设置有电磁铁阵列结构，电磁铁阵列结构包括多个电磁铁单元以及支撑结构，多个电磁铁单元设置于所述支撑结构上。电磁铁阵列结构用于提供目标形状和目标强度的磁场，以利用目标...
    2026-02-25
  • 一种半导体刻蚀设备及其控制方法
    一种半导体刻蚀设备及其控制方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202410920069.X
    本申请提供一种半导体刻蚀设备及其控制方法，半导体刻蚀设备包括栅网和至少一个电磁线圈；栅网包括多个网孔，离子束可以通过栅网的网孔进行引出。电磁线圈围绕至少一个网孔或多个网孔环绕电磁线圈，至少一个电磁线圈用于提供目标形状和目标强度的磁场，以利用...
    2026-02-25
  • 用于半导工艺设备的射频系统的控制方法
    用于半导工艺设备的射频系统的控制方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202410939134.3
    本发明提供一种用于半导工艺设备的射频系统的控制方法，包括：在电源的第一输出功率下，完成阻抗匹配，获取匹配器的第一匹配状态；调节电源至第二输出功率，完成阻抗匹配，获取匹配器的第二匹配状态；比较匹配器在第一匹配状态下和第二匹配状态下的参数变化；...
    2026-02-25
  • 非接触式测量物体间距离的方法和系统
    非接触式测量物体间距离的方法和系统_上海集迦电子科技有限公司_202510298725.1
    提供了一种用于非接触式精准测量相对于邻近物体的位置的系统和方法。所述系统包括工件、至少一低高度组件和一中央控制单元；所述低高度组件包括指向第一方向并大致平行于工件表面的主轴，所述主轴与所述邻近物体的内表面相交；所述低高度组件还包括至少一投影...
    2026-02-25
  • 一种刻蚀装置和刻蚀方法
    一种刻蚀装置和刻蚀方法_中国科学院微电子研究所_202511135421.X
    本发明公开一种刻蚀装置和刻蚀方法，涉及工艺制造技术领域，以提高刻蚀装置对待刻蚀对象的刻蚀精度和刻蚀均匀性，提高刻蚀良率。刻蚀装置包括反应腔室、阻挡结构、等离子体激发源、供气结构和支撑结构。阻挡结构设置在反应腔室内，用于将反应腔室分隔为上腔室...
    2026-02-25
  • 半导体加工设备
    半导体加工设备_深圳市新凯来工业机器有限公司_202511286397.X
    本申请提供一种半导体加工设备，涉及半导体加工技术领域，用于解决相关技术中等离子体分布不均匀的问题，该半导体加工设备包括：等离子体腔室、环形柱状结构和调节机构，等离子体腔室内生成有处理待加工件的等离子体；环形柱状结构环绕于等离子体腔室的外周，...
    2026-02-25
  • 一种具有匀气盘冷却结构的刻蚀设备
    一种具有匀气盘冷却结构的刻蚀设备_江苏天芯微半导体设备有限公司_202511350244.7
    本发明公开了一种具有匀气盘冷却结构的刻蚀设备，包括刻蚀腔室、匀气盘、线圈壳体和匀气盘冷却结构。刻蚀腔室用于容纳晶圆并发生等离子体刻蚀反应；匀气盘设置在刻蚀腔室上端，用于向刻蚀腔室输送反应气体；线圈壳体设置在匀气盘上端，用于容纳线圈；匀气盘冷...
    2026-02-25
  • 一种半导体刻蚀设备
    一种半导体刻蚀设备_江苏天芯微半导体设备有限公司_202511453052.9
    本发明公开了一种半导体刻蚀设备，包括工艺腔室、下电极腔室、升降机构和晶圆边缘压环。升降机构包括密封腔、导杆组件、支撑组件、驱动组件、导向组件。密封腔连接于下电极腔室的外壁，二者内部空间连通。所述导杆组件上下两端分别与驱动组件与支撑组件连接，...
    2026-02-25
  • 双模射频匹配网络选择系统及方法
    双模射频匹配网络选择系统及方法_拓荆科技(上海)有限公司_202511476711.0
    本发明公开了双模射频匹配网络选择系统及方法。所述系统包括：包括输入功率检测单元、开关切换单元、π型匹配网络以及T型匹配网络；输入功率检测单元与电源连接，且输入功率检测单元与开关切换单元连接；开关切换单元分别与π型匹配网络以及T型匹配网络连接...
    2026-02-25
  • 等离子体处理装置及等离子体处理方法
    等离子体处理装置及等离子体处理方法_东京毅力科创株式会社_202511547653.6
    公开的等离子体处理装置具备腔室、基板支承器、高频电源、偏置电源及控制部。偏置电源构成为周期性地将脉冲状的负极性的直流电压施加到基板支承器。控制部构成为控制高频电源。控制部为了降低来自高频电源的负载的反射波的功率电平，控制高频电源，以使在对基...
    2026-02-25
  • 一种用于远程等离子氧化设备的腔体结构及其使用方法
    一种用于远程等离子氧化设备的腔体结构及其使用方法_盛吉盛半导体科技(北京)有限公司_202511648534.X
    本发明公开了一种用于远程等离子氧化设备的腔体结构及其使用方法，其属于半导体设备技术领域，所述腔体结构包括凹陷的腔体，所述腔体内壁设有氧原子复合系数小于第一阈值的镀膜，所述腔体的侧壁上开设有等离子入口和传片口，所述腔体的底面上方固定设有金属环...
    2026-02-25
  • 电喷雾离子源设备
    电喷雾离子源设备_广东智普生命科技有限公司_202511387249.7
    本发明提供了电喷雾离子源设备，通过在电离腔中设置介电屏蔽结构，削弱在第二方向上背离所述样品气体的电场分量，以抑制高压喷雾毛细管的尖端产生回流积液并稳定电喷雾，采用本发明的设备，能够防止毛细管的尖端在电场的作用下产生回流积液，使液滴能够稳定发...
    2026-02-25
  • 一种高通量真空紫外光源装置
    一种高通量真空紫外光源装置_中国科学院大学_202511857265.8
    本发明公开了一种高通量真空紫外光源装置，属于高端分析仪器部件技术领域，包括射频功率放大激发机构、散热机构、放电介质气体气路机构、真空密封机构和发光机构，射频功率放大激发机构与发光机构相连接，发光机构一端与放电介质气体气路机构相连接，另一端与...
    2026-02-25
  • 一种高压引燃的长寿命宽光谱等离子体灯
    一种高压引燃的长寿命宽光谱等离子体灯_中国科学院合肥物质科学研究院_202511864098.X
    本发明提供一种高压引燃的长寿命宽光谱等离子体灯，涉及射频微波等离子体光源的领域，其中，采用外部的高压模块输出高压脉冲信号，输入灯泡顶部的两端，高压模块放电产生高压引燃信号，灯泡内部的气体被击穿，产生初始等离子体，微控制器控制射频微波功率信号...
    2026-02-25
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