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最新专利技术
  • 具有带有低折射率的有机涂层的分层半导体器件
    具有带有低折射率的有机涂层的分层半导体器件_OTI公司_202480038984.4
    光电子器件包括阳极、阴极和设置在阳极和阴极之间的至少一个半导体层。该至少一个半导体层包括低折射率层。该低折射率层包括低折射率材料和较高折射率材料的混合物。该低折射率层在可见光谱的至少一个子范围内的吸收系数为不超过约0.1、0.08、0.06...
    2026-01-15
  • 发光元件和包括该发光元件的显示装置
    发光元件和包括该发光元件的显示装置_三星显示有限公司_202480039551.0
    提供了发光元件和包括该发光元件的显示装置。发光元件包括：第一半导体层、活性层和第二半导体层，顺序地堆叠；第一绝缘层，围绕第二半导体层、第一半导体层的侧表面、活性层的侧表面和第二半导体层的侧表面以及第一半导体层的上表面，并且设置有在第一半导体...
    2026-01-15
  • 防水型紫外线发光模块
    防水型紫外线发光模块_斯坦雷电气株式会社_202480030782.5
    提供一种防水型紫外线发光模块，其能够防止LED裸片因水分而劣化，并且还能够防止因热而劣化。在安装基板(20)上搭载有紫外线LED封装体(10)。透镜(40)具备穹顶状的透镜主体(41)以及凸缘部(42)。在盖体(50)与壳体(30)之间夹着...
    2026-01-15
  • 用于共封装光学器件的电光发射器和接收器集成电路(芯粒)及其操作方法
    用于共封装光学器件的电光发射器和接收器集成电路(芯粒)及其操作方法_电光-IC股份有限公司_202480038933.1
    公开了一种包括光发射器和光接收器的电光集成电路，其中单片集成的电吸收调制激光器(EML)可以在发射器模式和接收器模式下双向操作。提供了用于激光器和电吸收调制器(EAM)的垂直堆叠波导。激光器和EAM通过横向锥形垂直光耦合器进行光学耦合。EM...
    2026-01-15
  • 有机发光元件
    有机发光元件_九州有机光材股份有限公司_202480039152.4
    使用了下述通式的化合物和硼化合物的有机发光元件的发光特性优异。R11～R55为H、D、烷基、芳基、非稠环咔唑‑9‑基、被Ar33和Ar44取代的三嗪基等，R22或R33为所述三嗪基等，且R11～R55中的1个以上为非稠环咔唑‑9‑基；X11...
    2026-01-15
  • 发光器件、显示面板、电子装置
    发光器件、显示面板、电子装置_京东方科技集团股份有限公司_202480000654.6
    提供了一种发光器件、显示面板、电子装置。发光器件包括：阳极；第一发光单元，位于阳极上并且包括第一发光层；以及第二发光单元，位于第一发光单元远离阳极的一侧并且包括第二发光层。第一发光层与第二发光层发射相同颜色的光，阳极与第一发光层之间的距离为...
    2026-01-15
  • 元件、显示装置、电子零件、半导体装置、感光性组合物
    元件、显示装置、电子零件、半导体装置、感光性组合物_东丽株式会社_202480035187.0
    本发明的目的在于提供一种具有在获得所期望的电流密度时能够实现低电压驱动的优异的发光特性并且发光元件的可靠性优异的显示装置。此外，目的在于提供一种耐迁移性优异的电子零件或半导体装置。本发明为一种元件，其依序具有基板、导电性无机层、及绝缘性树脂...
    2026-01-15
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001180.7
    一种显示面板，具有显示区和围绕所述显示区的周边区，周边区包括第一子区和第二子区，第一子区和第二子区分别位于显示区在第一方向上的两侧；所述显示面板包括：衬底；层叠设置于所述衬底一侧的至少两个导电层；至少一条第一信号线，所述第一信号线的至少部分...
    2026-01-15
  • 有机发光显示装置
    有机发光显示装置_雅世电子科技有限公司_202480036291.1
    有机发光显示装置可以包括：基板上的子像素之间的堤；子像素处的阳极电极；有机发光层，其配置于阳极电极和堤上，包括空穴注入层；阴极电极，其配置于有机发光层上，相接于空穴注入层的末端；以及堤的边缘区域处的阻断结构。有机发光层可以具有对应于所述阻断...
    2026-01-15
  • 有机EL显示装置
    有机EL显示装置_东丽株式会社_202480033182.4
    本发明涉及长期可靠性及弯折可靠性高的有机EL显示装置。本发明的有机EL显示装置为具备在基材上具有第一电极、像素分割层的基板、有机EL层及第二电极的有机EL显示装置，在从该像素分割层表面朝向基材方向的20nm以上100nm以下的范围内利用飞行...
    2026-01-15
  • 有机发光显示设备及其制造方法
    有机发光显示设备及其制造方法_周星工程股份有限公司_202480037918.5
    本公开提供一种有机发光显示设备，其包括：基板；阳极，阳极设置在基板上；有机发光层，有机发光层设置在阳极上；阴极，阴极设置在有机发光层上；辅助电极层，辅助电极层设置在阴极上，其中，辅助电极层包括第一层、第二层和第三层，第一层设置在阴极上，第二...
    2026-01-15
  • 磁性体及绝缘体的双层膜、隧穿磁阻元件及磁存储器
    磁性体及绝缘体的双层膜、隧穿磁阻元件及磁存储器_JSR株式会社_202480038270.3
    磁性体及绝缘体的双层膜具有含有六方晶的结晶结构、且至少一面为反铁磁性体的(10‑10)面的反铁磁性层、以及层叠在其(10‑10)面上的包含两种或三种或者四种原子的绝缘体层。磁性体及绝缘体的双层膜具有含有六方晶的结晶结构、且至少一面为反铁磁性...
    2026-01-15
  • 电容结构及其制备方法和射频设备
    电容结构及其制备方法和射频设备_京东方科技集团股份有限公司_202580000394.7
    本公开提供一种电容结构，其中，包括基底，和沿远离基底的方向依次叠置在基底一侧的第一电极、介质层和第二电极；第一电极和第二电极中的至少一者包括沿远离基底的方向依次叠置的第一子层、第二子层和第三子层，其中，第一子层具有第一边缘部分，第三子层具有...
    2026-01-15
  • 使用基于单体的牺牲材料剥离进行图案化
    使用基于单体的牺牲材料剥离进行图案化_BAE系统信息和电子系统集成有限公司_202480037409.2
    一种方法，其包括在一层的多个第一区段上形成多个第一材料岛。该层的多个第二区段未经该第一材料覆盖。该方法进一步包括将第二材料沉积在(i)该第一材料岛及(ii)该层的未经该第一材料岛覆盖的第二区段上。该方法进一步包括蒸发和/或升华该第一材料岛及...
    2026-01-15
  • 用于逻辑和存储器应用的无孔隙沟槽填充方法
    用于逻辑和存储器应用的无孔隙沟槽填充方法_朗姆研究公司_202480038648.X
    以介电材料填充间隙包括在沉积期间使用抑制等离子体。抑制等离子体会增加沉积膜的成核屏障。抑制等离子体选择性地在特征的顶部附近产生作用，与特征的底部相比，抑制在特征的顶部的沉积，从而增强由下而上的填充。
    2026-01-15
  • 氧化物半导体及其制造方法、p型氧化物半导体以及功率器件
    氧化物半导体及其制造方法、p型氧化物半导体以及功率器件_国立大学法人东海国立大学机构_202480038539.8
    本发明涉及一种氧化物半导体的制造方法，具有：向包含氧化镓的半导体层的表面附近将过渡金属的离子进行离子注入的步骤、以及将经离子注入的上述半导体层在含氧的气氛中进行热处理的步骤。
    2026-01-15
  • 等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法
    等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法_东京毅力科创株式会社_202480036574.6
    一种等离子体蚀刻装置，具备：腔室；气体供给部，其向所述腔室供给气体；以及控制部，其中，所述气体供给部具备：气体箱，其供给所述气体；气体扩散室，来自所述气体箱的所述气体在所述气体扩散室的内部扩散，所述气体扩散室将所述气体导入到所述腔室；以及排...
    2026-01-15
  • Si基材料的选择性原子层蚀刻
    Si基材料的选择性原子层蚀刻_东京毅力科创株式会社_202480038548.7
    一种处理衬底的方法，该方法包括：在包含硅的衬底上形成包含金属和氧的光致抗蚀剂层；使用极紫外(EUV)光刻工艺图案化该光致抗蚀剂层，在该图案化之后暴露该衬底的一部分；以及进行原子层蚀刻(ALE)工艺以相对于该图案化光致抗蚀剂层选择性地蚀刻该衬...
    2026-01-15
  • 处理液、被对象物的处理方法、半导体器件的制造方法
    处理液、被对象物的处理方法、半导体器件的制造方法_富士胶片株式会社_202480035461.4
    本发明提供一种在适用于具有实施了化学机械研磨处理的铜表面的被对象物时铜的腐蚀少且铜表面上的有机残渣的去除性优异的处理液、及使用上述处理液的被对象物的处理方法、及半导体器件的制造方法。本发明的处理液包含阴离子性聚合物、膦酸化合物及含有羟基的羧...
    2026-01-15
  • 半导体装置的制造方法及暂时固定用层叠体
    半导体装置的制造方法及暂时固定用层叠体_株式会社力森诺科_202480002367.9
    本发明公开一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法具备：准备暂时固定用层叠体的工序，所述暂时固定用层叠体从支承部件依次具有支承部件、光吸收层及包含热固性树脂成分的固化物的暂时固定材料层；将半导体部件隔着光吸收层及暂时固定材料层暂时固...
    2026-01-15
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