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最新专利技术
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202511471484.2
    半导体装置具备：半导体芯片，具有形成元件的半导体衬底、形成在半导体衬底的一面的第1主电极及形成在半导体衬底的背面的第2主电极；第1散热部件及第2散热部件，第1散热部件配置在一面侧，与第1主电极连接，第2散热部件配置在背面侧，与第2主电极连接...
    2026-01-21
  • 一种基板堆叠封装的信号垂直互联结构及装配方法
    一种基板堆叠封装的信号垂直互联结构及装配方法_成都芯智星河科技有限公司_202511583024.9
    本发明涉及微系统封装技术领域，具体而言，涉及一种基板堆叠封装的信号垂直互联结构及装配方法，主要包括第一基板和第二基板，第一基板与第二基板之间垂直设置有连接单元，连接单元的一端与所述第一基板上表面的电极连接，另一端与第二基板的上表面的电极连接...
    2026-01-21
  • 一种基于2.5D封装的三路SiC并联功率模块及其制备方法
    一种基于2.5D封装的三路SiC并联功率模块及其制备方法_西安电子科技大学_202511347798.1
    本发明公开了一种基于2.5D封装的三路SiC并联功率模块及其制备方法，属于SiC功率模块均流技术领域。制备方法包括：准备PCB板、SiC芯片等组件；焊接DBC基板与AlN散热基板；将多个SiC芯片并联焊接于DBC基板；通过Matlab结合自...
    2026-01-21
  • 一种避免超小间距自动键合干涉的方法及装置
    一种避免超小间距自动键合干涉的方法及装置_中国电子科技集团公司第十研究所_202511328316.8
    本发明公开了一种避免超小间距自动键合干涉的方法及装置，涉及电子装备制造技术领域。本发明通过非对称劈刀结构、强化学习路径优化及高频微位移线夹设计，解决了深腔碰撞、金丝干扰及热定位偏差等问题，显著提升了电子装备小型化键合的精度与可靠性。
    2026-01-21
  • 共源共栅半导体器件及其制造方法
    共源共栅半导体器件及其制造方法_安世有限公司_202511443704.0
    本公开涉及一种离散共源共栅半导体器件以及相关的制造方法，该器件包括：高电压耗尽型器件管芯，其具有布置在其第一主表面上的栅极端子、源极端子和漏极端子；低电压增强型器件管芯，其具有形成在其第一主表面上的栅极端子和源极端子以及形成在与第一主表面相...
    2026-01-21
  • 一种金属焊盘的形成方法
    一种金属焊盘的形成方法_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511482435.9
    本申请公开了一种金属焊盘的形成方法，其包括：提供待形成金属焊盘的半导体结构，在半导体结构上形成牺牲层；在牺牲层上形成具有第一开口的光刻胶层；以光刻胶层为掩膜刻蚀牺牲层，以在牺牲层中形成第二开口，其中，第二开口的面积大于第一开口的面积，第一开...
    2026-01-21
  • 磁控塑封方法及磁控塑封装置
    磁控塑封方法及磁控塑封装置_长电科技(宿迁)有限公司_202511142883.4
    本发明涉及一种磁控塑封方法及磁控塑封装置。所述磁控塑封方法包括如下步骤：放置具有导电连接线的待塑封结构至塑封模腔内；传输液态塑封料至所述塑封模腔内，形成塑封模流，并向所述塑封模腔内施加引流磁场和抑制磁场，所述引流磁场引导所述塑封模流沿所述塑...
    2026-01-21
  • 一种超微型芯片去层方法
    一种超微型芯片去层方法_北京亦庄季峰检测技术有限公司_202511257368.0
    本申请涉及芯片技术领域，提供了一种超微型芯片去层方法。该方法包括：将超微型芯片的衬底层固定在芯片去层装置的芯片放置区域中；对超微型芯片进行表面处理，以去除超微型芯片的钝化层以及中间层的第N金属组件的第2N阻挡层和第N金属层；使用研磨工具对中...
    2026-01-21
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511306191.9
    方法包括：提供包括导电路径的中介层结构；在中介层结构上方形成连接至导电路径的微凸块；将第一管芯和第二管芯接合至微凸块上；在第一管芯和第二管芯上方和周围形成模塑料；实施平坦化工艺以暴露第二管芯的顶面；在模塑料中形成沟槽以暴露第一管芯的顶面；在...
    2026-01-21
  • 一种基于树脂框架的高密度封装方法
    一种基于树脂框架的高密度封装方法_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511390598.4
    本发明公开一种基于树脂框架的高密度封装方法，属于半导体封装领域。提供树脂基材，在树脂基材中形成圆形通孔，在圆形通孔中填充金属形成垂直金属柱；在树脂基材中形成开槽区域得到树脂框架；将树脂框架贴装至载片上，载片带有可剥离薄膜；将芯片贴装至树脂框...
    2026-01-21
  • 一种电子元器件封接封装玻璃粉梯度填充装置
    一种电子元器件封接封装玻璃粉梯度填充装置_江苏虹普电子材料科技有限公司_202511443287.X
    本发明涉及电子元器件封接技术领域，公开了一种电子元器件封接封装玻璃粉梯度填充装置，包括，送料组件、引流组件和填充组件，同时还提出了一种电子元器件封接封装玻璃粉梯度填充方法，包括如下步骤；设备准备与玻璃粉进料；玻璃粉输送与导流汇聚；玻璃粉梯度...
    2026-01-21
  • 一种塑封方法及塑封系统
    一种塑封方法及塑封系统_合肥通富微电子有限公司_202511676112.3
    本公开实施例提供一种塑封方法及塑封系统，该方法包括：将中间芯片封装体放置于承载平台；将芯片盖板移动盖设于芯片区域；通过撒粉装置将塑封料粉末撒落在芯片盖板的表面以在非芯片区域形成第一塑封粉末层；通过激光固化装置对第一塑封粉末层进行固结形成第一...
    2026-01-21
  • 芯片封装结构和电子设备
    芯片封装结构和电子设备_华为技术有限公司_202410897836.X
    提供一种芯片封装结构和电子设备，涉及半导体封装技术领域，用于解决芯片封装结构易发生翘曲和变形等问题，使芯片封装结构具有较优的结构稳定性。该芯片封装结构包括：第一芯片以及包裹第一芯片的封装材料；层叠设置于第一芯片一侧的第一重布线层和第一介质层...
    2026-01-21
  • 一种针式功率模块及其注塑模具
    一种针式功率模块及其注塑模具_上海道之科技有限公司_202511382015.3
    本发明公开一种插针式功率模块，包括：DBC板、分别焊接在所述DBC板顶部两侧的两引线框架和焊接在所述DBC板顶部的若干信号针座；还包括：注塑体，所述注塑体包覆至所述DBC板的四周、顶部以及两所述引线框架的其中一部分的外部，所述注塑体的两侧均...
    2026-01-21
  • 一种塑封功率半导体模块
    一种塑封功率半导体模块_常州芯动能半导体有限公司_202511364876.9
    本发明公开了一种塑封功率半导体模块，包括散热底板、绝缘基板、芯片、信号控制部件、功率端和材质为环氧树脂的塑封件，散热底板一面为散热面且相对的另一面设有多个第一焊接面，绝缘基板一面为第二焊接面且相对的另一面为电路图案面，各第一焊接面分别与第二...
    2026-01-21
  • 一种芯片封装结构的制备方法及芯片封装结构
    一种芯片封装结构的制备方法及芯片封装结构_湖南志浩航精密科技有限公司_202511605450.8
    本发明涉及芯片散热技术领域，公开了一种芯片封装结构的制备方法及芯片封装结构。该芯片封装结构的制备方法包括以下步骤：提供基板和芯片，将芯片安装于基板；提供中层板材，对中层板材进行第一次切削加工成型操作，得到具有中空状的中层框架；提供底层板材，...
    2026-01-21
  • 一种芯片封装体的制备方法及芯片封装体
    一种芯片封装体的制备方法及芯片封装体_湖南志浩航精密科技有限公司_202511605454.6
    本发明涉及芯片散热技术领域，公开了一种芯片封装体的制备方法及芯片封装体。该制备方法包括以下步骤：提供基板和芯片，将芯片安装于基板；提供散热盖板，对散热盖板的底端面进行第一次切削加工成型操作，形成第一腔体和第二腔体，得到散热盖；将散热盖进行表...
    2026-01-21
  • 一种基于SIP架构的微波变频组件及其制造方法
    一种基于SIP架构的微波变频组件及其制造方法_扬州宇安电子科技股份有限公司_202511450566.9
    本发明属于微波通信技术领域，公开了一种基于SIP架构的微波变频组件及其制造方法，包括：采用系统级封装技术将多个功能裸芯片集成于第一金属屏蔽腔体内的射频单元；容纳于第二金属屏蔽腔体内的本振单元；以及控制板；本振单元垂直设于射频单元之上，控制板...
    2026-01-21
  • 半导体组件中的角部应力减小
    半导体组件中的角部应力减小_力特半导体(无锡)有限公司_202410905405.3
    用于半导体器件中的角部应力减小的半导体组件、封装结构和相关方法。该组件包括多个半导体裸片和多个间隔件。多个间隔件中的每个间隔件被设置在多个半导体裸片中的两个半导体裸片之间，并且被配置为分离多个半导体裸片中的两个半导体裸片。多个间隔件中的至少...
    2026-01-21
  • 一种MOS管倒装芯片封装结构及其封装方式
    一种MOS管倒装芯片封装结构及其封装方式_江西誉鸿锦电子技术有限公司_202511453886.X
    本发明涉及MOS管倒装芯片封装领域，特别涉及一种MOS管倒装芯片封装结构及其封装方式。包括底板组件，所述底板组件上安装有第一封装组件；本发明中增强型E模MOS芯片固定在MOS芯片独立固晶区，增强型E模MOS芯片源极焊盘、漏极焊盘和栅极焊盘与...
    2026-01-21
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