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最新专利技术
  • 一体式碳化硅晶体生长装置及方法
    一体式碳化硅晶体生长装置及方法_通威微电子有限公司_202511791038.X
    本发明提供了一种一体式碳化硅晶体生长装置及方法，涉及半导体技术领域，将碳化硅的粉料合成和晶体生长集成在一套设备和工艺里完成，通过在坩埚盖和坩埚体的基础上增设隔离件，可以组成不同形态的坩埚结构，先让坩埚体、隔离件以及坩埚盖从下到上依次连接，坩...
    2026-03-22
  • 一种在晶圆上生长外延层的方法和芯片
    一种在晶圆上生长外延层的方法和芯片_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202410874545.9
    本申请涉及半导体领域，公开了一种在晶圆上生长外延层的方法和芯片，包括：当外延上新机台或者沉积腔室预护性维护后，获得表面沉积有第一外延层的晶圆；第一外延层的中心区域厚度大于边缘区域厚度；刻蚀第一外延层形成刻蚀后外延层；刻蚀时沉积腔室的温度小于...
    2026-03-22
  • 一种用于分子束外延设备的源料回收系统及方法
    一种用于分子束外延设备的源料回收系统及方法_湖南烁科晶磊半导体科技有限公司_202511743442.X
    本发明公开了一种用于分子束外延设备的源料回收系统及方法，该源料回收系统用于回收高蒸气压的源料，包括预收集单元和终回收单元，预收集单元包括第一冷屏和第二冷屏，第一冷屏嵌套在分子束外延设备的生长腔室内，第二冷屏嵌套在第一冷屏内，以用于冷凝吸附外...
    2026-03-22
  • 石墨基座和发光二极管的制备方法
    石墨基座和发光二极管的制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511257652.8
    本公开提供了一种石墨基座和发光二极管的制备方法，属于外延生长技术领域。该石墨基座的表面具有多个开口，所述多个开口包括位于所述石墨基座的中心区域的多个内圈孔和位于所述石墨基座的周边边缘的多个外圈孔，多个所述外圈孔环绕多个所述内圈孔；所述外圈孔...
    2026-03-22
  • 进气装置、碳化硅外延生长结构及控制方法
    进气装置、碳化硅外延生长结构及控制方法_河北普兴电子科技股份有限公司_202511191011.7
    本发明提供一种进气装置、碳化硅外延生长结构及控制方法，属于半导体加工技术领域。利用进气装置中双进气阀、双孔道、互不相通的气体通路设计，实现生长气体与保护气体的物理隔离输送；再基于流量控制器和双进气阀，实现对生长气体与保护气体流量的精准调节，...
    2026-03-22
  • 一种外延氧化镓薄膜的方法、β相氧化镓薄膜及应用
    一种外延氧化镓薄膜的方法、β相氧化镓薄膜及应用_镓国科技(常州)有限责任公司_202511475158.9
    本发明提供一种外延氧化镓薄膜的方法、β相氧化镓薄膜及应用，该方法包括：(1)将六方碳化硅衬底置于沉积区内；(2)将沉积区的温度升温至450~750℃，向沉积区内输入氧源和镓源，在六方碳化硅衬底的表面外延生长ε相氧化镓薄膜，外延生长时间为1~...
    2026-03-22
  • 晶圆传送装置及外延设备
    晶圆传送装置及外延设备_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511203726.X
    本公开涉及晶圆传送装置及外延设备。在一方面中，提供了一种用于外延设备的晶圆传送装置，该晶圆传送装置包括：叶片，承载晶圆，并且叶片能够在外延设备的工艺腔室的外部与内部之间移动；加热元件，设置于叶片；以及控制器，电连接至加热元件，控制器控制加热...
    2026-03-22
  • 碳化硅薄膜外延生长过程控制方法
    碳化硅薄膜外延生长过程控制方法_江苏汉印机电科技股份有限公司_202511223675.7
    本发明公开了一种碳化硅薄膜外延生长过程控制方法，本发明涉及半导体材料制备技术领域，本发明通过在反应室集成紫外、可见、近红外三段光谱成像模块，同步采集衬底表面光信号并进行校准与预处理，得到多光谱图像；利用改进U‑Net模型分割缺陷区域并提取形...
    2026-03-22
  • 石墨烯单晶晶圆的制备方法
    石墨烯单晶晶圆的制备方法_北京石墨烯研究院_202410917637.0
    本发明公开一种石墨烯单晶晶圆的制备方法，包括：在蓝宝石单晶晶圆表面沉积铜钴合金层，经过退火重结晶后得到铜钴(111)单晶晶圆；以所述铜钴(111)单晶晶圆作为生长衬底外延生长石墨烯单晶晶圆；以及在维持石墨烯生长气氛的条件下，降低体系的温度使...
    2026-03-22
  • 一种无应力残余的GaN厚膜制备方法及其应用
    一种无应力残余的GaN厚膜制备方法及其应用_镓特半导体科技(铜陵)有限公司_202511288902.4
    本发明公开了一种无应力残余的GaN厚膜制备方法及其应用，其特征是：包括：(1)、提供一异质衬底；(2)、利用MOCVD沉积一层低温GaN，且在过程中掺杂Si、C、或O的其中一种掺杂源，形成预应力掩埋层；(3)、利用PECVD或磁控溅射技术在...
    2026-03-22
  • 一种GaN/陶瓷衬底异质结构复合材料及其制备方法和应用
    一种GaN/陶瓷衬底异质结构复合材料及其制备方法和应用_南京师范大学_202511487966.7
    本发明涉及半导体材料与器件制备技术领域，特别是涉及一种GaN/陶瓷衬底异质结构复合材料及其制备方法和应用。在衬底1上制备界面缓冲层，在所述界面缓冲层上制备GaN薄膜层，得到异质结构材料；将陶瓷衬底2进行抛光，得到抛光陶瓷衬底2；将异质结构材...
    2026-03-22
  • 一种衬底涂覆金刚石粉提升MPCVD金刚石多晶沉积的方法
    一种衬底涂覆金刚石粉提升MPCVD金刚石多晶沉积的方法_安徽尤品新材料有限公司_202511381552.6
    本发明公开了一种衬底涂覆金刚石粉提升MPCVD金刚石多晶沉积的方法，属于微波等离子体化学气相沉积技术领域。本发明在MPCVD异质外延生长过程中，对生长衬底表面进行金刚石粉涂覆的预处理，改变通入MPCVD设备的氧气、二氧化碳、氮气量，提升不同...
    2026-03-22
  • 一种具有荧光磁性的非线性光学晶体及其制备方法和应用
    一种具有荧光磁性的非线性光学晶体及其制备方法和应用_河南省科学院半导体研究所_202511617518.4
    本发明属于非线性光学晶体材料领域，具体涉及一种非线性光学晶体及其制备方法和应用。所述非线性光学晶体的化学式为Zn44EuO(BO33)33，属于单斜晶系，空间群为Cm，晶胞参数为α＝90°，β＝100.193°，γ＝90°。本发明的晶体同时...
    2026-03-22
  • 一种生长稀土梯度掺杂氟化物激光晶体的方法
    一种生长稀土梯度掺杂氟化物激光晶体的方法_中国科学院上海硅酸盐研究所_202511396997.1
    本发明涉及一种生长稀土梯度掺杂氟化物激光晶体的方法，属于晶体生长技术领域。针对稀土掺杂氟化物晶体中稀土离子浓度分布难以实现人为设计或调控的技术问题，本发明采用包含上装料仓、下装料仓以及连通两者且在竖直方向上延伸的单晶生长通孔的微孔坩埚。首先...
    2026-03-22
  • 一种铒镧共掺无序钼酸钇锶钠激光晶体及其制备方法和应用
    一种铒镧共掺无序钼酸钇锶钠激光晶体及其制备方法和应用_长春理工大学_202511699052.7
    本发明提供了一种铒镧共掺无序钼酸钇锶钠激光晶体的制备方法与应用，属于激光晶体领域。本发明要解决在生长过程中出现熔体粘度较大并伴随显著挥发，生长的晶体出现开裂严重的问题。激光晶体的分子式为：NaSrY1‑x‑y1‑x‑yErxxLayy(Mo...
    2026-03-22
  • 半导体晶体制造装置
    半导体晶体制造装置_株式会社电装_202510751477.1
    半导体晶体制造装置(1)，对于配置在真空容器(6)内的基座(9)配置由半导体构成的晶种(5)，通过向该晶种供给半导体的原料气体(3)而在该晶种的表面进行晶体生长，具备：加热装置(13、14)，包含对配置在真空容器内的加热物(7、10、20)...
    2026-03-22
  • 一种4H碳化硅晶体的生长方法及相关产品
    一种4H碳化硅晶体的生长方法及相关产品_深圳市重投天科半导体有限公司_202511692554.7
    本申请公开了一种4H碳化硅晶体的生长方法及相关产品，可应用于碳化硅单晶生长技术领域，该方法包括：首先将第一籽晶和第一碳化硅原料放入生长炉中；第一籽晶为4H‑SiC单晶。然后向生长炉中通入第一预设流量的氮气，同时进行升温；升温结束后向生长炉中...
    2026-03-22
  • 一种碳化硅晶体的生长装置、碳化硅晶体及其生长方法
    一种碳化硅晶体的生长装置、碳化硅晶体及其生长方法_北京天科合达半导体股份有限公司_202511742980.7
    本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，尤其涉及一种碳化硅晶体的生长装置、碳化硅晶体及其生长方法。本发明通过将籽晶、石墨筒固定，仅原料向下提拉的方式，将原料由温场中部的中温区逐渐往温场下部的高温区移动。在生长初期原料充足，原料在中温区内也能得到分...
    2026-03-22
  • 一种大尺寸、低电阻率的4H-SiC单晶晶棒及4H-SiC单晶衬底
    一种大尺寸、低电阻率的4H-SiC单晶晶棒及4H-SiC单晶衬底_上海天岳半导体材料有限公司_202511853539.6
    本申请公开了一种大尺寸、低电阻率的4H‑SiC单晶晶棒及4H‑SiC单晶衬底，属于4H‑SiC单晶制备技术领域。所述4H‑SiC单晶晶棒的厚度在15mm以上，所述4H‑SiC单晶晶棒在任意位置处的电阻率均大于6mΩ·cm且小于12mΩ·cm...
    2026-03-22
  • 基于液相法的碳化硅晶体生长工艺及预压设备
    基于液相法的碳化硅晶体生长工艺及预压设备_常州臻晶半导体有限公司_202511854458.8
    本发明属于碳化硅单晶生长领域，具体涉及基于液相法的碳化硅晶体生长，尤其涉及一种基于液相法的碳化硅晶体生长工艺及预压设备。其中，基于液相法的碳化硅晶体生长工艺，通过预压设备对配料进行压实，从而减少配料间的孔隙，从而减少配料熔融过程中气体释放的...
    2026-03-22
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