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最新专利技术
  • 一种抑制比增强的日盲紫外探测器及其制备方法
    一种抑制比增强的日盲紫外探测器及其制备方法_苏州镓敏光电科技有限公司_202511843357.0
    本发明提供了一种抑制比增强的日盲紫外探测器及其制备方法，属于半导体紫外光电探测器件技术领域。包括自下而上设置的蓝宝石衬底层、i型AlN缓冲层、i型AlGaN过渡层、重掺杂欧姆接触层、低掺杂光吸收层和p型GaN欧姆接触层，p型GaN欧姆接触层...
    2026-01-20
  • 半导体封装件及制造半导体封装件的方法
    半导体封装件及制造半导体封装件的方法_三星电子株式会社_202510317217.3
    提供了一种半导体封装件和制造半导体封装件的方法。一种半导体封装件，包括：第一芯片结构，在第一基底上；以及第一模制层，在第一基底上围绕第一芯片结构，其中，第一芯片结构包括：第一芯片，在第一基底上包括光子集成电路；第二芯片，在第一芯片上包括电子...
    2026-01-20
  • 一种散热组件及其制备方法和应用
    一种散热组件及其制备方法和应用_纾酷科技(深圳)有限公司_202511313953.8
    本申请公开了一种散热组件及其制备方法和应用，涉及光伏技术领域，所述散热组件包括依次叠设的保护层、凝胶层和基底层，所述凝胶层包括聚丙烯酰胺/氯化钙复合材料和聚丙烯酰胺/氯化锂复合材料中的至少一种。本申请提供的散热组件兼具高透光性和高散热性能，...
    2026-01-20
  • 一种背接触太阳能电池及其制备方法
    一种背接触太阳能电池及其制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511193722.8
    本发明公开了一种背接触太阳能电池及其制备方法，该电池包括：硅基体，包括背光面和与背光面相对的受光面，硅基体的背光面形成交替设置的凸起和凹槽；隧穿钝化层和掺杂多晶硅层，隧穿钝化层设于凸起的表面，掺杂多晶硅层设于隧穿钝化层背离硅基体的表面；以及...
    2026-01-20
  • 一种晶硅太阳能电池的绒面结构、晶硅太阳能电池和光伏组件
    一种晶硅太阳能电池的绒面结构、晶硅太阳能电池和光伏组件_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511462751.X
    本发明属于太阳能电池技术领域，涉及一种晶硅太阳能电池的绒面结构、晶硅太阳能电池和光伏组件。所述绒面结构包括若干个第一金字塔结构；至少一个所述第一金字塔结构中的至少一条棱线由至少两段子棱线线段拼接形成，且所述棱线拼接处的棱线线段的端点之间具有...
    2026-01-20
  • 太阳能电池、其制作方法以及光伏组件
    太阳能电池、其制作方法以及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511473621.6
    本申请提供了一种太阳能电池、其制作方法以及光伏组件，涉及光伏领域。该太阳能电池包括：衬底，包括相对的第一表面和第二表面，第一表面具有凹槽，凹槽外周的第一表面上、凹槽的底面上以及凹槽的侧面上分别具有微结构，多个微结构包括：第一锥状结构、第二锥...
    2026-01-20
  • 发光二极管及发光二极管制备方法
    发光二极管及发光二极管制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511167728.8
    本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。方法包括：在衬底上制作外延结构；在外延结构上形成锡球电极；在锡球电极上形成保护结构，保护结构包括第一保护层和第二保护层，第一保护层覆盖锡球电极，第二保护层覆盖第一保护层，第一保护层的硬度大于锡...
    2026-01-20
  • 分区成膜缓冲层制备方法、图形化复合衬底及其制备方法
    分区成膜缓冲层制备方法、图形化复合衬底及其制备方法_广东中图半导体科技股份有限公司_202511398854.4
    本发明实施例公开了一种分区成膜缓冲层制备方法、图形化复合衬底及其制备方法。该制备方法包括：提供图形化衬底；图形化衬底表面的三维图形具有倾斜侧壁，相邻三维图形之间具有间隙平面；形成氩离子积聚层，利用氩离子之间的排斥作用，轰击图形化衬底，使倾斜...
    2026-01-20
  • 垂直LED芯片及其制备方法
    垂直LED芯片及其制备方法_江西耀驰科技有限公司_202511852384.4
    本发明公开了一种垂直LED芯片及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。垂直LED芯片的制备方法包括以下步骤：S1、提供外延片；S2、依次形成透明导电层、SiO2掩膜层和光刻胶层；S3、将第一预设区域内的SiO2掩膜层、透明导电层去除；S4、去...
    2026-01-20
  • 改善刻蚀异常的发光二极管及其制备方法
    改善刻蚀异常的发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511120713.6
    本公开提供了一种改善刻蚀异常的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括外延层、复合阻挡层和反射镜层，所述反射镜层和所述外延层分别位于所述复合阻挡层的相反两个表面上，所述外延层在所述复合阻挡层的远离所述外延层的表面的正...
    2026-01-20
  • 一种Micro-LED微显示芯片及其制作工艺
    一种Micro-LED微显示芯片及其制作工艺_苏州芯聚半导体有限公司_202511507523.X
    本发明涉及半导体显示技术领域，公开了一种Micro‑LED微显示芯片及其制作工艺，包括下基板；在所述下基板的顶部设置有键合金属层；在所述键合金属层的顶部设置有金属反射镜；在所述金属反射镜的顶部设置有分布式布拉格反射镜；在所述分布式布拉格反射...
    2026-01-20
  • 半导体外延结构及其制备方法
    半导体外延结构及其制备方法_海信视像科技股份有限公司_202511242187.0
    本申请的实施例公开了一种半导体外延结构及其制备方法，涉及半导体的技术领域。半导体外延结构包括衬底、缓冲层以及牺牲层。缓冲层层叠设置于衬底的一侧，牺牲层层叠设置于缓冲层远离衬底的一侧。牺牲层远离缓冲层的一侧用于承载发光芯片。其中，缓冲层的热导...
    2026-01-20
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_天津三安光电有限公司_202511419226.X
    本申请提供一种发光二极管及发光装置，在半导体外延叠层的堆叠方向上，与焊盘区域对应的电流扩展层的表面形成有透明导电层，该透明导电层与电流扩展层具有良好的粘附性，在打线过程中对焊盘施加压力时，不会出现界面分离等坑洞现象，能够显著提高发光二极管的...
    2026-01-20
  • 发光二极管
    发光二极管_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511124293.9
    本公开提供了一种发光二极管。所述发光二极管包括：外延结构、第一电极层、反射层和第二电极层；第一电极层包括多个第一电极和多个第二电极，多个第一电极和多个第二电极均匀间隔分布在外延结构的表面，第一电极与外延结构中的第一半导体层连接，第二电极与外...
    2026-01-20
  • 发光元件、制造发光元件的方法和包括发光元件的电子装置
    发光元件、制造发光元件的方法和包括发光元件的电子装置_三星显示有限公司_202510914658.1
    本公开涉及发光元件、制造发光元件的方法以及包括发光元件的电子装置。提供了发光元件，该发光元件包括：发光堆叠构件，包括第一半导体层、第二半导体层和有源层，第一半导体层包括掺杂有具有第一导电类型的掺杂剂的金属氮化物，第二半导体层包括掺杂有具有与...
    2026-01-20
  • 发光元件和显示装置
    发光元件和显示装置_三星显示有限公司_202510916656.6
    本公开涉及发光元件和显示装置。发光元件包括：第一半导体层，掺杂有N型掺杂剂；第二半导体层，设置在第一半导体层上并且掺杂有P型掺杂剂；有源层，设置在第一半导体层与第二半导体层之间；电极层，设置在第二半导体层上；以及多层绝缘膜，围绕有源层的至少...
    2026-01-20
  • 发光二极管及发光二极管制备方法
    发光二极管及发光二极管制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511168973.0
    本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。发光二极管包括：外延结构和钝化层；钝化层覆盖外延结构，钝化层远离外延结构的表面具有周期性排布的锥形结构；锥形结构的垂直于外延结构的表面的截面的侧边为曲线，曲线的函数表达式如下：y＝ax2+bx...
    2026-01-20
  • 一种光电微结构及其制备方法
    一种光电微结构及其制备方法_福州大学_202511404185.7
    本发明涉及一种光电微结构及其制备方法，所述光电微结构包括衬底、设置于所述衬底上的发光层、设置于所述发光层的光波导层、设置于光波导层的光发射窗口、以及设置于光波导层上的光反射层。其中，发光层发射的光经过光波导层和光反射层的传输，通过纳米尺度的...
    2026-01-20
  • 基于钝化层和侧壁金属层的Micro-LED芯片及制备方法
    基于钝化层和侧壁金属层的Micro-LED芯片及制备方法_武汉市精微科技有限公司_202511405154.3
    本发明公开了一种基于钝化层和侧壁金属层的Micro‑LED芯片及制备方法，Micro‑LED芯片，包括设置在衬底上的LED结构和电极结构，以及LED结构表面依次设置的第一钝化层和介质层，介质层的一侧设置有金属层；LED结构依次包括第一半导体...
    2026-01-20
  • 一种高压微显示芯片结构及制造方法
    一种高压微显示芯片结构及制造方法_昆山麦沄显示技术有限公司_202511493808.2
    本申请公开了一种高压微显示芯片结构及制造方法，属于Micro LED显示领域，旨在解决传统低压芯片需外部驱动、现有高压芯片绝缘复杂、离子注入粗糙、金属线路可靠性低及衬底复用率低的问题；结构含外延结构、第一离子注入阻隔层、第二离子注入阻隔层、...
    2026-01-20
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