Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种细晶高纯大规格铝平面靶的制备方法
    一种细晶高纯大规格铝平面靶的制备方法_安徽纬科材料科技有限公司_202511798583.1
    本发明公开了一种细晶高纯大规格铝平面靶的制备方法，包括热加工、冷轧、退火处理及表面处理。通过多道次横向和纵向轧制结合快速冷却，破碎铝锭粗大柱状晶，诱发动态再结晶并抑制二次粗化，形成内部致密铝板坯；冷轧与中间退火引入高密度位错网络，增强静态再...
    2026-03-11
  • 一种金刚石系中波红外复合窗口及其制备方法
    一种金刚石系中波红外复合窗口及其制备方法_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202410844829.3
    本发明公开了一种金刚石系中波红外复合窗口及其制备方法，该金刚石系中波红外复合窗口包括：在红外光学材料的双面分别镀上第一增透膜得到光学材料A；在金刚石光学材料的双面分别镀上第二增透膜得到光学材料B；通过面贴合叠加光学材料A和光学材料B得到光学...
    2026-03-11
  • 处理PVD设备的挡板的方法
    处理PVD设备的挡板的方法_SPTS科技有限公司_202411525590.X
    根据本发明，提供一种处理PVD设备的挡板的方法，其包括以下步骤：提供PVD设备，其包括腔室、靶材、定位在所述腔室中的衬底支撑件及在所述腔室内可部署以将所述腔室划分为其中定位所述衬底支撑件的第一隔间及其中定位所述靶材的第二隔间的挡板；提供其上...
    2026-03-11
  • 一种磁控溅射镀膜机的均匀性调整工具
    一种磁控溅射镀膜机的均匀性调整工具_湖南艾科威半导体装备有限公司_202511783412.1
    本发明属于磁控溅射镀膜技术领域，具体涉及一种磁控溅射镀膜机的均匀性调整工具，包括同轴线的工具座盘、探针节和探针头；工具座盘呈圆盘形；探针头的一端呈锥形，并通过若干探针节与工具座的中心相连；工具座盘可拆卸的安装到磁控溅射镀膜机的溅射靶头的溅射...
    2026-03-11
  • 一种C轴择优取向YAlN薄膜及其制备方法与应用
    一种C轴择优取向YAlN薄膜及其制备方法与应用_中国科学院赣江创新研究院_202511784393.4
    本发明提供了一种C轴择优取向YAlN薄膜及其制备方法与应用。所述制备方法包括：(1)将衬底置于抽真空的腔体中，加热衬底至离子注入温度；(2)向腔体中通入第一气体至腔体内的气压至第一工作压力，对衬底表面进行离子注入处理；(3)向所述腔体中通入...
    2026-03-11
  • 一种强韧氮化钼基防护涂层及其制备方法与应用
    一种强韧氮化钼基防护涂层及其制备方法与应用_广东省科学院新材料研究所_202511794630.5
    本发明公开了一种强韧氮化钼基防护涂层及其制备方法与应用，属于防护涂层技术领域。该强韧氮化钼基防护涂层包括MoXN层；按原子百分数计，MoXN层中包括60%~75%的Mo和7%~15%的X，余量为N；其中，X包括Ti、Zr、V、Nb中的至少一...
    2026-03-11
  • 一种金属氢化物表面钛基阻氢涂层结构的制备方法和应用
    一种金属氢化物表面钛基阻氢涂层结构的制备方法和应用_内蒙古工业大学_202511812360.6
    本发明公开一种金属氢化物表面钛基阻氢涂层结构的制备方法和应用，该涂层结构由金属氢化物基体和钛基阻氢层组成，钛基阻氢层覆盖在金属氢化物基体表面；钛基阻氢层的化学组成成分为氮化钛。其制备方法为：步骤(1)、将金属氢化物基材依次进行打磨处理、化学...
    2026-03-11
  • 一种边发射半导体激光器镀膜用陪条装置
    一种边发射半导体激光器镀膜用陪条装置_浙江慧目科技有限公司_202511398392.6
    本发明公开了一种边发射半导体激光器镀膜用陪条装置，其包括基座和立板，基座内开设有第一导气腔，基座背离立板的一侧设有氮气储存装置，氮气储存装置出气管与第一导气腔相连通，基座上端面设有若干陪条，陪条内开设有第二导气腔，陪条包括直板部和固定连接于...
    2026-03-11
  • 一种冷却装置、上下料方法及镀膜设备
    一种冷却装置、上下料方法及镀膜设备_江苏先导微电子科技有限公司_202511480255.7
    本申请公开了一种冷却装置、上下料方法及镀膜设备，冷却装置包括冷却盘部件、驱动机构和交接机构；冷却盘部件的表面用于接收并冷却工件；驱动机构用于驱动冷却盘部件升降；交接机构包括顶针组件和顶起组件，顶针组件用于与活动至预设位置的冷却盘部件发生接触...
    2026-03-11
  • 一种用于真空、高温和粉尘条件下的观察窗
    一种用于真空、高温和粉尘条件下的观察窗_北京北方华创真空技术有限公司_202410860268.6
    本申请提供一种用于真空、高温和粉尘条件下的观察窗，包括：工作腔体、闪频腔体和闪频组件，工作腔体一侧开设有可视狭缝，工作腔体上设置有调节器，调节器用于调整可视狭缝的尺寸；闪频腔体设置于工作腔体一侧，且闪频腔体一侧与可视狭缝连通，另一侧设置有观...
    2026-03-11
  • 一种晶圆对中寻边系统及方法
    一种晶圆对中寻边系统及方法_芯材芯(苏州)半导体科技有限公司_202311476487.6
    本发明涉及一种晶圆对中寻边系统及方法，首先采集晶圆的旋转角度数据及半径数据，并对每次采集到的该旋转角度数据及该半径数据计算晶圆的中心坐标，再剔除异常的晶圆中心坐标，然后对正常的晶圆中心坐标进行最小二乘法，确定精确的晶圆中心坐标并确定切角位置...
    2026-03-11
  • 一种基于大板模式下的玻璃镀膜控制方法
    一种基于大板模式下的玻璃镀膜控制方法_天津旗滨节能玻璃有限公司_202511386970.4
    本发明涉及磁控溅射镀膜技术领域，公开了一种基于大板模式下的玻璃镀膜控制方法，包括以下步骤：S1、对磁控溅射镀膜系统的硬件布局进行优化，取消清洗机出口处的过渡台二，将其缓存功能合并至进口对位台，仅保留过渡台一和进口对位台；S2、建立真空腔体提...
    2026-03-11
  • 一种优化PVD预溅射的腔体结构
    一种优化PVD预溅射的腔体结构_安徽熙泰智能科技有限公司_202511397135.0
    本发明涉及薄膜制备技术领域，公开了一种优化PVD预溅射的腔体结构，包括溅射腔室、背板、靶材、防着板、进气口和孔洞；溅射腔室的底部设有用于穿过进气口的孔洞，背板、靶材和防着板均设置在溅射腔室的内部，背板的上表面设置靶材，防着板设置在背板和靶材...
    2026-03-11
  • 一种多晶金刚石薄膜生成方法、系统、终端及存储介质
    一种多晶金刚石薄膜生成方法、系统、终端及存储介质_深圳优普莱等离子体技术有限公司_202511770963.4
    本发明属于金刚石培育技术领域，公开了一种多晶金刚石薄膜生成方法、系统、终端及存储介质，所述方法包括：确定目标MPCVD设备，并对所述目标MPCVD设备中的反应腔体进行腔体清洗处理和起辉处理，得到目标反应腔体；确定目标形核配方，并根据所述目标...
    2026-03-11
  • 一种用于刻蚀设备的碳化硅聚焦环及其制备方法
    一种用于刻蚀设备的碳化硅聚焦环及其制备方法_北京亦盛精密半导体有限公司_202511351638.4
    本申请涉及刻蚀设备零部件的技术领域，具体涉及一种用于刻蚀设备的碳化硅聚焦环及其制备方法。该制备方法为：利用化学气相沉积法对石墨基体进行碳化硅沉积，获得碳化硅坯体，以碳化硅坯体为坯体材料进行外形加工，即得碳化硅聚焦环；沉积参数如下：单位MTS...
    2026-03-11
  • 一种适用于钛合金加工的涂层刀具及其制备方法
    一种适用于钛合金加工的涂层刀具及其制备方法_赣州澳克泰工具技术有限公司_202511796578.7
    本申请属于切削刀具生产制造领域，具体涉及一种适用于钛合金加工的涂层刀具及其制备方法，所述涂层刀具从内向外依次包括：增韧基体、CrN涂层、Cr‑B‑N涂层、CrB2/CraAlbNc涂层和(CrxAlyBz)N涂层，所述CrB2/CraAlb...
    2026-03-11
  • 碳化硅炉管制备方法及炉管安装结构
    碳化硅炉管制备方法及炉管安装结构_西安隆基乐叶光伏科技有限公司_202511286635.7
    本申请属于镀膜设备技术领域，尤其是涉及一种碳化硅炉管制备方法及炉管安装结构。该炉管安装结构包括炉体、炉管以及法兰组件。炉体内形成有沿炉体的轴向贯穿的炉体腔，且炉体的轴向一端为炉体口；炉管沿轴向穿入于炉体腔且内形成有炉管腔，炉管的轴向一端为炉...
    2026-03-11
  • 一种集成型半导体反应腔室
    一种集成型半导体反应腔室_靖江嘉昇和真空技术有限公司_202511626491.5
    本发明涉及半导体反应腔室相关技术领域，一种集成型半导体反应腔室，包括壳体，所述壳体的底部安装有底板，所述底板的底部安装有调节机构，且调节机构的顶部安装有托料盘，所述底板的顶部安装有转动机构，所述壳体的内壁安装有清洁机构；通过设置调节机构使得...
    2026-03-11
  • 一种适用于高粘度前驱体的源瓶
    一种适用于高粘度前驱体的源瓶_合肥安德科铭半导体科技有限公司_202511474311.6
    本发明公开了一种适用于高粘度前驱体的源瓶，涉及半导体薄膜沉积领域，包括：瓶体、瓶盖、进气管以及出气管；瓶盖通过螺栓可拆卸安装在瓶体上的开口处，瓶体内置高粘度前驱体，进气管和出气管分别插接在瓶盖上并伸入瓶体内，通过歧管结构和多个出气口将单股载...
    2026-03-11
  • 一种原子层沉积设备及沉积方法
    一种原子层沉积设备及沉积方法_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202410843600.8
    本发明公开了一种原子层沉积设备及沉积方法，其中，原子层沉积设备包括：反应腔；主进气管路，所述主进气管路的第一端连通反应气源，第二端连通反应腔；控压管路，其第一端连通主进气管路，第二端连通气泵；惰性气体管路，其第一端连通惰性气体气源，第二端连...
    2026-03-11
首页 上一页 8 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证