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  • 本申请涉及光电器件技术领域,具体涉及硅基钙钛矿叠层电池的制备方法、电荷传输层处理装置。本申请硅基钙钛矿叠层电池的制备方法,包括以下步骤:提供硅基底电池,将多片所述硅基底电池装载到载具中;硅基底电池具有相背设置的第一表面和第二表面;将装载有硅...
  • 哌嗪衍生物抑制钙钛矿碘迁移并修饰薄膜制备太阳能电池的方法,其属于钙钛矿太阳能电池的技术领域。该方法是将哌嗪衍生物用于钙钛矿层和电子传输层之间,使其具备修饰钙钛矿薄膜,抑制碘迁移的功能。通过将哌嗪衍生物溶液旋涂在钙钛矿表面得到修饰的钙钛矿吸光...
  • 一种掺杂甘氨酸衍生物的空穴传输层及其制备及应用方法,利用甘氨酸盐中的氨基(‑NH2)可以与Me‑4PACz的极性基团相作用,助力与Me‑4PACz在溶液中与在氧化镍表面的分散的同时,选择的其衍生物上所含有的苯环可以有助于空穴传输层的电子传导...
  • 本发明公开了一种钙钛矿薄膜的制备方法包括:S0:准备衬底;S1:配制钙钛矿前驱体溶液;S2:配制掺杂的反溶剂,向反溶剂中掺杂羰基‑甲基类聚合物得到掺杂的反溶剂;S3:将钙钛矿前驱体溶液涂覆于衬底表面,在衬底表面形成湿膜;S4:对S3得到的湿...
  • 本发明提供了一种钙钛矿薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括:在衬底的界面层表面上涂覆钙钛矿前驱体溶液,得到钙钛矿湿膜;采用反溶剂萃取钙钛矿湿膜前驱体中的配体溶剂,得到所述钙钛矿薄膜;其中,所述钙钛矿前驱体溶液中包括配体溶剂,所述反溶剂包...
  • 本发明涉及有机电致发光显示技术领域,具体涉及一种高效OLED显示器件及其制备方法。本发明所提供的一种高效OLED显示器件的制备方法是通过氟羟基化改性聚酰亚胺、选用双功能液晶分子及协同工艺,使制备得到的OLED显示器件载流子迁移率较传统器件提...
  • 本发明属于柔性OLED显示模组制造领域,具体是一种柔性OLED显示模组全自动贴附设备,包括压膜组件,压膜组件包括压膜架一和压膜架二,压膜架二包括传送架、两个定位架和多个定位支腿,多个定位支腿阵列分布在传送架上;压膜架一上的多个定位支腿,与压...
  • 一种用于制造面板的设备,包括:第一工艺室,在第一工艺室中,第一无机层沉积在基板上以覆盖设置在基板上的显示元件层;第二工艺室,接收在其上沉积有第一无机层的基板,从而在第一无机层上印刷有机层;第三工艺室,接收在其上印刷有有机层的基板,从而在有机...
  • 本发明是关于一种具有三维互穿网络结构的钙钛矿薄膜及其制备方法和应用。其由钙钛矿和弹性体聚合物在三维空间中相互贯穿构成;所述弹性体聚合物由弹性体寡聚物通过原位交联反应制得。所要解决的技术问题是如何提供一种具有三维互穿网络结构的钙钛矿薄膜,在钙...
  • 实施方式提供了发光元件和包括发光元件的电子装置。发光元件包括第一电极、设置在第一电极上的空穴传输区、设置在空穴传输区上的发光层、设置在发光层上的电子传输区、设置在电子传输区上的第二电极以及设置在空穴传输区和发光层之间和/或设置在发光层和电子...
  • 一种利用梯度阻挡层连接SiGe热电材料与电极的方法,涉及一种连接SiGe热电材料与电极的方法。为了解决SiGe热电材料与电极连接的连接温度高易造成热电材料的性能损伤、连接过程存在元素扩散的问题。本发明通过在阻挡层中添加金属元素,实现阻挡层与...
  • 本发明提供一种叠层压电全电极结构的制备方法,包括如下步骤:根据随机行走原理和步骤4的测量和计算结果,能够得到第给N条电极的期望位置位于范围内;为保证激光蚀刻后第N条电极材料为裸露,激光蚀刻宽度要大于由于厚度不均导致的累积偏差值,并小于2倍的...
  • 本发明涉及压电式传感器技术领域,具体涉及一种基于压电式加速度传感器的内部电路连接方法。该方法通过优化传感器内部结构布局和电气连接方式,摒弃了传统焊接工艺,采用金属面接触导通与电路板焊盘直接连接的设计。主要包括:利用导电胶体将压电陶瓷正极通过...
  • 提供能够提高生产率的安装体、超声波传感器及重叠输送检测装置。电路基板(100)具备与电路部(110)电连接的第一布线层(130),元件基板(200)具备:第一基板(210)、振动板(240)、压电元件、第二基板(220)以及与压电元件电连接...
  • 一种制造半导体器件的方法包括:提供衬底,该衬底限定逻辑区域和存储器区域;在逻辑区域和存储器区域上沉积底部电极层;在底部电极层上方沉积磁隧道结(MTJ)层;在MTJ层上方沉积第一导电层;在第一导电层上方沉积牺牲层;蚀刻存储器区域中的牺牲层,以...
  • 本申请提供了一种磁性隧道结单元、磁存储器和电子设备。该磁性隧道结单元包括:衬底、至少一第一自由层和间隔层;第一自由层位于衬底的一侧,第一自由层包括稳定层和多个子自由层,稳定层位于相邻的子自由层之间,稳定层的材料包括非磁金属材料或者磁性材料;...
  • 本公开提供了一种半导体结构、其制备方法、存储器及电子设备。该半导体结构包括磁性隧道结以及电压增强叠层,电压增强叠层叠置于磁性隧道结的一侧,电压增强叠层包括层叠设置的电介质层和负电容层。其能够在施加电压不变的情况下增强电压调控磁各向异性效应,...
  • 本公开涉及包括量子点的半导体器件及制造方法。一种半导体器件可以包括:第一电极;位于第一电极上的切换层;位于切换层上的储氧层;位于储氧层上的第二电极;以及位于第一电极和切换层之间的量子点。
  • 本发明涉及忆阻器技术领域,提出一种基于氧化锌铝的柔性宽光谱光电忆阻器的制备方法及其在神经形态视觉系统中的应用。制备方法包括以下步骤:将带有氧化铟锡的柔性基底清洗后作为底电极;在氩氧比1 : 1气氛下利用氧化锌铝靶经射频溅射形成下层富氧功能层...
  • 本发明涉及一种向下落的植物繁殖材料(K)施加拌种剂组合物的方法,该方法包括:‑ 通过第一传感器检测自由下落的植物繁殖材料;‑ 确定触发时间(ta),并且触发施加器设备(330)以朝向预定材料命中区(T)排出拌种剂组合物的等分试样(D);‑ ...
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