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最新专利技术
  • 全自动流转SMT产线
    全自动流转SMT产线_浦江三思光电技术有限公司_202511531155.2
    本发明提供一种全自动流转SMT产线，解决了现有技术电子产品生产线自动化程度不足导致的效率低以及不良风险增加的问题；其包括：上料单元以及若干上料托盘，上料单元包括上料架、上料机构、上料机械臂，若干上料托盘放置于上料架内，工件放置于上料托盘内；...
    2026-01-12
  • 半导体结构及其制备方法、半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体结构及其制备方法、半导体器件及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410788895.3
    本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、半导体器件及其制备方法、电子设备。该半导体结构的制备方法包括：提供一衬底，衬底的一侧形成有有效器件、互连结构和绝缘结构，互连结构用于电连接有效器件，绝缘结构覆盖互连结构和有效器件；进行图形化处理，形成...
    2026-01-12
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子设备
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410796662.8
    半导体器件及其制造方法、电子设备，半导体器件包括：多个存储单元，分布于不同层沿着垂直衬底方向堆叠；存储单元包括沿第一方向分布的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管包括沿第一方向延伸的第一栅电极、环绕第一栅电极的第一半导体层和背栅电极；第二晶体...
    2026-01-12
  • 存储器及其制造方法、存储器系统
    存储器及其制造方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410797035.6
    本公开提供了一种存储器及其制造方法、存储器系统，所述存储器包括导电层、至少一个存储阵列和至少一个第一接触结构；其中，所述存储阵列和所述第一接触结构位于所述导电层沿第一方向相对的两侧中的同一侧；所述第一方向为所述导电层的厚度方向；所述存储阵列...
    2026-01-12
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410797820.1
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，所述制造方法包括：在衬底上形成图案化的堆叠结构，堆叠结构包括交替堆叠的第一绝缘层和导电层，导电层包括位线和导电部，每个导电部被一个通孔贯穿，位于第一绝缘层的通孔的孔径大于位于导电层的...
    2026-01-12
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_华邦电子股份有限公司_202411040109.8
    本申请提供一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括衬底、位线结构、第一衬层及第一气隙。位线结构设置于衬底上，且具有第一侧表面及相对于第一侧表面的第二侧表面。第一衬层设置于位线结构上，且包括第一子衬层及第二子衬层。第一子衬层设置于第一侧表面...
    2026-01-12
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_福建省晋华集成电路有限公司_202511111542.0
    半导体存储装置，包括衬底，包括第一绝缘层，第一绝缘层包括第一部分和第二部分，衬底具有阵列区和周围区；多个有源区，位于阵列区，第一部分位于多个有源区之间；第二绝缘层，位于周围区；以及第二部分，位于有源区和第二绝缘层之间；至少一埋入式字线，延伸...
    2026-01-12
  • 记忆体装置及其形成方法
    记忆体装置及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510318809.7
    一种记忆体装置及其形成方法，记忆体装置包括多个记忆体单元、第一互连结构及第二互连结构。记忆体单元中的每一个用以存储数据位元。第一互连结构可操作地用作位元线且耦合至记忆体单元中的每一个。第二互连结构可操作地用以承载电源电压且耦合至记忆体单元中...
    2026-01-12
  • 半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202411046699.5
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域。该半导体结构包括：层叠设置的第一堆叠结构和第二堆叠结构，第一堆叠结构包括第一叠层结构和多个第一连接部。第一连接部沿层叠方向贯穿第一叠层结构，第一叠层结构包括...
    2026-01-12
  • 半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202411046715.0
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域。该半导体结构包括：层叠设置的第一堆叠结构和第二堆叠结构，第一堆叠结构包括第一叠层结构和多个支撑部。第二堆叠结构包括第二叠层结构和多个沟道结构，沟道结构沿层叠...
    2026-01-12
  • 存储单元、存储器及其制备方法、电子设备
    存储单元、存储器及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410764330.1
    一种存储单元，包括：沿平行于衬底的第一方向排布的第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括：第一栅极、第二栅极和第一半导体层。第一栅极沿垂直于衬底的第二方向延伸，第二栅极和第一半导体层沿第一方向延伸。第一栅极部分环绕第一半导体层，第一半导体层部...
    2026-01-12
  • 半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202410976332.7
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域。该半导体结构包括：第一堆叠结构。第一堆叠结构包括多个沟道结构以及层叠设置的第一叠层结构、第一中间结构和第二叠层结构。第一中间结构叠置于第一叠层结构与第二叠层...
    2026-01-12
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_长江存储科技有限责任公司_202410978555.7
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在改善由于增加沟道结构的长度导致沟道结构中电流强度弱的问题。该半导体器件包括：沿第一方向依次层叠设置的第一堆叠结构、源极层和第二堆叠结构，以及沟道结构。其中，沟道结构贯穿第一...
    2026-01-12
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统、电子设备
    半导体器件及其制备方法、存储系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202411075351.9
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在改善第一位线与第二位线分别连接电路导致成本较高的问题。该半导体器件包括：沿第一方向层叠设置的第一堆叠结构和第二堆叠结构、第一位线、第二位线和第一栅极隔离...
    2026-01-12
  • 半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统
    半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411118066.0
    本申请实施方式提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法、存储器和存储系统，其中，半导体结构包括第一叠层结构、第二叠层结构、半导体层和沟道结构；第一叠层结构包括第一栅极层和第一选择栅，第一栅极层沿第一方向位于第一选择栅的一侧；第二叠层结构沿...
    2026-01-12
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_长江存储科技有限责任公司_202411158625.0
    本申请实施例提供了一种半导体器件及其制作方法；其中，该半导体器件包括：层叠设置的第一堆叠结构、半导体层和第二堆叠结构；第一沟道结构，贯穿第一堆叠结构，包括第一沟道层；第二沟道结构，贯穿第二堆叠结构，包括第二沟道层；连接结构，贯穿半导体层，包...
    2026-01-12
  • 半导体装置和包括半导体装置的电子系统
    半导体装置和包括半导体装置的电子系统_三星电子株式会社_202510581331.7
    提供了半导体装置和电子系统。半导体装置包括：基底；栅电极，在基底上；栅极绝缘膜，在基底与栅电极之间；沟槽，限定在基底、栅极绝缘膜和栅电极内；衬膜，在沟槽内，并且沿栅极绝缘膜的侧表面的至少一部分延伸，其中，衬膜与沟槽的下表面间隔开；以及绝缘层...
    2026-01-12
  • 一种11比特浮栅存储器及其制备方法
    一种11比特浮栅存储器及其制备方法_河南省科学院半导体研究所_202511312930.5
    本发明属于无机半导体纳米材料技术领域，具体公开了一种11比特浮栅存储器及其制备方法。所述11比特浮栅存储器包括：基底层；设置在基底层之上的浮栅层，设置在浮栅层之上的隧穿/阻挡复合层，非邻接平行设置在隧穿/阻挡复合层之上的沟道层和控制栅极，以...
    2026-01-12
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统、电子设备
    半导体器件及其制备方法、存储系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202410982899.5
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在改善第一位线与第二位线使用较多金属线导致成本较高的问题。该半导体器件包括：沿第一方向依次层叠设置的第一堆叠结构、源极层和第二堆叠结构，第一位线和第二位线...
    2026-01-12
  • 存储器件及其制作方法、存储器系统
    存储器件及其制作方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202411319696.4
    本申请实施例提供了一种存储器件及其制作方法、存储器系统；其中，该存储器件包括：层叠设置的多个第一堆叠结构；第一堆叠结构包括若干沿第一方向交替设置的第一导电层及第一介质层；第一导电结构，第一导电结构沿第一方向延伸且与多个第一堆叠结构中至少两个...
    2026-01-12
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