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最新专利技术
  • ALD降低双插绕镀的工艺、太阳能电池的制备方法和太阳能电池
    ALD降低双插绕镀的工艺、太阳能电池的制备方法和太阳能电池_正泰新能科技股份有限公司_202411230605.X
    本发明提供了一种ALD降低双插绕镀的工艺，包括以下步骤：S1)将包括若干个卡槽的载具置于ALD工艺设备的腔体中；S2)在硅片的表面形成水膜；S3)在ALD工艺设备的腔体中通入氮气，使两硅片不进行氧化铝膜沉积的表面吸附；S4)将H2O和三甲基...
    2026-03-08
  • 一种制备硅碳负极材料的连续式生产设备及方法
    一种制备硅碳负极材料的连续式生产设备及方法_博鑫元(淄博)新材料科技有限公司_202511679700.2
    本发明公开了一种制备硅碳负极材料的连续式生产设备及方法，涉及锂离子二次电池材料技术领域，包括高温CVD腔室、传送带和舱段，所述高温CVD腔室的内腔安装有加热装置，所述舱段通过所述传送带穿过所述高温CVD腔室，所述舱段的一侧外壁固定连接有真空...
    2026-03-08
  • 一种应用于ALD工艺的液源前驱体供应系统及控制方法
    一种应用于ALD工艺的液源前驱体供应系统及控制方法_中电科工环境技术(武汉)有限公司_202511289775.X
    本申请涉及原子层沉积技术领域，具体公开了一种应用于ALD工艺的液源前驱体供应系统及控制方法，供应系统包括柜体和设于柜体内的主输送管道、载气输送管路、吹扫管路、液源前驱体A钢瓶、液源前驱体B钢瓶、气相前驱体A输送管路、气相前驱体B输送管路、抽...
    2026-03-08
  • 源料装置及原子沉积设备
    源料装置及原子沉积设备_漳州旗滨新能源发展有限责任公司_202511154348.0
    本发明公开了一种源料装置和原子沉积设备，涉及原子沉积技术领域，该源料装置包括外壳、内胆体、管组以及调节件，外壳具有容置腔；内胆体设于容置腔且可沿外壳体的高度方向升降活动，内胆体具有反应腔，内胆体的外顶壁开设有连通反应腔的进气口和出气口；管组...
    2026-03-08
  • 一种喷淋板组件和半导体的工艺设备
    一种喷淋板组件和半导体的工艺设备_拓荆科技股份有限公司_202511263265.5
    本发明公开了一种喷淋板组件和半导体的工艺设备。该喷淋板组件包括：喷淋板本体；支撑孔板，位于所述喷淋板本体的下方，其中，所述支撑孔板的第一面积部与所述喷淋板本体接触配合，以支撑所述喷淋板本体，而其余面积部与所述喷淋板本体间隙配合，形成气体扩散...
    2026-03-08
  • 一种混气机构及其薄膜沉积设备
    一种混气机构及其薄膜沉积设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511326191.5
    本发明公开了一种混气机构及其薄膜沉积设备，混气机构包括：混气本体，所述混气本体内设有第一进气通道和混气腔体，所述混气腔体连通于所述第一进气通道，所述混气本体上设有至少一个第二进气通道，以及与所述第二进气通道连通的若干导气通道，若干所述导气通...
    2026-03-08
  • 一种用于石墨件表面均匀涂覆涂层的送气结构
    一种用于石墨件表面均匀涂覆涂层的送气结构_中电化合物半导体有限公司_202511328934.2
    本发明提供一种用于石墨件表面均匀涂覆涂层的送气结构，包括基体，内部设有用于容纳石墨件的腔室；进气孔，用于向腔室内通入气流，石墨件通过进气孔通入的气流悬浮在腔室内；其中，进气孔包括第一进气孔道和第二进气孔道，第一进气孔道用于向腔室沿石墨件悬浮...
    2026-03-08
  • 基板支撑单元和包括该基板支撑单元的基板处理装置
    基板支撑单元和包括该基板支撑单元的基板处理装置_ASMIP私人控股有限公司_202511192256.1
    一种能够在处理期间防止基板变形的基板处理装置包括基板支撑单元，其具有与待处理基板的边缘接触的接触表面，其中，基板支撑单元包括突出的(例如压纹的)结构，其从基部突出以支撑从待处理基板的边缘的内部的变形。
    2026-03-08
  • 一种集多种可调功能的MPCVD设备
    一种集多种可调功能的MPCVD设备_厦门韫茂科技有限公司_202511262955.9
    本发明提供了一种集多种可调功能的MPCVD设备，涉及半导体设备技术领域。包括：波导模块、谐振反应腔体、设置于所述谐振反应腔体内的载台，以及旋转升降系统；所述谐振反应腔体连接有真空排气系统以及工艺气体传输系统；还包括偏压机构，其中；所述旋转升...
    2026-03-08
  • 一种碳化硅化学气相沉积进气控温系统及方法
    一种碳化硅化学气相沉积进气控温系统及方法_北京亦盛精密半导体有限公司_202511095882.9
    本发明公开了一种碳化硅化学气相沉积进气控温系统及方法，属于温控系统的技术领域，其包括沉积炉本体、连接于沉积炉本体上的进气管路、连接于进气管路外的热交换系统和温度控制系统，温度控制系统检测冷却液进液管、冷却液出液管和进气管路的数据，设置工艺温...
    2026-03-08
  • 一种晶圆传输压力控制系统及方法
    一种晶圆传输压力控制系统及方法_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511326321.5
    本发明公开了一种晶圆传输压力控制系统及方法，该系统应用于半导体工艺设备，包括半导体工艺平台和工艺腔半导体工艺平台包括设备前端模块、负载锁定腔和传输腔，工艺腔设置有多个，传输腔用于将晶圆依次传输至每一工艺腔，传输腔和工艺腔之间设置有控制阀，用...
    2026-03-08
  • 一种卷对卷连续派瑞林真空镀膜装置及其方法
    一种卷对卷连续派瑞林真空镀膜装置及其方法_派珂纳米科技(苏州)有限公司_202511344039.X
    本发明提供了一种卷对卷连续派瑞林真空镀膜装置及其方法，所述卷对卷连续派瑞林真空镀膜装置重点对镀膜真空腔体进行改进，在镀膜真空腔体的顶部开设进气口，并在镀膜真空腔体的内部，正对进气口的位置，设置六边形分流板。在实际应用过程中，来自气化‑裂解加...
    2026-03-08
  • 一种双面化学镀沉积TSV通孔内部金属层的方法
    一种双面化学镀沉积TSV通孔内部金属层的方法_北京理工大学_202511143703.4
    本发明涉及微电子制造技术领域，公开了一种双面化学镀沉积TSV通孔内部金属层的方法。所述方法包括以下步骤：S1、将含TSV通孔的硅片浸入四甲基氢氧化铵溶液，抽真空处理；S2、将经步骤S1处理的硅片浸入碱性清洁液中；S3、将经步骤S2处理后的硅...
    2026-03-08
  • 一种预镀镍电池壳钢带及其制备方法
    一种预镀镍电池壳钢带及其制备方法_江苏威金迈科技有限公司_202511207435.8
    本发明提供一种预镀镍电池壳钢带及其制备方法，其包括预镀层和后镀层，预镀层中同时包括两种不同粒径的改性碳量子点和碳量子点，通过两种不同粒径的无机粒子相互耦合形成更加致密的纳米镀层，并且，改性碳量子点包含以Ni为核碳量子点为壳的核壳结构，碳量子...
    2026-03-08
  • 一种高结合力的硬质颗粒复合镀层的制备方法
    一种高结合力的硬质颗粒复合镀层的制备方法_河北华北柴油机有限责任公司_202411128562.4
    本发明公开了一种高结合力的硬质颗粒复合镀层的制备方法，属于化学复合镀层技术领域，包括以下步骤：步骤S1：待镀基体预处理；步骤S2：化学镀镍磷合金层；步骤S3：化学镀镍磷合金‑硬质颗粒镀层；步骤S4：采用机械去除或化学去除的方式去除调整步骤S...
    2026-03-08
  • 一种三维复合铜箔的制备方法
    一种三维复合铜箔的制备方法_湖北倬成新材料科技有限公司_202511068068.8
    本发明涉及一种三维复合铜箔的制备方法，包括如下步骤：选取三维结构膜材，依次进行清洗、活化及加速处理；将预处理后的基材放入化学镀铜液中进行化学镀铜，在基材表面形成一层均匀的化学镀铜层；将经过化学镀铜的基材放入水电镀槽中进行水电镀形成三维复合铜...
    2026-03-08
  • 一种用于PCB化学铜的水平还原剂及制备方法和应用
    一种用于PCB化学铜的水平还原剂及制备方法和应用_惠州市荣安达化工有限公司_202511319978.9
    本发明涉及PCB制造技术领域，具体涉及一种用于PCB化学铜的水平还原剂及制备方法和应用。按质量浓度计，由以下原料组成：硼酸、硼酸盐、还原剂、加工助剂、复合促进剂和去离子水；所述硼酸的质量浓度为6‑10g/L，所述还原剂的质量浓度为3‑6g/...
    2026-03-08
  • 一种提高化学镀金层结合力的添加剂及其制备方法
    一种提高化学镀金层结合力的添加剂及其制备方法_信丰正天伟电子科技有限公司_202511689833.8
    本发明公开了一种提高化学镀金层结合力的添加剂及其制备方法，涉及化学镀金技术领域，包括制备pH缓冲型‑粘度受控基材活化溶液，将环氧基预锚定‑二硫键功能化共聚物加入到N‑甲基‑2‑吡咯烷酮溶剂中，搅拌至完全溶解；再依次加入pH缓冲稳定剂和触变型...
    2026-03-08
  • 一种用于带孔衬管的镍钨合金镀层及其制备工艺
    一种用于带孔衬管的镍钨合金镀层及其制备工艺_成都德维石油技术服务有限责任公司_202511678229.5
    本申请涉及合金镀层技术领域，具体公开了一种用于带孔衬管的镍钨合金镀层及其制备工艺。一种用于带孔衬管的镍钨合金镀层的制备工艺，包括如下步骤：S1、预处理：先采用孔道脱脂液对带孔衬管进行脱脂处理，然后采用孔道活化液对带孔衬管进行活化处理；S2、...
    2026-03-08
  • 一种沉锡剂、制备方法及应用
    一种沉锡剂、制备方法及应用_深圳骏泽环境科技有限公司_202511488505.1
    本发明提供了一种沉锡剂、制备方法及应用。所述沉锡剂包含以下组分：甲基磺酸锡12~18 g/L；甲基磺酸120~160 g/L；络合剂30~60 g/L；复合稳定剂，所述复合稳定剂包括1~5 g/L三甲基甘氨酸、0.05~1g/L膦酸盐和0....
    2026-03-08
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