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  • 本发明涉及散热材料技术领域,公开了一种高导热石墨膜及其制备方法和应用。本发明的高导热石墨膜的原料组分包括:沥青中间相、聚丙烯腈、纳米增强体、表面活性剂和溶剂;其中,纳米增强体选自石墨烯纳米片、碳纳米管中的至少一种。通过各原料组分的合理配比,...
  • 本发明涉及一种高导热C/C‑HEC‑SiC复合材料及其制备方法,该高导热C/C‑HEC‑SiC复合材料由高导热沥青基炭纤维骨架、高导热炭填料、难熔金属碳化物高熵相及SiC陶瓷基体组成,通过合成超细具有核壳结构的(Hf0.25Zr0.25Ta...
  • 本发明公开了一种利用煤沥青自烧结制备高密高强炭材料的方法,属于煤化工技术领域。该方法首先将特定性质的煤沥青在惰性气氛下经升温炭化处理,制备得到煤沥青生焦;然后将该生焦粉碎成微米级粉末,并与少量铝硅合金粉混合均匀;最后将混合粉末压制成型,再经...
  • 本发明涉及一种全无机无铅双钙钛矿复合荧光陶瓷及其制备方法和应用,所述复合荧光陶瓷由氟化物材料和全无机无铅双钙钛矿混合后烧结制得。本发明采用氟化物作为基体材料,不仅显著降低材料的烧结温度,有效保留无铅双钙钛矿的发光特性,同时兼具优异的物理化学...
  • 本申请涉及陶瓷材料技术领域,提供了耐等离子体刻蚀的碳化硼陶瓷材料及其制备方法和刻蚀设备。其中,碳化硼陶瓷材料包括碳化硼和耐刻蚀晶间相。耐刻蚀晶间相至少分散于碳化硼的晶界处,耐刻蚀晶间相包括Y3Al5O12,至少部分Y3Al5O12中掺杂有稀...
  • 本发明涉及一种基于改进前驱体浸渍裂解及电流强化烧结增密打印素坯的SiC陶瓷及其制备方法。所述SiC陶瓷的微粒具有以SiC为核、SiC‑AlN固溶体为壳的核‑壳结构;所述制备方法包括以下步骤:(1)将含有SiC、AlN的复合粉体进行粘结剂喷射...
  • 本发明公开了高温真空窑炉内衬的碳纤维增强碳化硅筒件制备方法,涉及碳化硅炉衬技术领域,包括纱架系统和缠绕内衬筒芯模,所述纱架系统一侧设有浸胶机构,所述浸胶机构内存储有保护胶,所述缠绕内衬筒芯模与浸胶机构之间安装有导纱机构,所述缠绕内衬筒芯模上...
  • 本发明涉及碳化硅陶瓷技术领域,且公开了一种高比刚度的碳化硅陶瓷及其制备方法,包括以下质量份原料:碳化硅颗粒70‑90份、复合碳纤维10‑20份、烧结助剂2‑3份、分散剂1‑2份、粘结剂2‑5份、表面活性剂0.2‑0.5份。碳化硅颗粒复配烧结...
  • 本发明公开了一种多取向连续纤维增强陶瓷复合材料的增材制造方法,首先基于双壳类贝壳内层的交叉叠片结构特征设计多层线框模型;然后其外表面上结合Bouligand结构特征设计多层纤维排布结构;根据所得三维多取向线框模型规划连续打印路径,并调控机器...
  • 本发明公开了一种用于航空航天的耐高温碳化硅纤维,包括三层梯度复合结构:核心层通过硼碳协同掺杂抑制β‑Si C晶粒生长,中间层采用A l 2O3/Y2O3/石墨烯三元复合体系构建致密晶界网络,外层0.5μm BN涂层形成化学键合抗氧化屏障;其...
  • 一种直写式3D打印用SiBCN陶瓷及其复合材料水基浆料和其制备方法、打印方法,它属于陶瓷基复合材料增材制造领域。本发明要解决现有聚合物浆料直写打印制备SiBCN陶瓷及其复合材料尺寸收缩过高的问题,解决水基陶瓷浆料中粉体与纤维团聚及流变性能调...
  • 本发明公开了一种非等摩尔阳离子比的高熵硼化物陶瓷及其制备方法和应用,该高熵硼化物陶瓷的化学式为Mo0.8(Ti0.25V0.25Nb0.25Ta0.25)0.2B2。本发明的高熵硼化物陶瓷在金属元素组成上具有非等摩尔比,具有优异的高温抗氧化...
  • 本发明涉及陶瓷基板技术领域,提出了一种复合陶瓷基板及其制备方法,一种复合陶瓷基板包括以下重量份组分:非化学计量比氮化钛70~85份、氮化铝15~30份、增强助剂3~4份、烧结助剂2~5份、分散剂1~3份;所述分散剂包括十六烷基三甲基氯化铵、...
  • 本发明公开了一种高强度高韧性氮化铝陶瓷基板的制备方法,包括以下步骤:步骤一:添加剂预混,步骤二:添加原料粉预混,步骤三:将原料混合物制成片状原料混合物;步骤四:制得半成型生胚;步骤五:将半成型生坯从箱式炉中取出,放入另一个卧式炉中,在微负压...
  • 本发明提供一种高温合金熔铸用特种低碳耐火陶瓷坩埚及其制备方法,属于耐火陶瓷技术领域;本申请合成出活性聚硼氮烷,与乙酸钇及表面功能化的二维氮化硼纳米片化学交联,构建了均匀的三元无机杂化前驱体;该前驱体经溶胶‑凝胶成型、干燥及冷等静压制备高密度...
  • 本发明涉及光固化3D打印技术领域,尤其涉及用于光固化3D打印的氮化硼陶瓷浆料及其制备方法和氮化硼陶瓷件的制备方法。该氮化硼陶瓷浆料按重量份计包括:氮化硼陶瓷颗粒35‑50重量份;所述氮化硼陶瓷颗粒为级配颗粒,具体包括:粒径D50为30‑45...
  • 本发明涉及结构陶瓷制备技术领域,尤其涉及一种各向同性六方氮化硼陶瓷块材及其制备方法。其中,各向同性六方氮化硼陶瓷块材具有由乱层氮化硼片段嵌入随机取向的六方氮化硼片的各向同性结构。其制备方法包括如下步骤:步骤1、前驱体准备;步骤2、装料;步骤...
  • 一种立方氮化硼刀片的制备方法,所述选用至少两种不同类型的粘结剂和立方氮化硼微粉作为原料,采用分步混料法进行混料,能够保证混料的均匀性;混料完成后进行真空热处理对混料进行除杂;处理后将粉料压制在碳模内,根据设计的具有合适温度场的组装结构进行组...
  • 本申请公开含气冷结构陶瓷及其制备方法和应用。一种制备含气冷结构陶瓷的方法包括:将烧结助剂与陶瓷粉体混合均匀后,嵌入模板预压成型,经高温烧结后,采用高温氧化法(800‑1000℃,1‑3小时)结合喷砂辅助法(喷砂压力0.2‑0.8 MPa,喷...
  • 本发明公开了一种具有高熵稀土硅酸盐晶界的高性能氮化硅陶瓷及其制备方法,采用多元稀土氧化物、二氧化硅和氮化硅粉作为主要原料,通过球磨法使多元稀土烧结助剂体系各元素均匀分布,能够为氮化硅晶粒的优势发育提供均匀的液相,进而促进氮化硅晶粒“双峰”形...
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