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最新专利技术
  • 具有非晶界面层的纳米晶体钻石
    具有非晶界面层的纳米晶体钻石_应用材料公司_202480026992.7
    描述了沉积纳米晶体钻石膜的方法。此方法可用于集成电路的制造。方法包括用等离子体处理基板以形成经处理基板表面，用富碳等离子体孵育所述经处理基板以使钻石颗粒在此经处理基板表面上成核，随后用等离子体处理此基板以形成纳米晶体钻石膜。在此纳米晶体钻石...
    2025-11-28
  • 化学气相沉积(CVD)反应器
    化学气相沉积(CVD)反应器_斯科纳电池技术私人有限公司_202480015410.5
    本发明涉及一种用于制备颗粒材料的CVD反应器，特别是携带流反应器。本发明还涉及使用CVD反应器特别是携带流反应器制备此类材料的方法。本发明进一步涉及包含颗粒材料的电极材料、电极和碱金属离子电池。
    2025-11-28
  • 用于收集、回收和再循环来自半导体处理腔室的化学废气的系统
    用于收集、回收和再循环来自半导体处理腔室的化学废气的系统_应用材料公司_202480026993.1
    公开了回收和再使用半导体制造化学品的化学前体回收系统和方法。所述回收系统包括与多个冷阱流体连通的冷阱入口管线和冷阱出口管线。所述多个冷阱配置为冷凝所述化学前体并且基于半导体制造处理条件来布置。
    2025-11-28
  • 用于基板处理的具有扩散气孔塞的气体扩散器
    用于基板处理的具有扩散气孔塞的气体扩散器_应用材料公司_202480027572.0
    于此的实施例一般涉及半导体制造，且更特别是用于基板处理腔室的气体扩散器。在一实施例中，气体扩散器包括：至少一个气体扩散器单元，包括：紧固孔口，穿过扩散板主体的顶表面；第一气体入口，设置成距紧固孔口一入口距离；第二气体入口，设置成距紧固孔口该...
    2025-11-28
  • 使用形状记忆合金的智能面板/喷淋头
    使用形状记忆合金的智能面板/喷淋头_应用材料公司_202480027587.7
    示例基板处理系统面板可包括板，板以第一表面和与第一表面相对的第二表面为特征。第二表面可限定延伸穿过板的厚度的一部分的多个凹部。板可限定穿过板的厚度的多个孔。每个孔可延伸穿过多个凹部中的一个凹部的底表面。每个凹部可具有比延伸穿过凹部的底表面的...
    2025-11-28
  • 含硅薄膜沉积用组合物及利用其制造的含硅薄膜
    含硅薄膜沉积用组合物及利用其制造的含硅薄膜_DNF有限公司_202480027709.2
    本发明涉及包含氟氨基硅烷化合物作为前体的含硅薄膜沉积用组合物及利用其的含硅薄膜的制造方法，由此制造的含硅薄膜不仅化学稳定性和热稳定性均优异，而且具有足够低的介电常数，因此期待可以有用地适用作半导体器件的绝缘膜，特别是间隔件用绝缘膜。
    2025-11-28
  • 基于热传感器读数的热处理腔室状态
    基于热传感器读数的热处理腔室状态_应用材料公司_202480026991.2
    一种表征热处理腔室的方法可包括使用来自现有热处理腔室中的温度变化率数据来训练模型。监督学习过程可基于基板上的沉积轮廓来标记这些变化率数据。经训练模型可用于表征另一腔室，以确定预测性能是否与用于训练该模型的腔室匹配。使用载气的惰性工艺可用于捕...
    2025-11-28
  • 基材表面的预处理方法
    基材表面的预处理方法_德国艾托特克有限两合公司_202480027632.9
    本发明涉及一种用于在随后的无电铜沉积之前预处理基材表面的方法，所述方法包括：a)提供包括非导电材料上的活化表面的基材，其中所述活化表面具有活化剂，其中所述活化剂包括催化金属；b)将所述活化表面与用于预处理的水性预处理溶液接触以获得预处理表面...
    2025-11-28
  • 取向性电磁钢板用绝缘覆膜处理液及其制造方法、以及取向性电磁钢板的制造方法
    取向性电磁钢板用绝缘覆膜处理液及其制造方法、以及取向性电磁钢板的制造方法_日本制铁株式会社_202480022443.2
    一种取向性电磁钢板用的绝缘覆膜处理液，含有从K、Al、Fe、Mg、Mn、Ni、Zn、Co、Mo、V、W及Zr中选择的一种或两种以上的金属的磷酸金属盐以及胶体状二氧化硅，绝缘覆膜处理液中的以K2O换算的K量和以SiO2换算的Si量的质量％的K...
    2025-11-28
  • 热浸镀钢材
    热浸镀钢材_日本制铁株式会社_202480025870.6
    该热浸镀钢材的镀层具有下述化学组成：含有Al：超过10.0%且低于45.0%、Mg：4.0～15.0%、Si：0.01～2.0%、0.03%～5.0%的Cu及0.03～6.0%的Ag中的至少一者、剩余部分包含Zn及杂质，在从镀层朝向钢材进行...
    2025-11-28
  • 金属碳化物和烃的制造方法以及含碳部件
    金属碳化物和烃的制造方法以及含碳部件_大金工业株式会社_202480025057.9
    本发明涉及金属碳化物的制造方法，其包括制备含有选自碱金属离子和碱土金属离子中的至少一种第1金属离子的熔融盐的工序、准备含有碳的电极的工序、和使用上述电极对上述熔融盐施加电压，得到含有上述第1金属的碳化物的金属碳化物组合物的工序。
    2025-11-28
  • 一种碱性水电解槽安全运行控制的方法及监测系统
    一种碱性水电解槽安全运行控制的方法及监测系统_江苏双良氢能源科技有限公司_202580001845.9
    本发明涉及制氢用碱性水电解槽技术领域，具体涉及一种碱性水电解槽安全运行控制的方法及监测系统，包括在碱性水电解槽的碟簧处安装至少一个碟簧变形监测仪器，用于监测所述碟簧的变形，并提供电解槽安全运行控制信号来源；根据所述碟簧变形监测仪器监测到的碟...
    2025-11-28
  • 电沉积液、绝缘覆膜的制造方法
    电沉积液、绝缘覆膜的制造方法_三菱综合材料株式会社_202480027140.X
    一种电沉积液，其为通过阴离子电沉积使电沉积膜在导电性基材上电沉积的电沉积液，含有水、有机溶剂、固体成分、中和剂及有机酸，所述固体成分至少含有聚酰亚胺系树脂。一种绝缘覆膜的制造方法，其为在基材的表面形成绝缘覆膜的绝缘覆膜的制造方法，具备：电沉...
    2025-11-28
  • 电沉积液的管理方法及电沉积装置
    电沉积液的管理方法及电沉积装置_三菱综合材料株式会社_202480027159.4
    一种电沉积液的管理方法，其为通过阴离子电沉积在导电性的基材上形成电沉积膜时所使用的电沉积液的管理方法，通过对所述电沉积液进行阴离子交换处理来调整所述电沉积液中所含的有机酸的浓度。一种电沉积装置(10)，其为通过阴离子电沉积在导电性的基材上形...
    2025-11-28
  • 用于制备具有减少的径向电阻率变化的单晶硅锭的方法
    用于制备具有减少的径向电阻率变化的单晶硅锭的方法_环球晶圆股份有限公司_202480021512.8
    公开用于制备具有减少的径向电阻率变化的单晶硅锭的方法。在生长所述单晶硅锭时，硅熔体经历多个批次的反掺杂。每一批次中的第二掺杂剂的量可控制为小于基于预定目标最小电阻率、预定目标最大径向电阻率梯度及在无反掺杂的情况下发生的基线径向电阻率梯度确定...
    2025-11-28
  • 外延生长处理设备中用于热交换的宏单元体系结构
    外延生长处理设备中用于热交换的宏单元体系结构_应用材料公司_202480027268.6
    描述了一种外延生长处理腔室，该处理腔室具有部件，该部件具有宏单元支撑结构，该宏单元支撑结构配置有限定流体连通孔隙的互连实体支撑件。还描述了一种经配置用于在外延生长处理腔室中使用的部件，该部件具有宏单元支撑结构，该宏单元支撑结构配置有限定流体...
    2025-11-28
  • 合成单晶金刚石、合成单晶金刚石的制造方法以及金刚石衬底
    合成单晶金刚石、合成单晶金刚石的制造方法以及金刚石衬底_住友电气工业株式会社_202480022293.5
    一种合成单晶金刚石，是氮的原子数基准的含有率为10ppm以下、且硼的原子数基准的含有率为0.001ppm以上且3ppm以下的合成单晶金刚石，其中，所述合成单晶金刚石的绝缘电阻为1MΩ以上。
    2025-11-28
  • 单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置
    单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置_胜高股份有限公司_202380097527.8
    一种单晶硅的制造方法，其使用单晶硅制造装置并在加热器的发热分布不均匀的状态下加热旋转的坩埚以生成硅熔融液，并且开始向硅熔融液施加水平磁场以培育单晶硅，该单晶硅制造装置具备围绕坩埚的圆筒状的加热器及支撑加热器的第1～第4支撑电极，加热器具备第...
    2025-11-28
  • 用于制造单晶的装置及其使用方法
    用于制造单晶的装置及其使用方法_美国西门子医疗系统股份有限公司_202380097431.1
    本文中公开了一种用于生产单晶的装置，该装置包括：炉，其中该炉包括炉壁、炉基板和炉盖；炉壁设置在炉基板和炉盖之间；生长室，其包括外管、生长室底板和生长室顶板；其中炉盖具有开口，生长室突出穿过该开口，并且其中生长室操作以包含坩埚，该坩埚包含用于...
    2025-11-28
  • SiC基板及SiC复合基板
    SiC基板及SiC复合基板_日本碍子株式会社_202380096444.7
    本发明提供一种翘曲较小的SiC基板。该SiC基板具备双轴取向SiC层，在SiC基板的Si面及C面的面内，拉曼位移值的最大值kmax与最小值kmin之差为0.50cm－1以下。上述拉曼位移值是如下得到的值：在SiC基板的Si面的面内，在从Si...
    2025-11-28
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