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最新专利技术
  • 具有包含局部互连件的半导体柱的外围电路及其形成方法
    具有包含局部互连件的半导体柱的外围电路及其形成方法_桑迪士克科技股份有限公司_202480022257.9
    一种设备结构包括第一场效应晶体管、第二场效应晶体管和局部互连结构。该局部互连结构包括接触第一场效应晶体管的有源区域的顶表面的第一半导体柱结构、接触第一半导体柱结构的顶表面的金属结构、以及接触第二场效应晶体管的电节点的第二半导体柱结构。
    2025-11-21
  • 存储元件
    存储元件_株式会社半导体能源研究所_202480025762.9
    提供一种占有面积得到减小的存储元件。作为与一种存储元件的SOT‑MTJ元件(自旋轨道转矩磁隧道结元件)连接的晶体管，使用纵向沟道型晶体管。通过使用纵向沟道型晶体管，可以减小存储元件的占有面积。另外，通过将氧化物半导体用于纵向沟道型晶体管的沟...
    2025-11-21
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480019929.0
    本发明提供一种包括通态电流大的晶体管的半导体装置。该半导体装置包括晶体管及第一绝缘层。晶体管包括半导体层、第一导电层及第二导电层。第一绝缘层位于第一导电层上。第二导电层位于第一绝缘层上。第一绝缘层包括到达第一导电层的第一开口。第二导电层在与...
    2025-11-21
  • 半导体集成电路装置
    半导体集成电路装置_株式会社索思未来_202480022372.6
    在半导体集成电路装置中，包括连接在VSS与输出端子(PAD)之间的晶体管(N1)的输出晶体管部(30N)包括具有作为沟道的纳米片(32)的有源区域(31)。电源布线(25)及输出布线(26)以俯视时与有源区域(31)重叠的方式布置在晶体管(...
    2025-11-21
  • 用于具有中间介电隔离层的互补式场效晶体管的改善的材料及方法
    用于具有中间介电隔离层的互补式场效晶体管的改善的材料及方法_应用材料公司_202480027262.9
    本揭示的实施例有利地提供半导体装置，特定言之提供CFET，以及制造此类装置的方法，该等装置具有完全应变的超晶格结构并且沟道层实质上不含缺陷且释放层经保护以在移除中间牺牲层期间免遭材料损耗。本文所描述的CFET包含基板上的竖直堆叠的超晶格结构...
    2025-11-21
  • 用于互补场效应晶体管的多阈值电压整合方案
    用于互补场效应晶体管的多阈值电压整合方案_应用材料公司_202480027270.3
    描述了制造电子器件的方法。本公开的实施例有利地提供了制造电子器件(例如，互补场效应晶体管(CFET))的方法，该电子器件满足减小的厚度、减少的泄漏、较低的热预算、及Vt要求(包括多Vt)，并且具有改进的器件效能及可靠性。方法的一些实施例包括...
    2025-11-21
  • 光检测装置
    光检测装置_索尼半导体解决方案公司_202480018519.4
    根据本发明一个实施方案的光检测装置包括：第一基板，其具有彼此相对的第一面和第二面，且具有像素阵列部，在所述像素阵列部中在面内方向上以阵列状布置有多个像素；第二基板，其层叠到所述第一基板的所述第一面侧，且具有设置有至少一个晶体管的半导体层；受...
    2025-11-21
  • 成像装置和制造成像装置的方法
    成像装置和制造成像装置的方法_索尼半导体解决方案公司_202480020616.7
    该成像装置包括：固态成像元件，包括用于吸收红外光的红外吸收滤光器；以及基体，多个像素在该基体上布置成二维阵列，该像素包括将透过红外吸收滤光器的入射光转换成电信号的光电转换区域。红外吸收滤光器和基体在入射光的入射方向上凹陷并且作为整体弯曲。
    2025-11-21
  • 紫外半导体发光元件
    紫外半导体发光元件_斯坦雷电气株式会社_202480020364.8
    本发明提供一种具有高效率和高输出特性且具有高可靠性的紫外半导体发光元件。该紫外半导体发光元件具有：n型包层，其是形成在单晶AlN基板上的n型AlXGa1‑XN层；量子阱有源层，其形成在n型包层上，由AlGaN层构成；电子阻挡层，其是形成在量...
    2025-11-21
  • 发光器件、显示装置、显示模块、电子设备
    发光器件、显示装置、显示模块、电子设备_株式会社半导体能源研究所_202480022209.X
    提供一种方便性、有用性或可靠性优异的新颖发光器件。该发光器件包括第一光源及第一转换单元，第一光源与第一转换单元重叠，第一光源对第一转换单元照射第一光，第一光具有在第一波长的区域具有强度的光谱。第一转换单元包括第一层及第二层，第一层夹在第二层...
    2025-11-21
  • 提供提高的热电效率的具有网状异质结构的热电材料及其制备方法
    提供提高的热电效率的具有网状异质结构的热电材料及其制备方法_国防研究与发展组织主席_202380095915.2
    公开了一种用于制备纳米尺度下的热电材料网状异质结构的简便且可扩展的方法。该制备方法涉及在惰性环境下摇动熔融形式的组分B与组分A的纳米材料，然后进行受控固结。具有被组分A填充的空隙的组分B的蜂窝状网络形成纳米尺度下的异质结构B/A，其中组分A...
    2025-11-21
  • 热电转换元件和热电转换方法
    热电转换元件和热电转换方法_十内裕_202480027299.1
    本发明提供一种热电转换元件和使用该热电转换元件的热电转换方法，所述热电转换元件即使在没有温度差的环境下也能够将热能转换为电能，所述热电转换元件具备由导电率不同的材料形成的正极和负极，在该正极和负极之间具备有机半导体层，所述有机半导体层具备被...
    2025-11-21
  • 压电元件及其应用
    压电元件及其应用_日本特殊陶业株式会社_202480022404.2
    提供：能改善压电元件的耐连续驱动性的技术。一种压电元件，其特征在于，其交替地层叠有包含碱系铌酸盐钙钛矿型氧化物作为主要成分的压电陶瓷层与包含Ni作为主要成分的内部电极，压电陶瓷层具有位于层叠方向的内部的活性层，活性层的气孔率为0.3％以上且...
    2025-11-21
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