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最新专利技术
  • 加工方法
    加工方法_深圳市大族微电子科技有限公司_202510884658.1
    本申请涉及一种加工方法应用于加工装置并对线路板进行加工， 加工装置包括夹持组件、加工组件和抵接组件， 夹持组件能够在第一方向和第二方向上产生相对滑动， 夹持组件和线路板同步运动， 第一方向和第二方向均垂直于线路板的厚度方向且其中一者为重力方...
    2025-11-21
  • 一种贴片机真空切换装置
    一种贴片机真空切换装置_上海爵企电子科技有限公司_202510960548.9
    本发明涉及芯片生产技术领域， 尤其涉及一种贴片机真空切换装置， 包括：底板和限位板， 所述限位板设置在底板上侧， 且限位板上开设有两个开口， 所述底板上设置有多个吸附孔， 多个所述吸附孔分别通过两组通气管连通， 且在限位板的两个开口内部分别...
    2025-11-21
  • 一种兼容单板双板贴片元件换面转向系统
    一种兼容单板双板贴片元件换面转向系统_广东力行智能装备有限公司_202511027050.3
    本发明公开了一种兼容单板双板贴片元件换面转向系统， 涉及贴片元件加工技术领域， 包括基板， 所述基板上方的前侧设置有压板装置， 所述压板装置的后端设置有换面转向平台装置， 所述换面转向平台装置的下方安装有升降装置， 所述换面转向平台装置的后...
    2025-11-21
  • 一种电路板贴片机以及点胶机构
    一种电路板贴片机以及点胶机构_千思跃智能科技(苏州)股份有限公司_202511308229.6
    本发明涉及电路板加工自动化设备领域， 公开了一种电路板贴片机以及点胶机构， 包括支架， 支架的顶部安装有定位器， 定位器的外部通过螺钉安装设置有取料器， 取料器包括安装台与定位板， 安装台的顶部安装设置有气压泵， 且安装台内设有与气压泵输出...
    2025-11-21
  • 一种无干预Mes追溯方法及装置
    一种无干预Mes追溯方法及装置_浪潮智能终端有限公司_202510671377.8
    本发明涉及智能制造与工业物联网技术领域， 具体提供了一种无干预Mes追溯方法及装置， 具有如下步骤：S1、首先使用镭雕机在PCB拼板的每个电路板单元上雕刻一个唯一的SN；S2、镭雕过程中， 根据SOP顺序将SN数据上传至MES服务器；S3、...
    2025-11-21
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510811657.4
    本申请提供一种半导体器件的制备方法， 通过在形成隔离材料层之前， 先在沟槽中淀积一层致密且均匀的辅助介质层， 可以避免后续多道湿法清洗工艺损耗有源区边缘区域(浅沟槽隔离结构边缘区域)的隔离材料层中出现凹坑缺陷的情况， 从而避免了后续自对准淀...
    2025-11-21
  • 管理半导体器件中的存储节点接触结构
    管理半导体器件中的存储节点接触结构_长江存储科技有限责任公司_202410431311.7
    本公开涉及半导体器件中的存储节点接触结构及其制造方法。示例性半导体器件包括存储器单元阵列。存储器单元阵列包括沿第一方向布置的第一行存储器单元。第一行存储器单元中的至少一个存储器单元包括沿垂直于第一方向的第二方向堆叠的第一垂直晶体管、第一存储...
    2025-11-21
  • 半导体装置与其制作方法
    半导体装置与其制作方法_南亚科技股份有限公司_202411098080.9
    一种半导体装置， 包含具有主动区以及在主动区之间的隔离区的基板、设置在主动区上的位元线结构、设置在位元线结构的侧壁上的间隔物结构、设置在位元线结构之间的埋入式接触件、设置在埋入式接触件上以及在间隔物结构的侧壁上的阻障层、设置在埋入式接触件上...
    2025-11-21
  • 半导体结构及其形成方法、电子设备
    半导体结构及其形成方法、电子设备_长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司_202511240346.3
    本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法、电子设备；其中， 半导体结构的形成方法包括：提供衬底；衬底包括沿第一方向排列的多个存储区域；在存储区域的表面形成堆叠结构；堆叠结构包括沿第二方向和第三方向阵列排布、且沿第一方向延伸的多个晶体管；沿...
    2025-11-21
  • 存储器装置以及其制作方法
    存储器装置以及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410497025.0
    本发明公开一种存储器装置以及其制作方法， 其中该存储器装置包括半导体基底、浮置栅极以及抹除栅极。浮置栅极与抹除栅极设置在半导体基底之上， 且抹除栅极包括主体部以及第一分支部。主体部沿第一水平方向延伸， 而第一分支部沿第二水平方向延伸且与主体...
    2025-11-21
  • 多晶硅-绝缘层-多晶硅堆叠电容结构及其制造方法
    多晶硅-绝缘层-多晶硅堆叠电容结构及其制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510779418.5
    本发明公开了一种多晶硅‑绝缘层‑多晶硅堆叠电容结构及其制造方法， 属于半导体制造技术领域。该结构包括：半导体衬底、其上的浮栅、浮栅上的栅间介质层及栅间介质层上的控制栅。浮栅的预定区域表面未形成自对准金属硅化物并形成有至浮栅的接触， 而控制栅...
    2025-11-21
  • 解决栅极多晶硅损伤的半导体器件制造方法
    解决栅极多晶硅损伤的半导体器件制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510782354.4
    本申请公开了一种解决栅极多晶硅损伤的半导体器件制造方法， 旨在解决现有技术中去除单元区硬掩膜层时， 外围逻辑区栅极多晶硅易受损的问题。该方法包括：在栅极多晶硅层上沉积保护层；对单元区处理以去除其内的保护层和栅极多晶硅层；然后去除单元区的硬掩...
    2025-11-21
  • ETOX NOR型闪存器件的制备方法
    ETOX NOR型闪存器件的制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510815946.1
    本申请提供一种ETOX NOR型闪存器件的制备方法， 在形成轻掺杂漏区之后， 在存储区的半导体结构表面和外围逻辑区的半导体结构表面涂覆一旋涂介质层， 本申请利用存储区的半导体结构和外围逻辑区的半导体结构之间的高度差以及旋涂介质层在图形化区域...
    2025-11-21
  • 应用于存储器件制作过程中的工艺方法
    应用于存储器件制作过程中的工艺方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510811718.7
    本申请公开了一种应用于存储器件制作过程中的工艺方法， 包括：提供一衬底， 该衬底上用于形成半导体器件的区域包括第一区域和第二区域， 第一区域用于形成存储单元， 第二区域用于形成逻辑器件， 第一区域的衬底上形成有第一氧化物层， 第二区域的衬底...
    2025-11-21
  • 存储器小芯片接合焊盘配置
    存储器小芯片接合焊盘配置_闪迪技术公司_202411630752.6
    一种装置包括具有3D存储器结构的存储器管芯， 该3D存储器结构包括阵列区域中的非易失性存储器单元。该非易失性存储器单元通过字线和位线连接。该字线连接到与该阵列区域相邻的楼梯区域中的竖直字线通孔。该竖直字线通孔包括连接到该楼梯区域中的第一字线...
    2025-11-21
  • 三维存储器
    三维存储器_长江存储科技有限责任公司_202511203514.1
    本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。该制备方法包括：在衬底上依次形成牺牲层和叠层结构；形成贯穿叠层结构并延伸至牺牲层的沟道结构和栅极缝隙结构、以及贯穿叠层结构并延伸至衬底的虚设沟道结构， 其中， 沟道结构包括沟道层和功能层；去除衬底和虚...
    2025-11-21
  • 芯片及其制备方法、电子设备
    芯片及其制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202410407272.7
    本申请提供一种芯片及其制备方法、电子设备， 涉及半导体技术领域， 在不额外增加垂直晶体管所占的面积的情况下， 增大垂直晶体管的开态电流。该芯片包括层叠设置在衬底上的第一导电层和垂直晶体管， 垂直晶体管包括栅极、栅介质层、第一沟道、第二沟道、...
    2025-11-21
  • 基于低维半导体和铁电异质结的存内计算器件及调控方法
    基于低维半导体和铁电异质结的存内计算器件及调控方法_西安理工大学_202510987348.2
    本发明公开基于低维半导体和铁电异质结的存内计算器件， 包括依次设置的衬底、底电极层、铁电层、第一低维半导体层、第二低维半导体层与顶电极层；铁电层和第一低维半导体层形成有第一接触面；第一低维半导体层和第二低维半导体层形成有第二接触面。本发明还...
    2025-11-21
  • 基于双层铁电异质结的神经形态存内计算器件及调控方法
    基于双层铁电异质结的神经形态存内计算器件及调控方法_西安理工大学_202510987349.7
    本发明公开基于双层铁电异质结的神经形态存内计算器件， 包括依次设置的衬底、底电极层、铁电电介质层、铁电半金属层与顶电极层；底电极层和铁电电介质层形成有第一接触面；铁电半金属层和铁电电介质层形成有第二接触面；顶电极层和铁电半金属层形成有第三接...
    2025-11-21
  • 一种高一致性阻变存储器及其制备方法
    一种高一致性阻变存储器及其制备方法_浙江大学_202510927909.X
    本发明公开了一种高一致性阻变存储器及其制备方法， 该阻变存储器包括底电极结构、阻变结构和顶电极结构， 阻变结构的电阻值能够调节。本发明通过在底电极结构上利用热氧化工艺形成对应氧化物， 基于其较低的热稳定性， 通过高温工艺使其扩散进阻变结构中...
    2025-11-21
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