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最新专利技术
  • 可探测羟基自由基发光的金刚石紫外火焰探测器及其户外紫外信号探测系统
    可探测羟基自由基发光的金刚石紫外火焰探测器及其户外紫外信号探测系统_哈尔滨工业大学_202510930383.0
    可探测羟基自由基发光的金刚石紫外火焰探测器及其户外紫外信号探测系统， 本发明是要解决OH*基团的紫外发光信号探测效率低的问题。本发明平面对称型金刚石紫外火焰探测器包括金刚石层、TiO2膜层、第一接触电极和第二接触电极， 金刚石层为本征金刚石...
    2025-11-20
  • 一种背面金属栅格刻蚀方法
    一种背面金属栅格刻蚀方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510803789.2
    本发明提供了一种背面金属栅格刻蚀方法， 该背面金属栅格刻蚀方法包括：提供预设基底， 将预设基底传入电感耦合等离子体刻蚀机的反应腔室；其中， 预设基底包括自上而下依次排布的有机膜层、介质硬掩膜层和金属栅格层；介质硬掩膜层刻蚀步， 向反应腔室中...
    2025-11-20
  • 感光结构、宽感光范围图像传感器及制备方法
    感光结构、宽感光范围图像传感器及制备方法_深圳光感半导体有限公司_202510991443.X
    本申请提供一种感光结构、宽感光范围图像传感器及制备方法。感光结构包括多个感光单元， 至少两个感光单元的材质不同， 至少一个感光单元的感光波段为不可见光， 以使感光结构的感光波段宽度大于RGB图像传感器的感光波段宽度。本申请的感光结构， 至少...
    2025-11-20
  • 多芯片集成的光电传感器及其制造方法、FT测试方法
    多芯片集成的光电传感器及其制造方法、FT测试方法_苏州多感科技有限公司_202511188821.7
    本发明公开了一种多芯片集成的光电传感器及其制造方法、FT测试方法， 属于集成电路技术领域， 该多芯片集成的光电传感器， 包括图像传感器芯片， 图像传感器芯片的正面具有感光区域和边缘区域， 感光区域上设置透光构件， 用于滤除干扰光， 边缘区域...
    2025-11-20
  • 半导体结构、半导体结构的制造方法以及图像传感器
    半导体结构、半导体结构的制造方法以及图像传感器_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511221829.9
    本申请实施例提供了一种半导体结构、半导体结构的制造方法以及图像传感器， 该半导体结构包括：基底；形成于基底表面的传输栅极；形成于基底内的浮动扩散区和过渡掺杂区；其中， 过渡掺杂区位于传输栅极在基底的投影与浮动扩散区之间；过渡掺杂区的掺杂浓度...
    2025-11-20
  • 红外高光谱成像探测器及其制备方法和成像方法
    红外高光谱成像探测器及其制备方法和成像方法_中芯热成科技(北京)有限责任公司_202511262377.9
    本公开涉及红外高光谱成像探测器及其制备方法和成像方法， 属于红外探测领域。该红外高光谱成像探测器包括：读出电路、胶体量子点红外探测单元以及随机滤光片阵列；其中， 读出电路具有阵列排布的像素电路；胶体量子点红外探测单元耦合在读出电路的一侧；胶...
    2025-11-20
  • 一种图像传感器及其制备方法
    一种图像传感器及其制备方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511263445.3
    本申请提供一种图像传感器及其制备方法， 包括：提供器件衬底， 在器件衬底上形成光电二极管层、第一牺牲层、第一外延层、第二牺牲层和第二外延层；形成贯穿第二外延层、第二牺牲层、第一外延层、第一牺牲层、光电二极管层并延伸至器件衬底中的支撑柱；形成...
    2025-11-20
  • 背照式图像传感器的形成方法
    背照式图像传感器的形成方法_格科半导体(上海)有限公司_202410317290.6
    本发明公开了一种背照式图像传感器的形成方法， 包括：将图像传感器晶圆正面和承载晶圆键合；晶圆正面形成有沟槽隔离结构；对所述图像传感器晶圆背面通过以下至少一种减薄工艺， 以提高所述图像传感器晶圆背面的平整度；所述至少一种减薄工艺包括：工艺一：...
    2025-11-20
  • 探测器及其制作方法
    探测器及其制作方法_中国科学院半导体研究所_202410346182.1
    本发明提供一种探测器及其制作方法， 探测器包括探测器阵列芯片、铟柱阵列以及读出电路， 探测器阵列芯片包括第一腐蚀截止层、第二腐蚀截止层、NPN晶体管阵列、发射区接触层以及电极层；本发明通过采用NPN晶体管阵列结构， 可以实现在低工作电压下高...
    2025-11-20
  • 图像传感器及其制备方法、电子设备
    图像传感器及其制备方法、电子设备_思特威(上海)电子科技股份有限公司_202410381671.0
    本发明提供一种图像传感器及其制备方法、电子设备， 图像传感器包括：半导体基底；第一改进栅极结构， 包括第一栅极结构及侧墙改善层；第一源漏， 与第一栅极结构之间具有第一距离；第二改进栅极结构， 包括第二栅极结构及侧墙改善层；第二源漏， 与第二...
    2025-11-20
  • 一种CIS芯片的扇出封装结构及其制作方法
    一种CIS芯片的扇出封装结构及其制作方法_华天科技(昆山)电子有限公司_202510884273.5
    本发明提供了一种CIS芯片的扇出封装结构， 其提升系统级封装的可靠性与集成度， 且封装成本低。其包括：玻璃；围堰层， 其包括有围堰腔；CIS芯片， 其包括有硅层、感光器件；功能芯片；以及锡球；所述玻璃的上表面设置有围堰层， 所述CIS芯片键...
    2025-11-20
  • 优化的Ⅱ类超晶格红外探测器芯片底部填充方法、制备方法及红外探测器
    优化的Ⅱ类超晶格红外探测器芯片底部填充方法、制备方法及红外探测器_山西创芯光电科技有限公司_202511173390.7
    本申请提供了一种优化的Ⅱ类超晶格红外探测器芯片底部填充方法、制备方法及红外探测器， 属于红外探测器领域；解决了现有底部填充工艺填充的填充胶容易产生空洞， 最终导致红外焦平面探测器芯片成像时出现缺陷， 影响红外探测器性能的问题；该方法包括以下...
    2025-11-20
  • 一种半导体元件及其制造方法
    一种半导体元件及其制造方法_思特威(上海)电子科技股份有限公司_202410347611.7
    本发明描述了一种用于制备半导体元件的制造方法， 包括：提供半导体衬底；对半导体衬底进行第一能量离子注入， 形成位于感光区的下方的第三掺杂隔离区；对半导体衬底进行高温修复；对半导体衬底进行第二能量离子注入， 形成位于相邻感光区之间的第一掺杂隔...
    2025-11-20
  • 一种用于背照射图像传感器的TSV及其形成方法
    一种用于背照射图像传感器的TSV及其形成方法_格科半导体(上海)有限公司_202410347644.1
    本发明公开了一种用于背照射图像传感器的TSV的形成方法， 一方面TSV通孔先进行深沟槽的沉积以形成具有空隙的填充结构， 然后采用刻蚀至金属互连层， 最后在沟槽中生长金属层；另一方面， 在实现在有限的设计区域中， 将TSV相邻的隔离结构同时电...
    2025-11-20
  • 图像感测装置
    图像感测装置_爱思开海力士有限公司_202411370956.0
    公开了图像感测装置。所述图像感测装置包括：第一像素， 其被配置为与透射第一颜色的光的第一滤光器交叠；第二像素， 其被配置为与透射不同于第一颜色的第二颜色的光的第二滤光器交叠， 同时在第一方向上与所述第一像素间隔开；第一像素隔离结构， 其被配...
    2025-11-20
  • 阵列基板及其制备方法和平板探测器
    阵列基板及其制备方法和平板探测器_滁州惠科光电科技有限公司_202510884082.9
    本申请公开了一种阵列基板及其制备方法和平板探测器， 主要涉及光电技术领域， 主动开关层内包括至少一个主动开关， 光电二极管层内包括至少一个光电二极管， 信号传输线层内包括至少一根信号传输线， 主动开关、光电二极管和信号传输线依次连接；光电二...
    2025-11-20
  • 接收单元、接收传感器及激光雷达
    接收单元、接收传感器及激光雷达_深圳市速腾聚创科技有限公司_202511223800.4
    本申请属于光器件技术领域， 提供了一种接收单元、接收传感器及激光雷达， 接收单元包括第一SPAD单元和第二SPAD单元， 第一SPAD单元具有较高的光子探测效率和时间抖动， 通过在第二SPAD单元内设置外延隔离层将其外延层划分为设计死区和外...
    2025-11-20
  • 一种光电芯片堆叠封装及其制备方法、阵列制备方法
    一种光电芯片堆叠封装及其制备方法、阵列制备方法_广东风华芯电科技股份有限公司_202511125076.1
    本发明涉及一种光电芯片堆叠封装及其制备方法、阵列制备方法， 包括依次堆叠的基板、光接收芯片、两个金属片、第一光发射芯片及第二光发射芯片；光接收芯片贴装在基板上与基板电连接；金属片第一端贴装在光接收芯片上与其面接触并绝缘， 第二端贴装在基板上...
    2025-11-20
  • 一种组件端辅助电池钝化和接触的工艺方法
    一种组件端辅助电池钝化和接触的工艺方法_泰州中来光电科技有限公司_202410357793.6
    本发明涉及太阳能光伏组件技术领域， 具体公开了一种组件端辅助电池钝化和接触的工艺方法。本发明工艺方法为：在电池片经过串焊、层压、封装组成电池组件后， 将电池组件置于环境箱中进行光照， 设置温度为50℃～75℃， 辐照度为1000Wh/m2～...
    2025-11-20
  • 电池片串接装置
    电池片串接装置_无锡奥特维科技股份有限公司_202410380966.6
    本申请公开了一种电池片串接装置， 属于电池串制造领域。电池片串接装置包括承载机构和供膜机构， 承载机构的托板往复移动且依次经过上料工位、焊接工位和下料工位， 托板移动至下料工位时， 焊带组和电池片组经焊接形成的电池串被搬运至下道工序完成下料...
    2025-11-20
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