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最新专利技术
  • 一种硅基有机发光半导体显示屏及其制作方法、装置
    一种硅基有机发光半导体显示屏及其制作方法、装置_歌尔科技有限公司_202311790607.X
    本发明公开了一种硅基有机发光半导体显示屏及其制作方法、装置，该方法包括：在硅片上制作多个模组，模组上从下至上依次叠放有电路层、阳极层、发光层、封装层和彩膜层；基于预设外形形状沿各电路层之间的切割道对硅片进行刻蚀，得到多个独立的、外形与预设外...
    2025-07-29
  • 显示面板及其制作方法、显示装置和掩膜版
    显示面板及其制作方法、显示装置和掩膜版_京东方科技集团股份有限公司_202311799736.5
    本公开实施例提供了一种显示面板，属于显示技术领域。显示面板中显示背板具有在第一方向上依次相连的第一区域、拼接区和第二区域，各区域发光单元的分布密度相同。显示背板中第一信号线位于拼接区、第二信号线位于第一或第二区域，分别控制第一和第二发光单元...
    2025-07-29
  • 发光器件及其制备方法、显示装置
    发光器件及其制备方法、显示装置_广东聚华新型显示研究院_202311804436.1
    本申请公开了一种发光器件及其制备方法、显示装置，涉及显示领域。所述发光器件包括层叠设置的阳极、发光层、电子功能层和阴极，所述发光层与所述电子功能层之间设置有界面调控层，所述界面调控层中包括第一铵盐。本申请中，首先，界面调控层减少了发光层与电...
    2025-07-29
  • 一种复合材料、载流子功能薄膜及其应用
    一种复合材料、载流子功能薄膜及其应用_广东聚华印刷显示技术有限公司_202311805394.3
    本申请属于显示技术领域，涉及一种复合材料、载流子功能薄膜及其应用。所述复合材料包括：载流子传输材料、添加剂。采用复合材料制备薄膜，使薄膜具有大尺寸、连续、层状晶体生长的特征，表面平整度达到分子水平，以利于载流子在薄膜内运输。
    2025-07-29
  • 光电器件及其制备方法、显示装置
    光电器件及其制备方法、显示装置_TCL科技集团股份有限公司_202311805281.3
    本申请公开了一种光电器件及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域。光电器件包括阳极、光电单元和阴极，光电单元包括沿远离阳极方向依次设置的空穴功能层、发光层和电子功能层；电子功能层的材料包括第一电子功能材料和第一热释电材料；和/或光电器件还包...
    2025-07-29
  • 薄膜、光电器件及显示装置
    薄膜、光电器件及显示装置_TCL科技集团股份有限公司_202311804380.X
    本申请公开了一种薄膜、光电器件及显示装置。薄膜的材料包括N型半导体材料以及二维材料，所述二维材料包括氧化石墨烯和MXene材料中的一种或多种。本申请提供的薄膜中，二维材料通过表面官能团与N型半导体材料表面形成氢键，由于氢键可逆性的特点，使得...
    2025-07-29
  • 薄膜及其制备方法、发光器件及显示装置
    薄膜及其制备方法、发光器件及显示装置_广东聚华印刷显示技术有限公司_202311799189.0
    本申请实施例属于显示技术领域，涉及一种薄膜，包括无机纳米材料与半导体材料，其中，无机纳米材料包括无机N型半导体材料或无机P型半导体材料，半导体材料包括钙钛矿材料。本申请还涉及一种薄膜的制备方法、发光器件及显示装置。本申请提供的技术方案能够提...
    2025-07-29
  • 复合薄膜及其制备方法、发光器件、显示装置
    复合薄膜及其制备方法、发光器件、显示装置_TCL科技集团股份有限公司_202311804394.1
    本申请公开了一种复合薄膜及其制备方法、发光器件、显示装置，涉及显示技术领域。复合薄膜包括交替层叠设置的X层第一薄膜和Y层第二薄膜，X为≥1的整数，Y为≥1的整数；第一薄膜的材料包括无机粒子，第二薄膜的材料包括无机金属化合物。本申请提供的复合...
    2025-07-29
  • 薄膜及其制备方法、光电器件、显示装置
    薄膜及其制备方法、光电器件、显示装置_TCL科技集团股份有限公司_202311804407.5
    本申请实施例提供一种薄膜及其制备方法、光电器件、显示装置。薄膜包括修饰材料和N型半导体材料，修饰材料包括海藻酸盐和海藻酸盐衍生物中的至少一种。本申请实施例提供的薄膜，通过添加海藻酸盐和/或海藻酸盐衍生物，由于海藻酸盐和海藻酸盐衍生物自身具有...
    2025-07-29
  • 薄膜及其制备方法、光电器件
    薄膜及其制备方法、光电器件_广东聚华新型显示研究院_202311798323.5
    本申请公开了一种薄膜及其制备方法、光电器件，涉及光电技术领域。薄膜的材料包括相互交联的含铅量子点材料和含巯基化合物，含铅量子点材料和含巯基化合物之间的交联键包括单硫键。本申请提供的薄膜可以有效降低含铅量子点中的铅泄漏到环境中水体系的可能性，...
    2025-07-29
  • 光电器件及其制备方法、显示装置
    光电器件及其制备方法、显示装置_广东聚华新型显示研究院_202311798313.1
    本申请公开了一种光电器件及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域。光电器件包括依次层叠设置的第一电极、第一载流子功能层、第一界面修饰层、活性层和第二电极；其中，第一界面修饰层包括第一子层和第二子层，第一子层设置在第二子层和活性层之间；第一子...
    2025-07-29
  • 发光器件及其制备方法、显示装置
    发光器件及其制备方法、显示装置_TCL科技集团股份有限公司_202311804111.3
    本申请公开了一种发光器件及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域。发光器件包括层叠设置的第一电极、修饰层、发光层及第二电极；其中，所述修饰层的材料包括化合物A，化合物A具有如式(Ⅰ)所示的结构式： 2025-07-29
  • 显示设备及其制造方法
    显示设备及其制造方法_乐金显示有限公司_202311799770.2
    公开了一种显示设备，该显示设备包括：基板；设置在所述基板上的第一电极和第二电极；设置在所述第一电极和所述第二电极上的堤层，所述堤层包括开口；设置在所述堤层的所述开口内的微发光二极管；设置在所述微发光二极管上的高折射率层；设置在所述高折射率层...
    2025-07-29
  • 一种外延结构及发光二极管
    一种外延结构及发光二极管_厦门三安光电有限公司_202311797076.7
    本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种外延结构及发光二极管，所述外延结构包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；还包括位于所述有源层和第二半导体层之间的电子阻挡层以及位于所述电子阻挡层和所述第二半导体层之间的空穴贡献层；所述空穴贡...
    2025-07-29
  • 发光二极管的外延结构的形成方法及其形成的外延结构、可读存储介质、半导体处理设备
    发光二极管的外延结构的形成方法及其形成的外延结构、可读存储介质、半导体处理设备_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202311801372.X
    本发明公开了一种发光二极管的外延结构的形成方法及其形成的外延结构、可读存储介质、半导体处理设备。该形成方法包括：提供一基片，所述基片包含依次堆栈设置在衬底上的n型外延层、量子阱层；在量子阱层上循环进行多个生长周期制备电子阻挡层；每个生长周期...
    2025-07-29
  • 一种金属电极的激光制备方法及其应用，太阳能电池
    一种金属电极的激光制备方法及其应用，太阳能电池_株洲三一硅能技术有限公司_202311803385.0
    本发明涉及制备金属电极的技术领域，提供了一种金属电极激光制备方法及其应用，太阳能电池。该金属电极的激光制备方法包括以下步骤：(1)将基板浸入金属盐溶液中，所述金属盐溶液呈透明状或半透明状，所述金属盐溶液深度在毫米到厘米级；(2)对所述金属盐...
    2025-07-29
  • 一种太阳能薄膜电池划线绝缘性检测设备以及检测方法
    一种太阳能薄膜电池划线绝缘性检测设备以及检测方法_衢州纤纳新能源科技有限公司_202311802579.9
    本发明涉及一种太阳能薄膜电池划线绝缘性检测设备以及检测方法，太阳能薄膜电池划线绝缘性检测设备包括传送平台、升降装置、检测装置、检测起点传感器和检测终点传感器，检测装置包括固定座、滑座、导电接触探针组件和绝缘性测试仪器，固定座设置在升降气缸的...
    2025-07-29
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_华为技术有限公司_202311818028.1
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法，其中，该半导体器件包括：衬底；有源层，设置于该衬底上，该有源层包括第一沟道部和第二沟道部；栅极，设置于该衬底上，且包括第一栅极和第二栅极，该第一栅极和该第二栅极在该衬底上的垂直投影，分别与该第一沟道部、...
    2025-07-29
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_苏州能讯高能半导体有限公司_202311798023.7
    本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：衬底；外延结构，位于衬底一侧；外延结构中设置有二维电子气；栅极电极结构，包括栅极电极和栅极供电电极，存在栅极电极与栅极供电电极独立设置；第一奇模电阻，包括第一电阻电极和第二电阻电极，...
    2025-07-29
  • 一种SiC IGBT器件及其制备方法
    一种SiC IGBT器件及其制备方法_华润微电子(重庆)有限公司_202311800852.4
    本发明提供一种SiC IGBT器件及其制备方法，在器件的正面结构中引入了异质结多晶硅，该异质结多晶硅与半导体层的交界处构成多晶硅‑SiC异质结，由于两者的禁带宽度较大，因此在SiC一侧，能带向下弯曲形成较大的势垒，向下弯曲的势垒抑制空穴通过...
    2025-07-29
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