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  • 本申请涉及半导体激光器技术领域,公开了一种半导体激光器叠阵,包括激光芯片模组、散热模组、柔性导热绝缘层以及弹性紧固模组,其中,所述柔性导热绝缘层设置于所述激光芯片模组和所述散热模组之间,用于对所述激光芯片模组进行散热和绝缘;所述弹性紧固模组...
  • 本申请属于电池设备技术领域,尤其涉及一种高压盒的外壳结构、高压盒、电池及用电设备。其中,外壳结构包括:绝缘外壳,形成有用于安装电气器件的内腔,绝缘外壳设有装配侧壁;连接器,安装于装配侧壁背离内腔的外侧,连接器设有连接端子和屏蔽层,屏蔽层围绕...
  • 本申请公开一种用于无人机的电连接组件及无人机。用于无人机的电连接组件包括:机身接口,设置于无人机的机身,机身接口具有第一表面,机身接口包括设置于第一表面的第一配合部;至少一个可拆卸接口,每个可拆卸接口能够与无人机的对应功能模块电连接,每个可...
  • 本申请涉及电子设备检测技术领域,尤其涉及一种服务器插拔装置、服务器测试系统及服务器测试方法。服务器插拔装置包括固定架、驱动结构和连接器;驱动结构设置于固定架,固定架位于服务器的外侧,驱动结构能够相对于固定架沿第一方向移动,连接器的一端与驱动...
  • 本申请公开了一种电源线总成和电机,电源线总成包括绝缘保护壳、第一连接端子和电源线,绝缘保护壳设有容置腔和与容置腔连通的端子槽,第一连接端子设于端子槽,且适于和电机的插针插接连接,电源线的一端和第一连接端子连接,且电源线自第一连接端子穿过容置...
  • 本发明公开一种电连接结构、下电极组件和工艺腔室,所公开的电连接结构用于晶圆承载装置,所述电连接结构包括绝缘基部和导电部,其中:所述导电部用于向所述晶圆承载装置供电,导电部包括顺序连接的第一刚性导电件、可形变导电件和第二刚性导电件,所述第一刚...
  • 一种天线结构和蓝牙天线。天线结构包括:主要辐射部、第一接地元件、第二接地元件、载体元件、金属腔体、第一电容器,及第二电容器;第一接地元件包括第一连接区段、第一突出区段,及第二突出区段;第二接地元件包括第二连接区段、第三突出区段,及第四突出区...
  • 本申请实施例提供了一种介质滤波器单元、介质滤波器及通信设备。该介质滤波器单元包括:两个连接为一体的介质谐振腔、设置于两个介质谐振腔连接区域的耦合部件;其中,每个所述介质谐振腔上设有由表面向内凹陷的第一盲孔,所述两个介质谐振腔连接区域上设有由...
  • 本发明提供一种电池盖板结构及电池,涉及电池技术领域,该盖板结构包括:盖板主体;两连接片,间隔设置在盖板主体的底部,两连接片分别用于与电池的电芯主体的正极耳和负极耳连接;正极柱和负极柱,间隔设置在盖板主体内,正极柱和负极柱分别与两连接片连接;...
  • 本申请公开了补锂剂及其制备方法、正极极片、电池和用电装置,所述补锂剂为多孔结构,所述补锂剂包括内核、催化剂和导电剂,所述内核包括有机补锂剂;所述催化剂包括过渡金属氧化物、过渡金属碳化物、过渡金属氮化物、过渡金属硫化物、过渡金属磷化物中的至少...
  • 本申请提供了一种双离子电池和用电装置。双离子电池包括电解液和正极极片,电解液包含四氟硼酸锂,所述正极极片包括人造石墨正极活性材料,所述人造石墨正极活性材料的石墨化度为70%‑90%。该双离子电池具有优异的循环性能,长的使用寿命。
  • 本申请提供了一种负极材料及其制成的产品、负极浆料及制备方法。一种负极材料,其包括活性物质、含氟有机纳米颗粒和浸润剂;所述浸润剂包括具有式(一)结构的共聚物: 2025-09-23
  • 本申请涉及正极活性材料及其制备方法、二次电池和装置。该所述正极活性材料的化学式为LiaNibCocMndAleAf
  • 本申请提供一种钠离子电池正极极片以及钠离子电池,该正极极片包括正极集流体和设置在所述正极集流体的至少一个表面上的正极膜层,所述正极膜层包括正极活性材料、第一添加剂以及第二添加剂,所述第一添加剂为硼酸、偏硼酸、硼酸盐中的至少一种,所述第二添加...
  • 一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供衬底和位于衬底上的衬垫层;在衬垫层上形成复合结构层和位于复合结构层内的第一凹槽,第一凹槽暴露出衬垫层表面,复合结构层包括若干层第一层和若干层第二层,第二层位于相邻的第一层之间;去除第一凹槽暴露出的部...
  • 本公开提供了一种半导体测试结构及其制备方法,涉及半导体技术领域,旨在改善连接线对测试信号产生干扰的问题。本公开提供的半导体测试结构包括封装基板、转接板、多个测试芯片和信号线。其中,多个测试芯片在封装基板的一侧层叠设置。多个测试芯片中包括目标...
  • 本申请提供一种半导体结构及其制备方法,半导体结构包括第一组合结构,第一组合结构包括衬底、多个第一芯片和第二导电互联结构,其中,所述衬底包括多个第一区域和一个第二区域,多个所述第一芯片分别设置在所述衬底朝向第一方向的一侧,并分别与所述衬底在所...
  • 本公开提供了一种静电卡盘、反应腔室和半导体处理设备,所述静电卡盘包括:壳体,所述壳体包括第一晶圆承载面和与所述第一晶圆承载面相交的至少一个第二晶圆承载面;位于所述壳体中的第一吸附电极和至少一个第二吸附电极;所述第一吸附电极对应于所述第一晶圆...
  • 本公开实施例提供了一种用于晶圆传输平台的晶圆定位方法、电子设备和工艺设备。该晶圆定位方法包括:获取晶圆在晶圆传输平台内的第一图像;获取晶圆的图像特征;根据图像特征在第一图像上对晶圆进行初始定位,获得初始定位信息;基于初始定位信息,采用粒子滤...
  • 本申请提供了一种晶圆冷却方法、刻蚀方法、工艺设备及可读存储介质,其中,该晶圆冷却方法应用于冷却装置,晶圆的上表面沉积有金属薄膜,金属薄膜的材料为包括第一金属和第二金属的合金材料,且第一金属的含量大于第二金属的含量;该晶圆冷却方法包括:根据金...
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