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最新专利技术
  • 加工系统
    加工系统_拉普拉斯新能源科技股份有限公司_202311781045.2
    本申请公开了一种加工系统，该加工系统包括移动机构、反应装置、缓存机构和运输机构，反应装置设置在滑轨的第一侧；缓存机构设置在滑轨的第二侧；运输机构滑动设置于移动机构的滑轨，以获取载具，并将载具沿滑轨运输至第一位置或第二位置；其中，运输机构被配...
    2025-07-28
  • 汽车评论的细颗粒度情感分析方法
    汽车评论的细颗粒度情感分析方法_北京奔驰汽车有限公司_202311773606.4
    本发明公开一种汽车评论的细颗粒度情感分析方法，包括如下步骤：S100，对训练语料库中的训练语料进行切分短句以及分词；S200，对分词进行词语向量化；S300，对主题词进行相似词聚类；S400，对训练语料库中的训练语料提取高频词组并分类标注；...
    2025-07-28
  • 回复方法、系统、设备和存储介质
    回复方法、系统、设备和存储介质_北京字跳网络技术有限公司_202311774928.0
    本公开涉及计算机技术领域，公开了一种回复方法、系统、设备和存储介质，回复方法包括接收语言模型待回复的目标指令；获取语言模型对非毒性指令进行回复时所使用的第一参考信息，以及获取语言模型对毒性指令进行回复时所使用的第二参考信息；拼接第一参考信息...
    2025-07-28
  • 数据库测试方法、介质以及电子设备
    数据库测试方法、介质以及电子设备_华为云计算技术有限公司_202311773909.6
    本申请应用于计算机技术领域，提供了一种数据库测试方法、介质以及电子设备，其中方法包括：获取待测试数据库和校验数据库基于测试用例的输出结果；对应于测试数据库和校验数据库的输出数据格式不同，对待测试数据库或者校验数据库的输出结果进行数据格式转换...
    2025-07-28
  • 问题定位方法、装置、计算机设备及存储介质
    问题定位方法、装置、计算机设备及存储介质_北京字跳网络技术有限公司_202311775383.5
    本公开涉及数据处理技术领域，公开了问题定位方法、装置、计算机设备及存储介质，本公开提供了一种问题定位方法，包括：显示查询页面，包括用于查询可复现问题的第一对照测试项的第一数据查询控件，以及用于查询不可复现问题的第二对照测试项的第二数据查询控...
    2025-07-28
  • 一种在衬底上形成空腔结构的工艺方法
    一种在衬底上形成空腔结构的工艺方法_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202311778410.4
    本发明公开了一种在衬底上形成空腔结构的工艺方法，包括以下步骤：提供硅衬底，所述硅衬底表面具有掩膜层，所述掩膜层具有多个开口图形，所述开口图形底部暴露出所述硅衬底的顶部表面；通入第一刻蚀气体点燃等离子体，按照所述开口图形向下刻蚀所述硅衬底以形...
    2025-07-28
  • 适用于多种定子入箱的压装设备和压装方法
    适用于多种定子入箱的压装设备和压装方法_威乐(中国)水泵系统有限公司_202311772805.3
    本申请涉及一种适用于多种定子入箱的压装设备和压装方法，压装设备包括：定子固定装置，其包括固定基座，定子总成固定在固定基座上；机壳压装装置，其包括下压头和机壳套，机壳套竖直可滑动设置在固定基座的正上方，且包括两个对合设置的合抱单元，两个合抱单...
    2025-07-28
  • 一种包埋菌剂、饲料和原生富含ARA牛奶及其制备方法
    一种包埋菌剂、饲料和原生富含ARA牛奶及其制备方法_内蒙古蒙牛乳业(集团)股份有限公司_202311768138.1
    本发明涉及纯牛奶技术领域，尤其涉及一种包埋菌剂、饲料和原生富含ARA牛奶及其制备方法。本发明提供的包埋菌剂包括高山被孢霉干菌体；和，包覆在所述高山被孢霉干菌体外的包埋层；所述包埋层包括质量比为(5.5～7.0):(3.0～4.5)的第一组分...
    2025-07-28
  • 栅极驱动器电路
    栅极驱动器电路_德州仪器公司_202380080548.9
    一种栅极驱动器电路包含上拉电路(118)、下拉电路(126)、电平移位器电路(116)和驱动强度控制电路(144)。所述上拉电路(118)包含上拉输出、第一信号输入和第一启用输入。所述上拉输出耦合到栅极驱动输出。所述第一信号输入耦合到驱动信...
    2025-07-28
  • 一种融合蛋白及其应用
    一种融合蛋白及其应用_广州瑞风生物科技有限公司_202380079898.3
    一种融合蛋白，所述融合蛋白包含细胞因子结合胞外结构域和信号转导胞内结构域；所述细胞因子结合胞外结构域选自IL‑10受体胞外域、IL‑4受体胞外域、IL‑13受体胞外域、IL‑6受体胞外域或上述任意受体胞外域的变体；所述信号转导胞内结构域为I...
    2025-07-28
  • 电子装置
    电子装置_群创光电股份有限公司_202311777090.0
    本发明公开了一种电子装置，其包括电路基板、阻隔层、光接收层、发光层以及第一遮光图案。阻隔层设置于电路基板上，并包括第一开口、第二开口以及阻隔墙，且阻隔墙位于第一开口与第二开口之间。光接收层设置于第一开口中，且发光层设置于第二开口中。第一遮光...
    2025-07-28
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_泉州三安半导体科技有限公司_202311791441.3
    本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及显示装置。显示面板至少可包括：由多个子像素元件组成的微型发光二极管像素，多个子像素元件至少包括第一子像素元件、第二子像素元件和第三子像素元件；第一子像素元件设置为发射第一颜色的第一光束，呈现第一...
    2025-07-28
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_泉州三安半导体科技有限公司_202311791429.2
    本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及显示装置。显示面板至少可包括：由多个子像素元件组成的微型发光二极管像素，多个子像素元件至少包括第一子像素元件、第二子像素元件和第三子像素元件；第一子像素元件设置为发射第一颜色的第一光束，呈现第一...
    2025-07-28
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_泉州三安半导体科技有限公司_202311787127.8
    本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及显示装置。显示面板至少可包括：由多个子像素元件组成的微型发光二极管像素，多个子像素元件至少包括第一子像素元件、第二子像素元件和第三子像素元件；第一子像素元件设置为发射第一颜色的第一光束，呈现第一...
    2025-07-28
  • 太阳能电池、光伏组件及光伏系统
    太阳能电池、光伏组件及光伏系统_天合光能股份有限公司_202311789078.1
    本发明涉及一种太阳能电池、光伏组件及光伏系统。太阳能电池包括：基底；以及钝化接触层，设置于基底的第一表面，钝化接触层包括第一多晶硅掺杂导电层；其中，第一多晶硅掺杂导电层的掺杂元素选自铝元素、镓元素、铟元素以及铊元素中的至少一者。本发明的太阳...
    2025-07-28
  • 一种像素结构及图像传感器
    一种像素结构及图像传感器_思特威(上海)电子科技股份有限公司_202311791927.7
    本申请描述了一种像素结构，应用于图像传感器，像素结构包括：多个像素单元，按行、列周期性排布；深槽隔离结构，深槽隔离结构包括在像素结构中周期性分布的多个隔离单元，多个像素单元位于多个隔离单元限定的周期性重复结构内；其中，隔离单元至少包括相互之...
    2025-07-28
  • 图像传感器及其制备方法、电子设备
    图像传感器及其制备方法、电子设备_思特威(上海)电子科技股份有限公司_202311790675.6
    本发明提供一种图像传感器及其制备方法、电子设备，制备方法包括：提供半导体衬底，包括第一掺杂类型的离子掺杂区；形成器件功能层；对半导体衬底进行热处理，使离子掺杂区的掺杂离子扩散至位于半导体衬底上方的材料层中，以形成光吸收驱动层；以及制备半导体...
    2025-07-28
  • 显示装置及电子基板
    显示装置及电子基板_群创光电股份有限公司_202311781774.8
    本发明公开了一种电子基板以及一种包括电子基板的显示装置。电子基板包括基材，以及设置基材上的多条数据线、多条扫描线和多个单元电路。多个单元电路由多条数据线与多条扫描线交错而定义。多个单元电路中的其中一者包括设置基材上的晶体管与忆阻器。忆阻器与...
    2025-07-28
  • 超结横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法
    超结横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法_电子科技大学_202311786323.3
    本申请涉及一种超结横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，该超结横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底结构，所述衬底结构内设有第一阱区、源区和漏区，所述漏区和所述第一阱区间隔排布，所述源区位于所述第一阱区内；表面超结结构，设于所述衬底结构...
    2025-07-28
  • 半导体结构的制备方法及其结构
    半导体结构的制备方法及其结构_长鑫科技集团股份有限公司_202311791717.8
    本申请涉及一种半导体结构的制备方法及其结构，通过提供衬底，衬底上包括用于形成晶体管的第一区域和第二区域，其中，第一区域用于形成源极/漏极，第二区域用于形成栅极，于部分第二区域内衬底上形成介电层，在预设温度下于衬底上未覆盖介电层的区域形成目标...
    2025-07-28
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