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最新专利技术
  • 扩增猴源抗体可变区基因的引物组、试剂盒和猴源抗体制备方法
    扩增猴源抗体可变区基因的引物组、试剂盒和猴源抗体制备方法_武汉爱博泰克生物科技有限公司_202311748687.2
    本发明属于基因工程抗体制备技术领域，尤其涉及扩增猴源抗体可变区基因的引物组、试剂盒和猴源抗体制备方法，所述引物组包括以下(1)‑(3)中的一种或多种：(1)用于扩增γ重链可变区的引物对，其DNA序列如SEQ ID NO.1‑3所示；(2)用...
    2025-07-26
  • SOS1蛋白抑制剂的制备及其应用
    SOS1蛋白抑制剂的制备及其应用_中国海洋大学_202311744853.1
    本发明属于医药化学技术领域，具体涉及一种可结合SOS1的化合物及其组合物，还涉及可结合SOS1的化合物及其组合物的应用；具体公开了一种可以结合SOS1的化合物及其药学上可接受的盐、水合物、溶剂合物、前药、立体异构体或互变异构体，所述化合物如...
    2025-07-26
  • 巯基吡啶衍生物及其在溶血剂中的用途
    巯基吡啶衍生物及其在溶血剂中的用途_中元汇吉生物技术股份有限公司_202311749068.5
    本发明公开了一种应用于溶血剂的化合物及其组合物，通过向溶血剂配方中引入具备弱还原性且能与血色素氧合酶结合以限制酶活性的化合物，降低皂苷与血色素氧合酶的结合比例，限制血红素‑胆绿素‑胆红素氧化还原系统对皂苷的依赖程度，提高溶血剂配方对商品化皂...
    2025-07-26
  • 一种老龄垃圾渗滤液全量化处理系统和方法
    一种老龄垃圾渗滤液全量化处理系统和方法_中钢武汉安全环保研究院股份有限公司_202311751874.6
    本发明公开了一种老龄垃圾渗滤液全量化处理系统和方法。包括包括预处理反应器（10）、沉淀池（11）、两级MBR装置、微电解反应器、芬顿反应器、反应沉淀池、动态膜生物反应器、吸附芬顿装置、产水池；预处理反应器出水口（9）连接所述混合罐进水管（1...
    2025-07-26
  • 轨迹规划方法、装置及终端设备
    轨迹规划方法、装置及终端设备_北京万集科技股份有限公司_202311754692.4
    本申请适用于自动驾驶技术领域，提供了一种轨迹规划方法、装置及终端设备，该方法包括：获取目标车辆对应的参考轨迹及至少一个关联轨迹，其中，关联轨迹是指目标车辆对应的至少一个关联车辆在参考时段内的历史轨迹；确定每个关联轨迹分别与参考轨迹之间的代价...
    2025-07-26
  • 轨迹规划方法、装置及终端设备
    轨迹规划方法、装置及终端设备_北京万集科技股份有限公司_202311753594.9
    本申请适用于自动驾驶技术领域，提供了一种轨迹规划方法、装置及终端设备，该方法包括：获取路侧设备发送的当前道路范围内的至少一个参考先验轨迹；获取目标车辆当前的第一行驶数据及至少一个关联车辆当前的第二行驶数据；根据每个第二行驶数据及各个参考先验...
    2025-07-26
  • 一种二氧化硫选择加氢催化剂及其制备方法
    一种二氧化硫选择加氢催化剂及其制备方法_山东齐鲁科力化工研究院股份有限公司_202311764821.8
    本发明公开一种二氧化硫选择加氢制硫催化剂，包括催化剂载体和催化剂活性成分，所述催化剂载体包括质量分数为65‑95％的Al2O3或Al2O3与SiO
    2025-07-26
  • 一种烟叶分片装置
    一种烟叶分片装置_秦皇岛烟草机械有限责任公司_202311748277.8
    本发明公开了一种烟叶分片装置，包括：进料机构；第一提升机构，与进料机构的出料端相配合；第一拨料机构，设置在第一提升机构上方，用于对烟叶摊薄松散；第一提升机构设有分流区，用于将摊薄松散后烟叶分流，部分烟叶输送至出料端，部分烟叶向下跌落松散分片...
    2025-07-26
  • 具有射频暴露遵循性的发送功率控制
    具有射频暴露遵循性的发送功率控制_高通股份有限公司_202380082099.1
    本公开的某些方面提供了用于依照射频（RF）暴露遵循性来操作无线设备的技术和装置。一种可由无线设备执行的方法包括：确定与发送时机相关联的发送功率，以及基于该发送功率来确定与该发送时机相关联的能量使用。该方法还包括基于与该发送时机相关联的该能量...
    2025-07-26
  • 带保护膜的衍射光学膜、带保护膜的衍射光学膜的激光刻印方法及带保护膜的衍射光学膜的识别方法
    带保护膜的衍射光学膜、带保护膜的衍射光学膜的激光刻印方法及带保护膜的衍射光学膜的识别方法_富士胶片株式会社_202380079011.0
    本发明提供一种带保护膜的衍射光学膜、带保护膜的衍射光学膜的激光刻印方法及带保护膜的衍射光学膜的识别方法，该带保护膜的衍射光学膜具有制造上所需的刻印，并且抑制颗粒及飞散物等的附着。本发明的带保护膜的衍射光学膜包括保护膜及衍射光学元件，其中，衍...
    2025-07-26
  • 用于避免蒸气压缩系统中发生溢流的方法
    用于避免蒸气压缩系统中发生溢流的方法_丹佛斯有限公司_202380082520.9
    披露了一种用于控制蒸气压缩系统（1）的方法。监测离开蒸发器（5）的制冷剂的过热值（13），并计算表示所监测的过热值（13）的方差的量（15）。操作膨胀装置（4），以便获得离开蒸发器（5）的制冷剂的与参考过热值（14）基本上相等的过热值（13...
    2025-07-26
  • PRMT5抑制剂及其用途
    PRMT5抑制剂及其用途_吉利德科学公司_202380079690.1
    本公开整体涉及抑制PRMT5的化合物。本公开进一步涉及这些化合物用于制备用于通过抑制PRMT5来治疗疾病和/或病症的药物的用途。本公开进一步涉及这些化合物用于治疗与染色体9p21缺失或MTAP无效相关的疾病或病症的用途。本公开进一步涉及这些...
    2025-07-26
  • 用于包装产品的处理和码垛单元
    用于包装产品的处理和码垛单元_普勒斯莱恩有限责任公司_202380079677.6
    用于包装产品的处理和码垛单元包括第一区段(1)和第二码垛区段(2)，该第一区段(1)用于形成和可能地打包生产批次件，其中，在第一区段(1)中布置有用于形成批次件(L)的装置、打包通道(TS)和第一操纵器(4)，该第一操纵器(4)形成由打包的...
    2025-07-26
  • 包含莰醇和肽的缀合物及其用途
    包含莰醇和肽的缀合物及其用途_拜西欧斯(北京)生物技术有限公司_202380077799.1
    提供了包含莰醇和肽的缀合物，其中所述肽包含LDTEI(SEQ ID NO：1)或SEQ ID NO：1中发生一处或多处保守性取代的变体、LLDTEI(SEQ ID NO：37)、CLDTEI(SEQ ID NO：689)或者SEQ ID N...
    2025-07-26
  • 发光器件及其制作方法和显示器件及其制作方法
    发光器件及其制作方法和显示器件及其制作方法_甬江实验室_202311765030.7
    本发明提供了发光器件及其制作方法和显示器件及其制作方法。该发光器件包括：驱动背板以及设置在所述驱动背板上的发光芯片；所述驱动背板上设有背板电极，所述发光芯片包括发光本体和第一电极；还包括用于将所述第一电极与所述背板电极相连以实现所述发光芯片...
    2025-07-26
  • 一种光电探测器及其制造方法
    一种光电探测器及其制造方法_上海新微技术研发中心有限公司_202311770259.X
    本申请提供一种光电探测器及其制备方法。该光电探测器包括：第一掺杂区，其设置于衬底，具有第一掺杂类型；光吸收层，其设置于所述第一掺杂区的表面；以及接触电极，其与所述光吸收层的表面接触，所述接触电极为透明导电材料制成。根据本申请，与光吸收区的表...
    2025-07-26
  • 一种背照式图像传感器的栅格结构及形成方法
    一种背照式图像传感器的栅格结构及形成方法_格科半导体(上海)有限公司_202311770148.9
    本发明公开了一种背照式图像传感器的栅格结构及形成方法，形成方法包括：提供衬底；在所述衬底背面的金属层上形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成多层介质层；通过刻蚀形成图形化的硬掩膜层，并暴露出所述金属层；通过清洁气体去除所述图形化的硬掩膜层的底部...
    2025-07-26
  • 图像传感器及其形成方法
    图像传感器及其形成方法_上海集成电路研发中心有限公司_202311769994.9
    本发明提供一种图像传感器及其形成方法，通过在像素阵列上层形成隔离墙，且隔离墙位于相邻且颜色不同的颜色模块之间，所述隔离墙的顶部具有金字塔结构，并且所述隔离墙的高度不低于微透镜结构与所述颜色模块的高度之和，因此，隔离墙能够降低相邻微透镜结构以...
    2025-07-26
  • 一种半导体器件、其制作方法及电子设备
    一种半导体器件、其制作方法及电子设备_华为技术有限公司_202311770127.7
    本申请提供一种半导体器件、其制作方法及电子设备，包括：沟道层、势垒层、第一介质层、第二介质层、栅极和场板，第一介质层中设置有贯穿的第一通孔和第二通孔，栅极设于势垒层和第二介质层之间且通过第一通孔与势垒层连接，第二介质层填充第二通孔，使第二介...
    2025-07-26
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_苏州能讯高能半导体有限公司_202311763967.0
    本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括位于有源区的源极、漏极和第一栅极分部；还包括至少一层源极场板，源极场板包括同层设置的第一场板分部以及第二场板分部；第一场板分部与第二场板分部断开，且第二场板分部与源极电连接，形成非等电位...
    2025-07-26
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