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最新专利技术
  • 一种siRNA沉默效率预测方法及装置
    一种siRNA沉默效率预测方法及装置_奥智林(北京)生物科技有限公司_202410305412.X
    本申请实施例提供了一种siRNA沉默效率预测方法及装置，涉及数据处理技术领域，上述方法包括：获得mRNA的组织结构特征，组织结构特征包括mRNA中各碱基所属的组织结构，组织结构包括凸环、内环、多分支环、茎区、发卡环、自由单链中的至少一种；确...
    2025-10-08
  • 一种基于肌电信号与肌力信号的新型矿山救护队员训练方案优化系统及方法
    一种基于肌电信号与肌力信号的新型矿山救护队员训练方案优化系统及方法_中国矿业大学(北京)_202410304334.1
    本发明专利公开了一种基于肌电信号与肌力信号的新型矿山救护队员训练方案优化系统及方法，其特征在于，测量矿山救护队员常见实战动作的肌电信号与肌力信号，并以此为依据对矿山救护队员的训练方案进行优化推荐。为实现上述目的，本发明专利采用了如下技术方案...
    2025-10-08
  • 一种基于脑机交互的盆底磁刺激训练系统及方法
    一种基于脑机交互的盆底磁刺激训练系统及方法_杭州翼生医疗科技发展有限公司_202410305009.7
    本发明公开了一种基于脑机交互的盆底磁刺激训练系统，包括脑电采集模块，脑电采集模块采集的脑电信号输入到脑电解码算法模块，脑电解码算法模块包括脑电评估单元和脑电训练单元；控制模块接收来自脑电解码算法模块的信号或反应评估模块的信号后，生成控制信号...
    2025-10-08
  • 运动检测方法、装置、电子设备和存储介质
    运动检测方法、装置、电子设备和存储介质_中国科学院微电子研究所_202410307384.5
    本公开提供一种运动检测方法、装置、电子设备和存储介质，涉及运动训练技术领域。上述方法包括：获取被检测对象的至少两个检测位置的肌电信号；调用运动检测模型，处理至少两个检测位置的肌电信号，得到至少两个检测位置的关节角度信息和肌力信息，其中，每个...
    2025-10-08
  • 一种智能导检方法及装置
    一种智能导检方法及装置_北京京东拓先科技有限公司_202410309229.7
    本公开提供了一种智能导检方法及装置，其中，该方法包括：基于目标用户的待检项目，确定所述目标用户的目标导检方案；响应于所述目标用户基于所述目标导检方案开始体检，获取针对所述待检项目的更新信息；其中，所述更新信息包括针对所述目标体检方案中待检项...
    2025-10-08
  • 远程急救交互方法以及监护终端
    远程急救交互方法以及监护终端_深圳市理邦精密仪器股份有限公司_202410308104.2
    本申请公开了远程急救交互方法以及监护终端，远程急救交互方法应用于远程急救交互系统的监护终端，系统还包括监护装置和监测装置，交互方法包括：检测到监护装置的启动按键被按下时，通过监护终端的显示界面提供第一对话框；第一对话框包括确认进入抢救观察界...
    2025-10-08
  • 一种具有散热结构的箱式变压器
    一种具有散热结构的箱式变压器_中国三峡新能源(集团)股份有限公司_202410308545.2
    本发明提供一种具有散热结构的箱式变压器，涉及变压器技术领域。该具有散热结构的箱式变压器包括：箱体，箱体上具有至少一个进风口和至少一个第一风扇，第一风扇对应设置在进风口内，第一风扇用于抽取箱体的外部的空气；变压器本体，变压器本体设置在箱体的内...
    2025-10-08
  • 变压器油位补偿冷却器
    变压器油位补偿冷却器_沈阳沈变所电气科技有限公司_202410307734.8
    本发明公开了一种变压器油位补偿冷却器，属于储油柜技术领域。该变压器油位补偿冷却器，包括下集油盒和上集油盒，所述上集油盒靠近变压器中心的一侧表面设置有进油管，所述下集油盒远离变压器中心的一侧表面设置有出油管，所述下集油盒和上集油盒之间设置有波...
    2025-10-08
  • 积层陶瓷电容
    积层陶瓷电容_国巨股份有限公司_202410305247.8
    一种积层陶瓷电容包含积层砖及第一与第二端电极。积层砖包含陶瓷体及第一与第二内电极。陶瓷体具上下表面及相对的第一与第二端面。第一与第二内电极交替嵌在陶瓷体中。第一内电极自第一端面朝第二端面延伸。第二内电极自第二端面朝第一端面延伸。第一与第二内...
    2025-10-08
  • 一种用于超级电容器的三嗪高分子聚合物高性能电极材料及制备方法
    一种用于超级电容器的三嗪高分子聚合物高性能电极材料及制备方法_华北电力大学(保定)_202410306058.2
    本发明属于电化学储能技术领域，本发明与现有现有技术方案不同，提出了一种三嗪高分子聚合物高性能材料制备方法。该方法具有步骤简单，制作流程高效等优点。所得三嗪高分子材料可以直接作为超级电容器的电极材料，能够保持三嗪分子的稳定性和其聚合而成的高分...
    2025-10-08
  • 一种利于灭弧的大开距框架断路器或隔离开关
    一种利于灭弧的大开距框架断路器或隔离开关_上海思源低压开关有限公司_202410308403.6
    一种利于灭弧的大开距框架断路器或隔离开关，它包括机构主轴，所述机构主轴通过连杆机构能够带动动触头绕其自身的转动中心转动，所述动触头转动过程中与静触头的接触和分离控制断路器或隔离开关的通断，所述动触头上的动银点与静触头上的静银点在所述动触头转...
    2025-10-08
  • 一种框架断路器或隔离开关灭弧室和触头系统的布局结构
    一种框架断路器或隔离开关灭弧室和触头系统的布局结构_上海思源低压开关有限公司_202410308401.7
    一种框架断路器或隔离开关灭弧室和触头系统的布局结构，其特征在于：它包括动触头和静触头，所述动触头和静触头布置在壳体内位于灭弧室下方位置，所述动触头和静触头分断时候产生的电弧能够被引导进入灭弧室被熄灭，所述动触头上的动银点与静触头上的静银点在...
    2025-10-08
  • 一种框架断路器或隔离开关用静触头引弧角
    一种框架断路器或隔离开关用静触头引弧角_上海思源低压开关有限公司_202410308402.1
    一种框架断路器或隔离开关用静触头引弧角，所述静触头引弧角a设置在灭弧栅片组一侧端的外侧方，所述静触头引弧角一端与静触头连接，另一端延伸到所述灭弧栅片组一端的外侧方，所述静触头引弧角另一端的端点位于所述灭弧栅片组高度的3/5～4/5位置处。框...
    2025-10-08
  • 调节双腔体系统中偏置发生器相位延迟的设备和方法
    调节双腔体系统中偏置发生器相位延迟的设备和方法_英特尔NDTM美国有限公司_202410308673.7
    本发明涉及调节双腔体系统中偏置发生器之间相位延迟的设备和方法，双腔体系统包括：第一腔体装置，包括：包括第一卡盘的第一腔体和与该第一卡盘相连接的第一偏置发生器；第二腔体装置，包括：包括第二卡盘的第二腔体和与该第二卡盘相连接的第二偏置发生器，其...
    2025-10-08
  • 电子设备、电子器件及其制作方法
    电子设备、电子器件及其制作方法_华为技术有限公司_202410309500.7
    本申请实施例公开了一种电子设备、电子器件及其制作方法，涉及金刚石技术领域，解决了现有金刚石在半导体异质材料成膜时生长界面的结合力差，导致容易脱膜失效的问题。该电子器件包括缓冲层、钝化层、金刚石层及半导体器件层。其中，缓冲层具有相对设置的第一...
    2025-10-08
  • 清洁方法及半导体设备
    清洁方法及半导体设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410309507.9
    本发明提供一种清洁方法及半导体设备，半导体设备包括传输腔室、及用于对传输腔室抽真空的抽气泵组和高抽速泵，传输腔室的腔壁上设有出气口及多个充气口，出气口和多个充气口的分布方式配置成使传输腔室的各个拐角区域均能够被气体吹扫；抽气泵组的抽速低于高...
    2025-10-08
  • 压环组件、半导体工艺腔室及其控制方法
    压环组件、半导体工艺腔室及其控制方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202410309374.5
    本发明提供一种压环组件、半导体工艺腔室及其控制方法。压环组件包括环形本体；在环形本体内沿其周向环绕设置有环形负压通道，环形负压通道在环形本体上形成有抽入口和抽出口；环形本体可升降地在第一位置和第二位置之间移动，在环形本体处于第一位置的情况下...
    2025-10-08
  • 一种电子电路器件及电子设备
    一种电子电路器件及电子设备_华为技术有限公司_202410310212.3
    本申请实施例公开了一种电子电路器件及电子设备。该电子电路器件包括本体结构和接口焊点，该本体结构包括有机材料，接口焊点与本体结构电连接；在本体结构的外周表面包覆有防潮层，防潮层包括无机膜层，且接口焊点外露于防潮层，以构建相应的电连接。如此设置...
    2025-10-08
  • 功率模组及功率变换装置
    功率模组及功率变换装置_华为数字能源技术有限公司_202410310451.9
    本申请实施方式提供一种功率模组及功率变换装置。功率模组包括第一基板、第一芯片、互连件、第一阻挡结构、连接物及封装体，第一芯片与第一基板层叠设置，第一阻挡结构设于互连件的外表面，第一芯片与互连件之间通过连接物连接，第一阻挡结构、连接物、第一芯...
    2025-10-08
  • 封装结构、电子设备和封装结构的制备方法
    封装结构、电子设备和封装结构的制备方法_华为技术有限公司_202410310585.0
    本申请实施例提供了一种封装结构、电子设备和封装结构的制备方法，涉及电子设备技术领域。其中，封装结构包括第一芯片、第一布线层、第二布线层、第一封装层、第一连接部和第二芯片。第一布线层设于第一芯片的第一表面所在一侧且与第一芯片电连接。第二布线层...
    2025-10-08
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