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最新专利技术
  • 支撑结构、半导体工艺腔体和半导体工艺设备
    支撑结构、半导体工艺腔体和半导体工艺设备_深圳市新凯来工业机器有限公司_202610242832.7
    本申请涉及半导体层生长工艺技术领域，尤其涉及一种支撑结构、半导体工艺腔体和半导体工艺设备，支撑结构包括：承载件，承载件上设有两个支臂，两个支臂在同一平面内延伸，且两个支臂相靠近的端部分别与承载件连接，以组合形成弧形状，两个支臂相背离的端部分...
    2026-05-02
  • 一种应用于ALD原子层沉积炉管式设备的安装装置及方法
    一种应用于ALD原子层沉积炉管式设备的安装装置及方法_杭州星原驰半导体有限公司_202610387521.X
    本发明涉及原子层沉积设备制造技术领域，具体为一种应用于ALD原子层沉积炉管式设备的安装装置及方法，包括若干固定基架和一个升降基架，相邻两个基架之间可拆卸拼接，若干基架沿安装方向依次排布且升降基架位于靠近炉管式设备的一侧，升降基架顶部设有升降...
    2026-05-02
  • 一种喷淋装置及沉积镀膜设备
    一种喷淋装置及沉积镀膜设备_江苏微导纳米科技股份有限公司_202610131881.3
    本发明公开一种喷淋装置及沉积镀膜设备，其中，该喷淋装置包括喷淋部件和抽气部件，所述喷淋部件包括喷淋盘，所述喷淋盘设置有喷淋孔，所述抽气部件安装于所述喷淋盘的中部区域，所述抽气部件被配置为能够用于抽气。上述喷淋装置可改善反应气体中部聚集的情况...
    2026-05-02
  • 一种改善ALD膜厚均匀性的工艺
    一种改善ALD膜厚均匀性的工艺_艾华(无锡)半导体科技有限公司_202511921326.2
    本发明是一种改善ALD膜厚均匀性的工艺，包括以下步骤：1)先打开载气与源瓶之间进气管上的载气控制阀，向源瓶通入载气，时间控制在1‑5s，并保持源瓶与反应腔之间供气管上的TMA出气控制阀关闭，反应腔内硅片装载量＞6排；2)保持载气控制阀打开，...
    2026-05-02
  • 衬底处理方法、半导体器件的制造方法、程序制品及衬底处理装置
    衬底处理方法、半导体器件的制造方法、程序制品及衬底处理装置_株式会社国际电气_202511344529.X
    本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、程序制品及衬底处理装置。提供一种能够提高成膜速率的技术。包括：a)向衬底供给包含构成膜的主元素和卤元素的第1气体的工序；b)向衬底供给包含氢的第1还原气体的工序；c)向衬底供给第2还原气体的工序...
    2026-05-02
  • 一种微纳米粉末表面沉积包覆回转窑炉
    一种微纳米粉末表面沉积包覆回转窑炉_湖南天际智慧材料科技有限公司_202411475097.1
    本发明涉及微纳米粉末表面沉积包覆设备领域，提供了一种微纳米粉末表面沉积包覆回转窑炉，包括炉体及炉体回转管和多孔分散板及挡板组成的隔仓、工作气体系统和加料装置，工作气体系统包括若干流化包覆材料或气态包覆前驱体材料进气管、比例阀组，比例阀组通过...
    2026-05-02
  • 一种原子级薄的V2O3二维材料及其CVD合成方法、应用和电学器件
    一种原子级薄的V2O3二维材料及其CVD合成方法、应用和电学器件_湖南大学_202512023615.7
    本发明属于二维材料制备领域，具体公开了一种原子级薄的V2O3二维材料及其CVD合成方法、应用和电学器件，其中，所述的CVD合成方法为：将VCl3挥发，并在挥发的锗源催化下和CVD管式炉中的痕量氧进行化学气相沉积反应，在硅基底上生长所述的原子...
    2026-05-02
  • 一种碳化硅化学气相沉积设备及其沉积方法
    一种碳化硅化学气相沉积设备及其沉积方法_广东精瓷新材料有限公司_202610221040.1
    本发明公开了一种碳化硅化学气相沉积设备及其沉积方法，设备包括：反应腔；设置于反应腔内部的、具有进气口和排气口的密闭或准密闭内反应室，内反应室用于提供碳化硅沉积的独立反应空间，并与反应腔壁之间形成夹层；设置于夹层内、用于加热内反应室的独立发热...
    2026-05-02
  • 一种基于顺序碳纳米沉积的复合绝缘散热结构的制备方法
    一种基于顺序碳纳米沉积的复合绝缘散热结构的制备方法_苏州赛翡斯新材料科技有限公司_202512005430.3
    本发明涉及复合绝缘散热材料领域，具体涉及一种基于顺序碳纳米沉积的复合绝缘散热结构的制备方法，具体包括如下步骤：铜线以稳定速度连续通过液相沉积区，在交变电磁场的辅助作用下，功能化石墨烯逐步沉积并自组装形成致密绝缘底层；持续沉积5‑30分钟，使...
    2026-05-02
  • 锡金属薄膜及其制备方法
    锡金属薄膜及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511969776.9
    本申请属于半导体加工工艺中的薄膜制备领域，实施例提供一种锡金属薄膜及其制备方法。所述方法包括以下步骤：提供衬底，并令所述衬底位于沉积腔内；利用载气将有机锡前驱体输送至衬底上；利用还原性气体还原所述有机锡前驱，以在所述衬底上形成锡金属薄膜。本...
    2026-05-02
  • 基于专家数据库的卷膜镀膜机多段张力控制方法、系统及介质
    基于专家数据库的卷膜镀膜机多段张力控制方法、系统及介质_中国科学院上海硅酸盐研究所_202511837944.9
    本发明涉及一种基于专家数据库的卷膜镀膜机多段张力控制方法、系统及介质，涉及卷绕镀膜设备领域，所述方法包括获取卷膜镀膜机中多个张力段的状态指纹；基于状态指纹查询机器专家数据库，获得对应的控制参数，规则库存储基于现场经验的控制策略条目，数据驱动...
    2026-05-02
  • 一种提升铜箔剥离强度的表面改性方法
    一种提升铜箔剥离强度的表面改性方法_灵宝金源朝辉铜业有限公司_202512026439.2
    本发明公开了一种提升铜箔剥离强度的表面改性方法。该方法通过离子注入从原子尺度重构铜表面化学态，实现硅烷偶联剂高密度接枝。该方法突破传统工艺对物理粗糙度的依赖，在保持铜箔宏观形貌与尺寸精度的前提下，使接枝密度达到理论单分子层覆盖率90%以上，...
    2026-05-02
  • 一种往复高温镀膜工艺槽
    一种往复高温镀膜工艺槽_珠海普伊特自动化系统有限公司_202610215839.X
    本发明公开了一种往复高温镀膜工艺槽。该工艺槽包括：槽体、溅射镀膜部、第一加热部、第二加热部、滚筒输送部及载具；槽体内腔分隔为溅射镀膜腔以及位于溅射镀膜腔两端的左加热腔、右加热腔，溅射镀膜腔通过两个隔板的连通端口连通左加热腔、右加热腔；溅射镀...
    2026-05-02
  • 一种智能终端塑胶基材表面的稀有金属强化防护工艺
    一种智能终端塑胶基材表面的稀有金属强化防护工艺_深圳市尚宝三防技术有限公司_202610153388.1
    本发明涉及磁控溅射技术领域，公开了一种智能终端塑胶基材表面的稀有金属强化防护工艺，包括：监测高纯钴靶或镍铂合金靶溅射脉冲引燃时延，依据时延偏差补偿电压起始段上升沿斜率，平抑由靶面磁场拓扑漂移引起的放电能量过冲；根据塑胶基材玻璃化转变温度与实...
    2026-05-02
  • 基于薄膜生长表面温度调控的磁控溅射薄膜制备工艺
    基于薄膜生长表面温度调控的磁控溅射薄膜制备工艺_中北大学_202610118664.0
    本发明属于薄膜制备技术领域，提供了基于薄膜生长表面温度调控的磁控溅射薄膜制备工艺，本发明将X型多层结构NiCr/NiSi薄膜热电偶直接集成于基底表面，利用塞贝克效应公式将热电偶采集的热电势信号精准转换为薄膜生长表面温度；通过建立温度调控量化...
    2026-05-02
  • 一种耐气动剥蚀的复合薄膜及其制备方法和应用
    一种耐气动剥蚀的复合薄膜及其制备方法和应用_北京市科学技术研究院_202610114461.4
    本发明公开了一种耐气动剥蚀的复合薄膜及其制备方法和应用，涉及表面防护涂层技术领域，制备方法包括以下步骤：基体预处理与安装；抽高真空与离子清洗；HiPIMS沉积纯Ti结合层；HiPIMS交替沉积TiN/TiAlSiN循环多层结构。本发明形成具...
    2026-05-02
  • 一种耐冲击磨损的纳米复合涂层及其制备方法
    一种耐冲击磨损的纳米复合涂层及其制备方法_北京市科学技术研究院_202610114113.7
    本发明公开了一种耐冲击磨损的纳米复合涂层及其制备方法，涉及表面防护涂层技术领域。该纳米复合涂层具体包括在基片上依次层叠设置的Ti结合层、TiAlSiCN和TiAlSiN的3个循环层、TiN层和掺杂WC的类金刚石碳(DLC)层。本发明通过引入...
    2026-05-02
  • 一种高利用率磁控溅射靶
    一种高利用率磁控溅射靶_山东沐东真空科技有限公司_202610101132.6
    本发明公开了一种高利用率磁控溅射靶，涉及到磁控溅射靶技术领域，其包括壳体，该磁控溅射靶还包括：底板，所述底板安装在壳体的底部，底板的底部固定安装有导电杆；顶盖，所述顶盖安装在壳体的顶部，顶盖的内部开设有腔室；背板，所述背板转动连接在壳体的顶...
    2026-05-02
  • 一种拓扑半金属磷化物溅射靶材及其制备方法
    一种拓扑半金属磷化物溅射靶材及其制备方法_有研亿金新材料有限公司_202512033477.0
    本发明提供一种拓扑半金属磷化物溅射靶材及其制备方法，拓扑半金属磷化物溅射靶材具有至少以下之一的特性：(a)纯度≥99.999%；(b)金属杂质元素总量≤10 ppm；(c) 非金属杂质含量：氧≤1500 ppm、碳≤100 ppm、硫≤50...
    2026-05-02
  • 一种半导体的加工方法
    一种半导体的加工方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202411491980.X
    本发明公开了一种半导体的加工方法，包括：对半导体基材的表面进行清洗及干燥处理；将处理后的半导体基材置于真空室内的载物台上，并控制真空室内的真空度达到1×10‑3Pa；采用钼靶材，对所述载物台上的半导体基材的表面进行离子溅射镀膜处理，以在半导...
    2026-05-02
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