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最新专利技术
  • 一种气液混合火花放电装置和放电方法
    一种气液混合火花放电装置和放电方法_上海科技大学_202511910059.9
    本发明提供一种气液混合火花放电装置和火花放电方法，涉及纳米颗粒和原子制造领域。本发明所提供的气液混合火花放电装置，包括密封外壳，密封壳体的内腔中装载有绝缘液体，绝缘液体中被通入有气体并形成气泡；密封外壳的侧壁上穿设有两个火花电极，两个火花电...
    2026-05-11
  • 一种基于非线性SOA产生边带的PDH激光锁频系统
    一种基于非线性SOA产生边带的PDH激光锁频系统_厦门彼格科技有限公司_202512001897.0
    一种基于非线性SOA产生边带的PDH激光锁频系统，包括种子激光源、第一耦合器、第二耦合器、第一声光移频器、第二声光移频器、半导体光放大器、环形器、参考腔、光电探测器、混频器、解调滤波模块以及伺服控制器。通过利用非线性SOA替代传统电光调制器...
    2026-05-11
  • 一种具有梯度出光功率的VCSEL面阵及其在光学导航系统的应用
    一种具有梯度出光功率的VCSEL面阵及其在光学导航系统的应用_威科赛乐微电子股份有限公司_202511739419.3
    本发明涉及一种具有梯度出光功率的VCSEL面阵及其在光学导航系统的应用，主要包括多个阵列排布的VCSEL发光单元，其特征在于，每个所述VCSEL发光单元的物理结构参数根据其所处位置呈规律性的差异化设计，使所有VCSEL发光单元在同一驱动电压...
    2026-05-11
  • 低ASE阈值的钙钛矿薄膜异质结构及其制备方法、激光器
    低ASE阈值的钙钛矿薄膜异质结构及其制备方法、激光器_南方科技大学_202512052145.7
    本发明公开了一种低ASE阈值的钙钛矿薄膜异质结构及其制备方法、激光器，涉及钙钛矿激光器技术领域；钙钛矿薄膜异质结构包括钙钛矿薄膜以及设于其上或者掺杂于其中的胶体量子点，钙钛矿薄膜在第一预设波长的泵浦激光的激发下可产生第二预设波长的增益激光，...
    2026-05-11
  • 基于量子阱混杂结构的半导体激光器及其制备方法
    基于量子阱混杂结构的半导体激光器及其制备方法_上海新微半导体有限公司_202511932128.6
    本发明提供一种基于量子阱混杂结构的半导体激光器及其制备方法，通过设计有源区叠层结构由AlGaInP势垒层及AlxGayInzP量子阱层交替层叠形成，且有源区叠层结构的最上层及最下层均为AlGaInP势垒层，同时有源区叠层结构最上层及最下层的...
    2026-05-11
  • 半导体激光元件
    半导体激光元件_日亚化学工业株式会社_202511391616.0
    本发明提供一种寿命得到改善的半导体激光元件。半导体激光元件具有：第一半导体层，其是作为V族元素至少包含As的III‑V族化合物半导体层；第一导电侧的第二半导体层，其配置在第一半导体层上，是作为V族元素至少包含P的III‑V族化合物半导体层；...
    2026-05-11
  • 一种大功率半导体激光器外延片及其制备方法
    一种大功率半导体激光器外延片及其制备方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202511872892.9
    本发明涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种大功率半导体激光器外延片及其制备方法。包括：反应室升温至680~750℃并恒温5~15min，将衬底进行高温脱氧；降温至620~680℃，在衬底表面生长GaAs缓冲层，再依次生长下限制层和下波导层...
    2026-05-11
  • 发光波长为1178nm的量子阱材料及其制备方法
    发光波长为1178nm的量子阱材料及其制备方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202511756534.1
    本发明涉及光电子材料技术领域，尤其涉及一种发光波长为1178nm的量子阱材料及其制备方法。包括：在衬底上生长镓砷磷(GaAsP)应变补偿势垒层；在应变补偿势垒层上生长GaAs间隔层；在间隔层上采用低温工艺生长高In组分(35~40%)InG...
    2026-05-11
  • 一种多结边发射半导体激光器及其制备方法
    一种多结边发射半导体激光器及其制备方法_吉光半导体科技有限公司_202511994852.1
    本发明涉及激光器技术领域，尤其涉及一种多结边发射半导体激光器及其制备方法，制备方法包括：提供衬底；在衬底上形成堆叠结构，堆叠结构包括从下至上层叠的M层PN结层、位于相邻两层PN结层之间的隧道结层以及位于顶层的盖层；在堆叠结构远离衬底的表面形...
    2026-05-11
  • 窄发散角半导体激光器
    窄发散角半导体激光器_中国科学院半导体研究所_202511941633.7
    本发明提供了一种窄发散角半导体激光器，包括在有源外延结构上刻蚀得到的沿出光方向依次相连的输入脊型波导区，锁相区和近场强度调制区，其中：输入脊型波导区包括侧向周期分布的第一脊型波导阵列，所述第一脊型波导阵列包括多个第一脊型波导；锁相区包括一个...
    2026-05-11
  • 一种侧向耦合光栅双卡帕半导体激光器
    一种侧向耦合光栅双卡帕半导体激光器_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202511859557.5
    本发明涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种侧向耦合光栅双卡帕半导体激光器。包括：衬底、外延叠层以及由外延叠层经刻蚀形成的功能波导区；功能波导区包括脊波导和侧向耦合光栅，脊波导为沿外延叠层厚度方向刻蚀形成的脊型结构，侧向耦合光栅对称分布于脊...
    2026-05-11
  • 半导体光放大器及其制备方法
    半导体光放大器及其制备方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202512019758.0
    本发明涉及光放大器技术领域，尤其涉及一种半导体光放大器及其制备方法，堆叠结构，堆叠结构包括依次堆叠的衬底、N包层、N型刻蚀停止层、N波导层、有源区、P波导层、P包层以及电极接触层；两个浅沟槽沿第一方向间隔排布，两个浅沟槽之间的堆叠结构作为脊...
    2026-05-11
  • 一种基于混合腔结构的连续域束缚态激光器及其制备方法
    一种基于混合腔结构的连续域束缚态激光器及其制备方法_南京大学_202610250235.9
    本发明公开了一种基于混合腔结构的连续域束缚态激光器及其制备方法。该激光器沿垂直方向由下至上依次包括衬底、光学限制层、N型间隔层、有源层、P型间隔层、光子晶体层及电流扩展层。底部的光学限制层与顶部的光子晶体层共同构成垂直混合谐振腔，有源层位于...
    2026-05-11
  • 一种基于氮化硅波导集成石墨烯调制器的高速可调激光器及其制备方法
    一种基于氮化硅波导集成石墨烯调制器的高速可调激光器及其制备方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511952880.7
    一种基于氮化硅波导集成石墨烯调制器的高速可调激光器及其制备方法。制备包括：在衬底上制备激光器；生长SiO2钝化层和Si3N4波导层；于Si3N4层上制备光栅与波导结构，光栅位于激光器上方；将石墨烯转移至波导另一端并制备调制器。本发明将石墨烯...
    2026-05-11
  • 一种半导体光电芯片和光通信设备
    一种半导体光电芯片和光通信设备_华为技术有限公司_202411385142.4
    本申请提供一种半导体光电芯片和光通信设备。本申请提供的半导体光电芯片包括：第一半导体光电器件、偏振旋转器和第二半导体光电器件。具体地，在本申请提供的半导体光电芯片中，将第一半导体光电器件在第一方向上对偏振分量的处理过程，与第二半导体光电器件...
    2026-05-11
  • 易跳模激光器开机控制方法及装置
    易跳模激光器开机控制方法及装置_山东中科际联光电集成技术研究院有限公司_202511647305.6
    本发明提供一种易跳模激光器开机控制方法及装置，涉及激光器技术领域。方法包括步骤1：响应开机指令，执行初步控温；步骤2：获取激光器所处环境温度值，以此确定控温参数策略；步骤3：根据控温参数策略执行二次控温；步骤4：执行三次控温；装置包括控制模...
    2026-05-11
  • 用于高速光电器件的外延生长方法
    用于高速光电器件的外延生长方法_西安唐晶量子科技有限公司_202511641628.4
    本发明提供用于高速光电器件的外延生长方法，通过将材料外延生长、性能表征与器件设计集成在一个闭环反馈系统中，利用实际外延结构的电学与光学性能实测参数来生成激光器电极与波导结构的设计方案，并据此反馈调整外延生长的工艺参数，实现了材料生长与器件设...
    2026-05-11
  • 直调激光器
    直调激光器_中国科学院半导体研究所_202411369273.3
    本发明提供一种直调激光器，包括：衬底，外延层，包括依次层叠在衬底上的缓冲层、光栅层、下限制层、有源层、上限制层、腐蚀截止层、包层和接触层；光栅层的结构为具有λ/8相移的凸面光栅结构，光栅层位于N型掺杂侧，具有λ/8相移的凸面光栅结构用于利用...
    2026-05-11
  • 阵列激光器热隔离封装结构及其制备方法、激光系统
    阵列激光器热隔离封装结构及其制备方法、激光系统_甬江实验室_202511650807.4
    本申请公开了一种阵列激光器热隔离封装结构及其制备方法、激光系统，属于光通信技术领域，旨在提高激光器芯片的热隔离效果及其长期可靠性。该封装结构包括阵列激光器和散热结构。阵列激光器包括多个激光器芯片，相邻两个激光器芯片之间设置有第一沟槽，第一沟...
    2026-05-11
  • 一种散热组件及半导体激光器组件
    一种散热组件及半导体激光器组件_池州昀海陶电科技有限公司_202411320878.3
    本发明公开了一种散热组件及半导体激光器组件，其中，散热组件包括第一盖体、第二盖体以及多个散热板，第一盖体用于与电子元件连接并为所述电子元件进行热传递；多个散热板层叠设置在所述第一盖体和所述第二盖体之间，多个所述散热板沿层叠方向相互形成间隔；...
    2026-05-11
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