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  • 本发明提供一种晶圆除气装置,属于晶圆加工技术领域。装置包括支架、第一箱体、水冷法兰组件、加热组件、水冷台组件、互联颈管和分子泵;第一箱体放置于支架上;水冷法兰组件可拆卸的连接第一箱体;加热组件抵接水冷法兰组件,用于将产生的热量通过水冷法兰组...
  • 本发明公开了一种半导体晶圆单片清洗设备及清洗方法,属于晶圆清洗技术领域,该清洗设备包括外壳体;承载机构用于承载待清洗的晶圆;定位机构包括锁定组件和回流组件;其中,所述承载机构可拆卸设置在所述锁定组件上,所述承载机构上设置有多个对所述晶圆底部...
  • 本发明涉及IGBT器件刻蚀设备技术领域,且公开了一种适配IGBT器件的高耐压对称沟槽刻蚀工艺设备,包括机身、气路盒、电器控制盒、等离子发射器和遮罩,所述气路盒与机身的表面固定连接,所述电器控制盒与机身的上表面固定连接,所述等离子发射器安装在...
  • 本发明公开了一种芯片加工平台及安装方法,包括导热平台、定位组件和基准组件,定位组件设置于导热平台的周边,定位组件包括定位凸台和设置于定位凸台上的压板,压板的下端面压合于导热平台的上端面设置;基准组件其设置有多组,多组基准组件分别位于导热平台...
  • 本发明公开了一种用于IGBT模块DBC陶瓷基板背面氧化层的等离子清洗装置及方法,高温测试结束后,将预设数量的IGBT模块倒置放于托盘中,使IGBT模块中DBC陶瓷基板背面的氧化层朝上,并通过盖板固定各IGBT模块;定位氧化层所在区域,并调整...
  • 本发明涉及半导体制造设备技术领域,具体是一种具有均匀导热结构的半导体工艺加热器,包括设备机架、半导体基板、设备主机和基座模块。设备主机上设置有均匀加热器,其位于半导体基板下方并包含多个串联的加热单元,各单元设有单元基座和加热传感器。设备机架...
  • 本发明提供了一种电子束量测设备的校准方法及相关产品。校准方法包括获取电子束量测设备以预设视场在初始位置对晶圆采集的初始扫描图像;控制晶圆沿预设方向移动预设距离,并在保持预设视场不变的情况下,获取对晶圆采集的平移扫描图像;确定出各定位标记在初...
  • 本发明涉及一种高温半导体工艺气体供应装置、方法及半导体工艺系统,高温半导体工艺气体供应装置包括鼓泡单元、液态源输送单元、第一载气输送单元、混合气体输送单元、第一排气单元、第一加热单元、第二加热单元、第一重量监测单元。其优点在于,将第一加热单...
  • 本发明涉及一种多路输出的半导体工艺气体供应装置、方法及半导体工艺系统,半导体工艺气体供应装置包括鼓泡单元、液态源输送单元、载气输送单元和冷凝单元。其优点在于,采用高温鼓泡工序与低温冷凝工序的组合,实现了混合气体的浓度可调,实现更加稳定的混合...
  • 本发明属于半导体清洗技术领域,具体的是一种半导体清洗设备,包括清洗箱,清洗箱一侧壁中部通过电机的输出端固定安装有中心转杆,中心转杆上固定安装有转动盘,转动盘的外延环向布设有支撑板,支撑板上通过摆动部安装有放置框,放置框上通过控制部滑动安装有...
  • 本发明公开了一种适用于提升半导体芯片封装品质的脱泡固化装置,属于芯片封装的技术领域,其包括顶部箱体和底部座体,所述顶部箱体呈透明设置,所述顶部箱体内设置有用于对工件进行放置的放置座,所述放置座包括承载座和加热基座,所述承载座设置于加热基座顶...
  • 本申请提供一种晶圆检测系统及其检测方法、多模态检测平台和存储介质,该晶圆检测系统包括承载传输装置、特性检测装置和设置于检测工位附近的偏移检测装置,其中偏移检测装置采用至少三组对射式光学单元从不同角度捕捉晶圆边缘图像,并结合处理模块的算法分析...
  • 本发明提供一种与液态化学品供应系统相关的方法。该方法包括:接收储存槽,其中保持液态化学品;将入口喷嘴附加到储存槽,入口喷嘴包括:其中界定第一开口,第一开口与储存槽内部流体连通;其中界定第二开口,第二开口与储存槽内部气体连通;其中界定第三开口...
  • 本发明公开了一种晶圆加工温控系统,涉及晶圆加工领域,旨在解决现有的晶片加工温控方案无法保证半导体晶圆加工设备的温控要求以及水质要求的问题,包括水生产处理区域以及与水生产处理区域连接的晶圆加工区域,晶圆加工区域包括晶圆加工设备以及与晶圆加工设...
  • 本发明涉及半导体加工技术领域,具体公开了一种硅片清洗设备,包括:清洗槽;设置在清洗槽内的载台;与载台相连接的驱动部,所述驱动部用以带动载台做出竖直以及水平方向的往复直线运动;设置在载台上的支撑板,所述支撑板与载台之间为弹性连接,所述支撑板与...
  • 一种流体系统包括导管、联接到导管的浓度传感器以及处理器。处理器设置成与浓度传感器通信并且响应于记录在存储器上的指令以接收浓度控制选择,进一步接收指示夹带在由导管输送的流体中的流体‑载体中的流体成分的浓度的信号,并且确定流体成分的浓度。当浓度...
  • 本发明涉及一种衬底处理系统(10),具备:衬底处理装置(1),对衬底供给处理液;供给部(200),将处理液引导到衬底处理装置(1);及热回收部(40),从自衬底处理装置(1)排出的排液回收热量。供给部(200)具备:调温部(20),使处理液...
  • 本公开提供一种修复设备。本公开提供的修复设备包括:元件取放模块、控制模块、第一载台和第二载台。第一载台承载第一基板,第二载台承载第二基板。第一基板具有至少一个第一电子元件,第二基板具有至少一个第二电子元件。元件取放模块包括:位于第一基板与第...
  • 本发明涉及半导体器件制造领域,具体为一种处理液供给装置,装置包括出液管路、控制模块、至少两个回吸单元以及至少两条进液管路,进液管路的一端与各自对应的回吸单元连接,进液管路的另一端与出液管路的一端连接,出液管路的另一端用于喷淋处理液,进液管路...
  • 本发明公开了一种检测装置,包括:传感器模块,包括图像传感器和距离传感器,用于检测晶圆外周与承载台上的聚焦环的间距及晶圆的边缘位置与距离传感器的间距;处理器模块,与传感器模块通信连接以调节各个传感器的开闭,并接收各个传感器的检测数据以判断晶圆...
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