Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种改善重掺As衬底薄层高阻硅外延片厚度平区的外延方法
    一种改善重掺As衬底薄层高阻硅外延片厚度平区的外延方法_南京盛鑫半导体材料有限公司_202511796604.6
    本发明公开了一种改善重掺As衬底薄层高阻硅外延片厚度平区的外延方法，包括以下步骤：S1、准备掺As衬底材料，将衬底材料装入外延炉；S2、向外延炉腔体内通入HCl进行刻蚀；S3、向外延炉腔体内通入PH3和SiH2Cl2，在生长温度1060‑1...
    2026-05-03
  • 生长系统和用于控制碳化硅晶体生长的方法
    生长系统和用于控制碳化硅晶体生长的方法_半导体元件工业有限责任公司_202411541765.6
    本发明涉及生长系统和用于控制碳化硅晶体生长的方法。该生长系统可包括至少部分地被绝缘层包封的坩埚、位于该坩埚内并且被配置为保持碳化硅(SiC)籽晶的生长区、位于该坩埚内并且被配置为保持SiC源材料的源材料区。该生长系统还可包括位于该坩埚内并且...
    2026-05-03
  • 晶体直径测量装置
    晶体直径测量装置_上海超硅半导体股份有限公司_202511796776.3
    本发明涉及一种晶体直径测量装置。所述晶体直径测量装置包括：固定组件，用于固定于单晶炉的视窗上，所述单晶炉用于生长单晶硅晶棒；移动组件，包括连接于所述固定组件上的导轨和安装于所述导轨上的滑块，所述导轨呈直线型，且所述滑块能够沿所述导轨滑动；测...
    2026-05-03
  • 一种隔离环、工艺腔室及半导体工艺设备
    一种隔离环、工艺腔室及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202511750596.1
    本申请公开了一种隔离环、工艺腔室及半导体工艺设备，隔离环采用透明材料制作，用于设置在工艺腔室的侧壁内侧，以进行隔热，所述隔离环包括相对设置的第一面和第二面，所述第一面用于靠近所述工艺腔室的底部设置，所述第二面用于靠近所述工艺腔室的顶部设置；...
    2026-05-03
  • 单晶硅拉制功率自动调整方法、装置、设备及介质
    单晶硅拉制功率自动调整方法、装置、设备及介质_四川高景太阳能科技有限公司_202511745094.X
    本申请实施例提供一种单晶硅拉制功率自动调整方法、装置、设备及介质，涉及单晶硅技术领域。首先获取历史拉晶数据；再根据历史拉晶数据，确定单晶炉当前工艺阶段的参考功率和总偏移量；最后根据参考功率和总偏移量，确定当前工艺阶段的功率调整策略。该方法通...
    2026-05-03
  • 直拉单晶硅及其制备方法
    直拉单晶硅及其制备方法_恒利晶硅新材料(内蒙古)有限公司_202511682943.1
    本发明公开了一种直拉单晶硅及其制备方法。本发明的直拉单晶硅的制备方法，包括以下步骤：1)熔料；2)引晶：将籽晶浸入硅液中，将硅液拉伸生长为颈部晶体；3)放肩：将颈部晶体拉伸生长为放肩晶体；4)转肩：将放肩晶体拉伸生长至晶体直径为等径生长直径...
    2026-05-03
  • 摩擦学材料及其制备
    摩擦学材料及其制备_香港城市大学_202511191748.9
    本发明公开了一种摩擦学材料，诸如一种摩擦学固体润滑材料，所述摩擦学材料包括具有零维纳米结构的Ti‑MXene复合材料。本发明还公开了制备所述摩擦学材料的方法。
    2026-05-03
  • 锑化镓多晶的合成方法及装置
    锑化镓多晶的合成方法及装置_广东晶智光电科技有限公司_202511931021.X
    本发明公开了一种锑化镓多晶的合成方法及装置，涉及半导体材料合成技术领域；本发明在石英安瓿管中设置第二敞口容器装入高纯锑作为锑补偿源，第二敞口容器与作为主反应容器的第一敞口容器间隔放置，在加热第一敞口容器中的原料进行合成反应之前，先加热锑补偿...
    2026-05-03
  • 一种提纯铯铅溴多晶料的方法
    一种提纯铯铅溴多晶料的方法_西南技术物理研究所_202511685208.6
    本发明属于定向凝固提纯技术领域，公开了一种提纯铯铅溴多晶料的方法，包括以下步骤：步骤一：石英坩埚预处理；步骤二：装料并真空封装：步骤三：合料得到待提纯铯铅溴多晶料；步骤四：待提纯铯铅溴多晶料熔融；第五步：定向凝固直至完全结晶；第六步：降温冷...
    2026-05-03
  • 氧化镓的制备与掺杂方法
    氧化镓的制备与掺杂方法_苏州镓港半导体有限公司_202511859418.2
    本发明公开了一种氧化镓的制备与掺杂方法，所述制备与掺杂方法包括：在衬底上外延生长III‑V族半导体层，其中，所述III‑V族半导体层包括GaPN，且所述III‑V族半导体层中氮原子的密度大于或等于1E20 atoms/cm3；对III‑V族...
    2026-05-03
  • 一种碳化硅外延生长设备及方法
    一种碳化硅外延生长设备及方法_芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司_202411138890.2
    本申请提供一种碳化硅外延生长设备及外延生长方法，该碳化硅外延生长设备，包括：外延生长模块、传输模块及气体供给系统，所述气体供给系统用于提供碳源气体、硅源气体、氮源气体、氢气、氯化氢气体或保护气体，氮源气体包括氨气；传输模块的传输装置用于将衬...
    2026-05-03
  • 分子束外延加热装置、外延设备及外延加热方法
    分子束外延加热装置、外延设备及外延加热方法_上海新微半导体有限公司_202511847758.3
    本发明涉及半导体技术领域，提供了一种分子束外延加热装置、外延设备及外延加热方法。分子束外延加热装置包括第一加热单元、第二加热单元和加热区域调整单元；所述第一加热单元和所述第二加热单元沿第一方向排列设置；所述第一加热单元用于沿所述第一方向对基...
    2026-05-03
  • 一种12英寸碳化硅单晶及其生长方法及装置
    一种12英寸碳化硅单晶及其生长方法及装置_山东粤海金半导体科技有限公司_202511930418.7
    本发明涉及单晶生长领域，具体涉及一种12英寸碳化硅单晶及其生长方法及装置。该方法包括以下步骤：(1)高纯碳化硅粉料准备；(2)装炉与生长腔预处理；(3)分段升温与动态渗氮；(4)生长阶段闭环控氮；(5)程序控冷及单晶生成。本发明通过预设功率...
    2026-05-03
  • 一种用于锑化铟晶体生长的石英坩埚防破裂冷却方法和晶体生长系统
    一种用于锑化铟晶体生长的石英坩埚防破裂冷却方法和晶体生长系统_广东晶智光电科技有限公司_202511977902.5
    本申请涉及半导体晶体生长技术领域，具体公开了一种用于锑化铟晶体生长的石英坩埚防破裂冷却方法和晶体生长系统。本申请提供一种用于锑化铟晶体生长的石英坩埚防破裂冷却方法，首先在冷却开始前，通过调整坩埚在单晶炉内的相对位置，从根本上减小坩埚轴向的温...
    2026-05-03
  • 一种连续梯度掺杂单晶光纤的制备方法及系统
    一种连续梯度掺杂单晶光纤的制备方法及系统_中国科学院上海硅酸盐研究所_202511730746.2
    本发明涉及单晶光纤制备技术领域，尤其涉及一种连续梯度掺杂单晶光纤的制备方法及系统，所述制备方法包括确定稀土掺杂激光晶体中吸收系数随掺杂浓度变化的表达式；利用理想吸收系数分布公式与朗伯比尔定律设计单晶光纤吸收系数的分布形式；基于所述表达式和所...
    2026-05-03
  • 一种量料精控的大储量自动多掺给料装置及使用方法
    一种量料精控的大储量自动多掺给料装置及使用方法_云南嘉泰来新材料有限公司_202511906910.0
    本发明涉及单晶炉掺杂技术领域，具体是涉及一种量料精控的大储量自动多掺给料装置及使用方法，包括储料组件，储料组件包括至少两个独立设置的料斗，每个料斗的上方均设有悬挂式称重组件，每个料斗的出料口均设有排料阀，储料组件的下方设有准备料仓，每个料斗...
    2026-05-03
  • 一种N型直拉单晶硅掺杂剂共掺掺杂方法
    一种N型直拉单晶硅掺杂剂共掺掺杂方法_弘元新材料(包头)有限公司_202411111691.2
    本发明公开了一种N型直拉单晶硅掺杂剂共掺掺杂方法，本发明涉及直拉单晶领域，包括以下操作步骤：S1：确定直拉单晶硅目标电阻率；S2：确定第一、第二掺杂剂浓度占比；S3：确定第一、第二掺杂剂合金浓度；S4：根据分凝理论计算第一、第二掺杂剂合金掺...
    2026-05-03
  • 一种自动送料的单晶炉及其控制方法
    一种自动送料的单晶炉及其控制方法_北京北方华创真空技术有限公司_202511712527.1
    本申请涉及单晶生长设备领域，尤其是涉及一种自动送料的单晶炉及单晶炉的控制方法，其包括单晶炉本体、送料机构、提拉机构以及控制单元，单晶炉本体包括坩埚以及罩设坩埚的壳体；送料机构包括输料仓、两端分别与输料仓底部和坩埚内部连通的输料管和控制输料管...
    2026-05-03
  • 层状硒化物Ge3Sb2Se5半导体材料及其制备方法
    层状硒化物Ge3Sb2Se5半导体材料及其制备方法_季华实验室_202610115797.2
    本发明涉及晶体材料制备技术领域，特别涉及一种层状硒化物Ge3Sb2Se5半导体材料及其制备方法。所述层状硒化物Ge3Sb2Se5半导体材料的制备方法，包括如下步骤：将Ge3Sb4Se7材料研磨后置于石英管中，加入碘颗粒，真空封装于石英管中，...
    2026-05-03
  • 一种铋掺杂铕钇铁石榴石磁光晶体及其制备方法和应用
    一种铋掺杂铕钇铁石榴石磁光晶体及其制备方法和应用_新疆师范大学_202511889166.8
    本发明属于磁光晶体制备技术领域，涉及一种铋掺杂铕钇铁石榴石磁光晶体及其制备方法和应用。该制备方法采用顶部籽晶法生长化学式为Eu3‑x‑y‑zBixYyTbzFe5‑wGawO12磁光晶体，其中x为0.30~0.43，y为1.20~2.06，...
    2026-05-03
首页 上一页 7 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证