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  • 一种化妆品收纳容器金属部件表面多层颜色与光泽的氧化工艺,是通过对化妆品收纳容器的金属部件表面进行若干次氧化处理与印刷加工,使产品表面呈现出多层金属光泽与颜色的图案。本发明可以使表面图案的光泽颜色有金属质感,并且并列与嵌套多种不同的颜色与光泽...
  • 本申请涉及镁合金表面处理技术领域,具体涉及一种镁合金用锶盐钙盐复合化学转化液、制备方法及转化膜的制备方法。本方法首先制备饱和碳酸氢钙溶液和饱和氢氧化锶溶液;向水中依次加入饱和氢氧化锶溶液和双氧水,得到氢氧化锶配置液;再配置碳酸氢钠溶液;将饱...
  • 本发明属于金属表面处理技术领域,具体涉及一种甲基磺酸体系镀锡层用的无铬钝化液及其制备方法和应用。本发明提供的甲基磺酸体系镀锡层用的无铬钝化液,包括抗氧化剂A剂和抗氧化剂B剂;所述抗氧化剂A剂包括成膜剂和pH调节剂和纯水;所述抗氧化剂B剂包括...
  • 本发明涉及太阳能电池的技术领域,公开了一种用于光伏组件的黑化液及其制备方法和应用。用于光伏组件的黑化液,用于涂覆在所述光伏组件的焊带或汇流条上,焊带或汇流条包括焊接面和非焊接面,非焊接面的表面含有ⅣA族金属Pb和/或Sn;黑化液包括硫化物、...
  • 本申请涉及表面处理技术领域,尤其涉及一种化学镀钯液及其制备方法和应用。提供了一种化学镀钯液,包括钯盐、还原剂、添加剂和溶剂,所述添加剂中包括稳定剂、加速剂、络合剂和起镀剂;其中,所述起镀剂包括OPSS类聚合物。本申请化学镀钯液包含有OPSS...
  • 本发明公开了一种化学与电化学联用的碱性镀铜方法。所述碱性镀铜方法包括:提供水系电解液,其包括铜盐、第一络合剂、镍盐和第二络合剂,第二络合剂为强镍离子络合剂;使水系电解液的pH值调整至7.5以上,并加入还原剂;使作为阴极的导电基底、对电极与水...
  • 本发明属于电镀技术领域,具体涉及一种镁铝合金镀镍材料及其制备方法。所述镁铝合金镀镍材料的制备方法包括以下步骤:(1)预处理;(2)除油:将预处理的镁铝合金进行除油;(3)第一次碱蚀;(4)酸蚀;(5)第一次除垢;(6)第二次碱蚀;(7)第二...
  • 一种高结合力HTCC陶瓷化学镀镍金层制备方法,属于电子元器件技术领域。所述制备方法为:在化学镀金属层前,将钨浆料HTCC共烧陶瓷管壳或基板通过喷砂、刻蚀、Pd活化等工艺进行前处理,再将前处理后的基板浸入调整好参数的化学镀镍槽中进行化学镀镍,...
  • 本发明属于减阻技术领域,公开了一种氟化石墨烯复合镍‑磷镀层及其制备方法和应用,氟化石墨烯复合镍‑磷镀层的制备方法包括以下步骤:将氟化石墨烯分散于水中,再与酸性中磷镀镍液混匀,得到混合镀镍液;将基底浸入碱性中磷镀镍液进行第一化学镀,再浸入混合...
  • 本发明涉及镀镍领域,特别是一种半导体晶片的镀镍设备及镀镍方法,镀镍设备包括用于盛装镀液的镀液箱,及分别横向转动在镀液箱内的两个导向辊,两个导向辊上并排套设有多个呈载带,所述镀液箱中部上端设有横架,横架通过连接架连接有多个限位轨道,多个限位轨...
  • 本发明提供了一种改善CVD设备真空系统洁净度的真空管路结构,包括真空腔室、外部真空管组件和内嵌真空管组件,内嵌真空管组件的两端分别与外部真空管组件连通;内嵌真空管组件分为两组,两组内嵌真空管组件分别位于真空腔室的上下两端,每组内嵌真空管组件...
  • 本发明涉及半导体技术领域,提供了一种烘烤装置及气相沉积设备。烘烤装置包括支架单元和烘烤单元;所述烘烤单元设置于所述支架单元,且所述支架单元可带动所述烘烤单元运动以调节所述烘烤单元的位置;所述烘烤单元包括顶部烘烤灯和姿态调整组件,所述姿态调整...
  • 本申请公开了一种基于分布式天线阵列结构的MPCVD圆柱形反应器,涉及微波等离子体化学气相沉积领域,所述反应器包括:功分器以及分布式天线阵列多端口腔体;功分器设置于分布式天线阵列多端口腔体上端,并通过腔体端口外导体连接;功分器,用于将输入的微...
  • 本发明涉及一种光伏CVD加热板,包括加热底板和盖板,盖板盖设在加热底板的顶部,加热底板和盖板之间形成加热空间,还包括:加热组件;散热通道,散热通道位于加热空间内,散热通道包括上散热槽和下散热槽,下散热槽的内壁上开设有与加热底板外部连通的通口...
  • 本发明公开一种加热灯组件和半导体工艺腔室,所公开的加热灯组件应用于半导体工艺腔室,所述半导体工艺腔室包括腔室本体和基座,所述基座设于所述腔室本体内,所述加热灯组件包括沿第一方向排列的多个条形加热灯和与所述多个条形加热灯一一对应设置的多个透镜...
  • 本发明涉及化学气相沉积设备技术领域,公开了一种多工位化学气相沉积渗金属装置,通过工装主体适配化学气相沉积设备高温反应器,多层托盘与扇形区的划分搭配多个装夹工位,既实现了装夹工位的最大化布局,满足大批量工程化生产需求,又能适配不同型号涡轮叶片...
  • 本发明提供一种分体式晶圆托盘和半导体设备,分体式晶圆托盘的外边缘底部设置有用于支撑其的支撑桶,分体式晶圆托盘包括内托盘、外环和盖环。内托盘上设有用于承载晶圆的承载面;外环沿内托盘的周向设置,外环上设有第一支撑面以支撑内托盘;盖环环绕内托盘上...
  • 本申请实施例提供一种喷淋机构及薄膜沉积设备,涉及半导体技术领域。喷淋机构包括喷淋组件,喷淋组件具有多个交错且间隔排布的第一喷淋区和第二喷淋区,第一喷淋区用于向基材喷淋化学源,第二喷淋区用于向基材喷淋隔离气体;喷淋组件上设有排气通道,排气通道...
  • 本发明公开了一种分气块结构、进气组件和半导体工艺设备。分气块结构包括:第一流道;侧进气口,设于所述第一流道的侧壁,且其进气角度与所述第一流道的外侧壁相切;第二流道,经由中心导流柱与所述第一流道的内侧壁连通,且位于所述第一流道的下层;以及多个...
  • 本发明提供一种基于CVD的碳化硅涂层的制备方法,属于碳化硅涂层技术领域。本申请通过脉冲水蒸气羟基化及双(二乙氨基)硅烷的反应,对基体进行重塑,构筑一层均匀、高活性的有机硅锚定界面层,并在其上采用低温循环化学气相沉积生长一层非晶碳化硅隔离层,...
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