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最新专利技术
  • 单大马士革工艺方法
    单大马士革工艺方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511767476.2
    本发明公开了一种单大马士革工艺方法，包括：提供形成有层间膜的底部结构，层间膜的表面形成有将沟槽的形成区域打开的金属硬质掩膜层。以金属硬质掩膜层为掩膜对层间膜进行第一次刻蚀，第一次刻蚀停止在层间膜中以形成顶部子沟槽。去除金属硬质掩膜层。对层间...
    2026-03-10
  • 钨填充的连接孔结构的制造方法
    钨填充的连接孔结构的制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511676167.4
    本发明公开了一种钨填充的连接孔结构的制造方法，包括：步骤一、在底层结构上进行形成连接孔。步骤二、形成阻挡层，阻挡层采用能同时实现后续的钨选择性刻蚀以及钨选择性生长的材料。步骤三、进行第一次CVD工艺沉积第一钨层，第一钨层将连接孔部分填充且将...
    2026-03-10
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_格科微电子(上海)有限公司_202511596202.1
    本发明提供一种半导体结构及其形成方法。所述方法包括：提供衬底，在衬底中形成多个硅通孔并填充导电材料，在硅通孔上方形成导电的金属焊盘，并在导电焊盘周围形成至少一圈盲孔结构，以实现导电焊盘的电隔离。其中盲孔结构在衬底法线方向的截面为绝缘的介质结...
    2026-03-10
  • 临时键合法制备SOI衬底的方法及SOI衬底
    临时键合法制备SOI衬底的方法及SOI衬底_上海新傲科技股份有限公司_202511707330.9
    本发明涉及一种临时键合法制备SOI衬底的方法及SOI衬底。所述临时键合法制备SOI衬底的方法包括如下步骤：形成初始SOI结构，所述初始SOI结构包括第一晶圆、第二晶圆以及夹设于所述第一晶圆和所述第二晶圆之间的埋氧层；对所述初始SOI结构中的...
    2026-03-10
  • 一种消除高深宽比硅通孔刻蚀中掩模塌陷的工艺方法
    一种消除高深宽比硅通孔刻蚀中掩模塌陷的工艺方法_华东理工大学_202610099584.5
    本发明公开了一种消除高深宽比硅通孔刻蚀中掩模塌陷的工艺方法，属于半导体制造技术领域，包括以下步骤：提供一硅衬底，所述硅衬底表面设置有光刻胶掩膜层；采用源功率与偏置功率独立可调的等离子体刻蚀设备，以交替进行钝化‑去钝化‑刻蚀步骤的深反应离子刻...
    2026-03-10
  • 半导体结构的退火方法
    半导体结构的退火方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511716294.2
    本发明提供一种半导体结构的退火方法，该半导体结构的退火方法包括以下步骤：提供一包括工艺控制模块及退火机台的退火系统，建立不同材质的金属功函数层的膜层厚度与退火时的开环功率及退火时间之间的关系并写入工艺控制模块中；提供一上表层形成有金属功函数...
    2026-03-10
  • 一种含氧氢化非晶硅薄膜及其制备方法、光伏器件
    一种含氧氢化非晶硅薄膜及其制备方法、光伏器件_华能(嘉峪关)新能源有限公司_202411727196.4
    本发明公开了一种含氧氢化非晶硅薄膜及其制备方法、光伏器件，含氧氢化非晶硅薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)将氢化非晶硅薄膜在含氘氛围中进行退火处理；(2)将退火处理后的氢化非晶硅薄膜置于含氧氛围中进行氧化处理，得到含氧氢化非晶硅薄膜。本发...
    2026-03-10
  • 一种键合结构的制备方法、键合结构、键合装置
    一种键合结构的制备方法、键合结构、键合装置_天津中科晶禾电子科技有限责任公司_202610098950.5
    本申请属于半导体制造技术领域，本申请提供了一种键合结构的制备方法、键合结构、键合装置，该制备方法包括在待键合的第一材料和/或第二材料上形成第三材料，然后在依次进行特定的冷冻活化处理、升温恢复处理以及激活处理之后，将第一材料与第二材料通过第三...
    2026-03-10
  • 晶圆再生项目中Pattern膜的无损伤化学机械剥离方法及环保溶剂体系
    晶圆再生项目中Pattern膜的无损伤化学机械剥离方法及环保溶剂体系_安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司_202511700764.6
    本申请涉及半导体制造与材料回收技术领域，公开了一种晶圆再生项目中Pattern膜的无损伤化学机械剥离方法及环保溶剂体系，旨在解决现有技术在高效去除氮化类膜、阻抗类膜和金属类膜时存在的不足。该方法包括：将待处理晶圆依次浸入阻抗类膜去除药液、氮...
    2026-03-10
  • 一种采用SiO2/SiOxNy复合掩膜的低损伤刻蚀方法
    一种采用SiO2/SiOxNy复合掩膜的低损伤刻蚀方法_北京工业大学_202610100583.8
    本发明公开了一种采用SiO22/SiOxxNyy复合掩膜的低损伤刻蚀方法，该方法通过PECVD在超晶格材料表面沉积SiO22和SiOxxNyy叠层复合掩膜；在复合掩膜表面涂布图形化光刻胶；对复合掩膜进行ICP刻蚀，去除残留光刻胶层后得到图形...
    2026-03-10
  • 监测FDSOI源/漏区外延掺杂浓度的方法
    监测FDSOI源/漏区外延掺杂浓度的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511695332.0
    本申请提供一种监测FDSOI源/漏区外延掺杂浓度的方法，包括：步骤一，提供绝缘体上硅衬底，在绝缘体上硅衬底上形成具有SIMS pad图案的掩膜层；步骤二，以该掩膜层为掩模，通过刻蚀去除露出的绝缘体上硅衬底中的绝缘体层；步骤三，去除该掩膜层后...
    2026-03-10
  • 湿法刻蚀动态调控方法、系统及计算机可读介质
    湿法刻蚀动态调控方法、系统及计算机可读介质_联光元和(孝感)光学科技有限公司_202511594330.2
    本申请涉及一种湿法刻蚀动态调控方法、系统及计算机可读介质，涉及半导体领域，其包括以下步骤：通过光学检测装置采集刻蚀区域的图像数据；计算刻蚀区域图像与设计图形的相似度；当所述相似度达到或超过预设阈值时，停止刻蚀；当所述相似度低于所述预设阈值时...
    2026-03-10
  • 一种可提升晶圆背面接触以及提升电流传导的测试载片盘装置
    一种可提升晶圆背面接触以及提升电流传导的测试载片盘装置_吉林麦吉柯半导体有限公司_202511783210.7
    本发明属于但不限于半导体技术领域，尤其涉及一种可提升晶圆背面接触以及提升电流传导的测试载片盘装置，在载片盘正面开启若干真空小吸孔。载片盘内部，交叉排布真空槽，连接多个真空小吸孔。载片盘边缘，有一个连接真空线路的接口。当开启真空时，通过载片盘...
    2026-03-10
  • SOI衬底电流测试结构
    SOI衬底电流测试结构_上海华力集成电路制造有限公司_202511767514.4
    本发明公开了一种SOI衬底电流测试结构，第一导电类型的MOS晶体管形成于由SOI衬底形成的第一有源区上。第一有源区分成在MOS晶体管的第一栅极结构的条形的延伸方向上相邻排列的器件主体区以及器件延伸区；第一栅极结构从器件主体区延伸到器件延伸区...
    2026-03-10
  • 半导体设备维护装置
    半导体设备维护装置_上海华力集成电路制造有限公司_202511759476.8
    本发明公开了一种半导体设备维护装置，包括：伸缩杆。在伸缩杆的端部固定设置有液体储物罐。在液体储物罐的前端设置有喷头替换口。液体储物罐的尾端设置有液体挤压装置，液体挤压装置用于对液体储物罐的液体进行挤压并以使液体从喷头替换口流出。液体挤压装置...
    2026-03-10
  • 半导体测试结构及其制造方法
    半导体测试结构及其制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511640200.8
    本发明提供一种半导体测试结构及其制造方法。该半导体测试结构包括：基底、设置在基底上的介电层、形成于介电层沟槽中以模拟栅极结构的栅极金属、以及设置在模拟栅极结构上并与其电连接的栅极过孔。该制造方法包括：在基底上形成包含沟槽的介电层，并向沟槽中...
    2026-03-10
  • 工艺中电荷生成状况的监测方法
    工艺中电荷生成状况的监测方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511345435.4
    本申请公开了一种工艺中电荷生成状况的监测方法，包括：提供一晶圆，所述晶圆上形成有测试用的一次性可编程结构，所述一次性可编程结构用于在捕获到电荷后开启；对所述晶圆进行预处理，以去除所述晶圆上残留的电荷；通过目标工艺处理所述晶圆；对所述晶圆进行...
    2026-03-10
  • 一种真空吸附型陶瓷手指及其制造方法
    一种真空吸附型陶瓷手指及其制造方法_常州锆芯科技有限公司_202511749255.2
    本发明涉及晶圆传输的技术领域，尤其涉及一种真空吸附型陶瓷手指及其制造方法，包含有陶瓷基体，所述陶瓷基体的内部开设有真空气道，所述陶瓷基体的正面开设有吸附晶圆本体的弧形气口，所述弧形气口的弧度与晶圆本体的边缘相适配；所述陶瓷基体上设置有可相对...
    2026-03-10
  • 一种用于晶圆对准的气浮式调平装置及调平设备
    一种用于晶圆对准的气浮式调平装置及调平设备_西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所)_202511743966.9
    本发明涉及晶圆对准技术领域，具体为一种用于晶圆对准的气浮式调平装置及调平设备。为了解决现有的用于晶圆对准的调平设备存在上述缺陷的问题，故提供了一种新的用于晶圆对准的气浮式调平装置，包括气浮动子组件与气浮定子组件，气浮动子组件位于气浮定子组件...
    2026-03-10
  • 一种石英保温基座及其制作方法
    一种石英保温基座及其制作方法_辽宁汉京半导体材料有限公司_202511794482.7
    本发明公开了一种石英保温基座及其制作方法，涉及石英保温基座技术领域，包括石英基座主体，石英基座主体包括石英架体，石英架体顶部处开设有通槽，通槽内可拆卸地安装有承托组件，承托组件包括两个对称设置的放置件，所述两个放置件共同用于晶圆的安装；放置...
    2026-03-10
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