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最新专利技术
  • 晶圆键合方法、全环绕栅极晶体管的制作方法及产品
    晶圆键合方法、全环绕栅极晶体管的制作方法及产品_中国科学院半导体研究所_202511559189.2
    本公开实施例提供一种晶圆键合方法、全环绕栅极晶体管的制作方法及产品。晶圆键合方法，包括：提供半导体材料供体晶圆和支撑晶圆，在支撑晶圆上形成第一介质层，在半导体材料供体晶圆待键合至支撑晶圆的一侧形成第二介质层；对第一介质层进行化学机械抛光以形...
    2026-03-04
  • 一种双螺旋压电纤维阵列传感器及制备方法
    一种双螺旋压电纤维阵列传感器及制备方法_深圳斐博森机器人科技有限公司_202511687280.2
    本发明涉及仿生触觉技术领域，具体为双螺旋压电纤维阵列传感器及制备方法。其中，双螺旋压电纤维阵列传感器，包括：弹性基层，所述弹性基层上设置有感应区域；至少一个感应组，设在所述弹性基层的感应区域，所述感应组包括第一压电纤维和第二压电纤维，所述第...
    2026-03-04
  • 铁电忆阻器阵列以及采用该铁电忆阻器阵列的时序序列处理方法
    铁电忆阻器阵列以及采用该铁电忆阻器阵列的时序序列处理方法_复旦大学_202511779801.7
    本发明涉及一种铁电忆阻器阵列以及采用该铁电忆阻器阵列的时序序列处理方法，包括：底部阵列选通结构，用于在阵列规模扩展时提供逐单元寻址并抑制阵列中未选通单元的潜流路径；可调导电通道结构，用于在光激发下产生可随时间累积与衰减的持续光电导效应；面内...
    2026-03-04
  • 高温超导约瑟夫森双晶结阵及其制备方法
    高温超导约瑟夫森双晶结阵及其制备方法_中国计量科学研究院_202511661528.8
    本申请涉及一种高温超导约瑟夫森双晶结阵及其制备方法，包括：提供双晶衬底；双晶衬底的第一表面上包括沿背离双晶衬底的方向依次排列的高温超导体层、金属层及光刻胶层；采用紫外光刻机显微镜确定双晶衬底的晶界线后，并于金属层内形成具有预设图形的对准标记...
    2026-03-04
  • 一种超导量子计算机、封装结构及其制造方法
    一种超导量子计算机、封装结构及其制造方法_本源量子计算科技(合肥)股份有限公司_202411062153.9
    本申请公开了一种超导量子计算机、封装结构及其制造方法，属于量子设备制造领域。其中的封装结构包括金属材质的封装盒、以及封装于封装盒内的超导量子芯片。并且该超导量子芯片包括：设置通孔的衬底，形成于衬底正反面的第一超导层和第二超导层，以及形成于通...
    2026-03-04
  • 一种带密封筒的超导开关
    一种带密封筒的超导开关_中国科学院电工研究所_202511656405.5
    本发明公开了一种带密封筒的超导开关，属于超导技术领域，本发明由超导开关本体、上冷凝板及不锈钢直筒组成。超导开关本体放置于不锈钢直筒底部且超导开关本体的下法兰与不锈钢直筒的下端密封焊接。上冷凝板位于不锈钢直筒上部且与不锈钢直筒的上端密封焊接。...
    2026-03-04
  • 一种磁通量子比特的制备方法
    一种磁通量子比特的制备方法_西安交通大学_202511765091.2
    本发明属于纳米电子学、超导技术和量子信息科学交叉技术领域，涉及一种磁通量子比特的制备方法，包括：1. 衬底处理；2. 铝膜沉积与氧化；3. 光刻与刻蚀形成大结构；4. 双层电子束胶与悬桥结构形成；5. 第一次倾角蒸发与氧化；6. 第二次倾角...
    2026-03-04
  • 半导体封装体
    半导体封装体_旭化成微电子株式会社_202511760989.0
    本发明提供一种半导体封装体。半导体封装体具有内置多个霍尔元件的半导体芯片以及配置于所述半导体芯片的一面侧的多个外部端子。第一霍尔元件和第二霍尔元件被配置为在俯视时关于半导体封装体的中心的点呈点对称。第一霍尔元件在俯视时至少有一部分被多个第一...
    2026-03-04
  • 一种铁磁层成分梯度结构的零场自旋轨道矩存储器及其制备方法
    一种铁磁层成分梯度结构的零场自旋轨道矩存储器及其制备方法_南京大学_202511685141.6
    本发明公开了一种铁磁层成分梯度结构的零场自旋轨道矩存储器及其制备方法，该存储器的核心结构包含具有垂直成分梯度的CoFeB铁磁层，通过调控Co、Fe、B元素的梯度分布，诱导非均匀Dzyaloshinskii‑Moriya相互作用(DMI)，使...
    2026-03-04
  • 一种全电学操控的磁隧道结器件
    一种全电学操控的磁隧道结器件_北京航空航天大学_202511743657.1
    本发明是关于一种全电学操控的磁隧道结器件，属于磁隧道结技术领域。包括从上到下依次设置的SOT电极、自由层、势垒层、固定层、SAF，所述SAF下方设置有用于产生杂散场的功能层；所述功能层采用具备面内磁各向异性的反铁磁+铁磁双膜层或具备垂直磁各...
    2026-03-04
  • 一种利用氖离子注入调控磁性薄膜垂直磁各向异性及磁离子效应的方法
    一种利用氖离子注入调控磁性薄膜垂直磁各向异性及磁离子效应的方法_杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院)_202511675118.9
    本申请公开了一种利用氖离子注入调控磁性薄膜垂直磁各向异性及磁离子效应的方法。属于磁性材料制备以及优化技术领域。本申请选用惰性氖离子对磁性薄膜进行辐照预处理，显著增强了薄膜的垂直磁各向异性，为制造高稳定性、高密度的存储单元奠定了坚实基础。此外...
    2026-03-04
  • 一种基于阵列非晶丝的磁性微粒检测装置的制造方法
    一种基于阵列非晶丝的磁性微粒检测装置的制造方法_北京科技大学_202511602889.5
    本发明提供了一种基于阵列非晶丝的磁性微粒检测装置的制造方法，涉及微机电生物磁传感器制造领域。该发明首先使用非晶丝作为磁敏材料，通过晶圆上的凹槽实现非晶丝的精准安装，并将非晶丝布置成为阵列结构，提升检测灵敏度，同时克服了非晶丝磁敏材料在生物检...
    2026-03-04
  • 磁性存储器元件及其制作方法
    磁性存储器元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411181648.3
    本发明公开一种磁性存储器元件及其制作方法，其中该磁性存储器元件包括一存储单元结构，其包括一底电极、一磁隧穿结叠层位于该底电极上，以及一顶电极位于该磁隧穿结叠层上，其中该顶电极的一上部包括一弧形凹陷。一内连线结构设置在该顶电极上并填充该弧形凹...
    2026-03-04
  • 磁阻式随机存取存储器及其制作方法
    磁阻式随机存取存储器及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411174804.3
    本发明公开一种磁阻式随机存取存储器及其制作方法，其中该制作磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)元件的方法，其主要先形成一自旋轨道转矩式(spin orbit torq...
    2026-03-04
  • 柔性电极结构及压电驱动器件
    柔性电极结构及压电驱动器件_深圳振华富电子有限公司_202511765636.X
    本申请提供了一种柔性电极结构及压电驱动器件，柔性电极结构包括柔性电极片体。在该柔性电极片体上设置有第一通槽和第二通槽中的至少一者，即该结构可包含第一通槽、或第二通槽、或两者同时存在。第一通槽完全设置在柔性电极片体的轮廓内部，其整体不超出电极...
    2026-03-04
  • 叠层压电驱动器及叠层压电驱动器制造方法
    叠层压电驱动器及叠层压电驱动器制造方法_深圳振华富电子有限公司_202511574916.2
    本申请涉及压电驱动器技术领域，更具体地说，是涉及一种叠层压电驱动器及叠层压电驱动器制造方法。该叠层压电驱动器，包括：压电驱动主体；压电驱动主体包括压电陶瓷体、驱动部、侧面正电极组和贯通负电极，驱动部包括沿第一方向层叠设置的多个驱动电极层；在...
    2026-03-04
  • 通过调控退火层数及次数改善用于电抗器PMN-PT薄膜的方法
    通过调控退火层数及次数改善用于电抗器PMN-PT薄膜的方法_国网陕西省电力有限公司电力科学研究院_202511663786.X
    一种通过调控退火层数及次数改善用于电抗器PMN‑PT薄膜的方法，其采用溶胶‑凝胶法制备PMN‑PT前驱体溶胶, 旋涂到镀铂硅片衬底上, 经200‑400℃热处理后, 每沉积2‑5层薄膜进行一次退火处理, 退火工艺为450℃加热0.5‑2分钟...
    2026-03-04
  • 低热导结构的大像元尺寸热释电薄膜MEMS器件及制备方法
    低热导结构的大像元尺寸热释电薄膜MEMS器件及制备方法_昆明物理研究所_202511446228.8
    本发明公开了一种低热导结构的大像元尺寸热释电薄膜MEMS器件及制备方法，包括上电极金属层、热释电薄膜层、下电极金属层和氮化硅支撑层，形成从上而下的平板电容叠层结构；无电连接功能的支撑柱阵列分布在敏感像元区域，其底部氮化硅直接和衬底接触；在敏...
    2026-03-04
  • 一种有机电致发光器件
    一种有机电致发光器件_长春海谱润斯科技股份有限公司_202511639861.9
    本发明提供一种有机电致发光器件，属于有机电致发光技术领域。本发明提供的有机电致发光器件在空穴传输区域和电子传输区域引入特定结构，二者的相互作用能够避免空穴/电子向相邻的有机物层移动，极大地提高了有机电致发光器件的发光效率，并进一步延长器件的...
    2026-03-04
  • 一种钙钛矿前驱体溶液及其在制备钙钛矿电池中钙钛矿层的应用
    一种钙钛矿前驱体溶液及其在制备钙钛矿电池中钙钛矿层的应用_中国科学院大连化学物理研究所_202511415098.1
    本申请公开了一种钙钛矿前驱体溶液，含有双偶极离子化合物；所述钙钛矿前驱体溶液用于钙钛矿电池中钙钛矿层的制备。该溶液利用添加剂工程来提高钙钛矿电池效率和稳定性。通过向基于绿色溶剂的钙钛矿前驱体溶液中加入双偶极离子化合物作为添加剂来有效钝化缺陷...
    2026-03-04
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