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最新专利技术
  • 顶针及电子元件的转移设备
    顶针及电子元件的转移设备_合肥京东方星宇科技有限公司_202411055005.4
    本申请公开了一种顶针及电子元件的转移设备，属于自动化技术领域。顶针，包括：主体部、针杆、弹性元件和导向部。弹性元件的两端可以分别与主体部的第一限位件和针杆的第二限位件接触。在顶针抵着电子元件与相应的连接部接触后，顶针继续抵着电子元件朝向连接...
    2026-02-19
  • 机械手及半导体工艺设备
    机械手及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411045384.9
    本发明公开一种机械手及半导体工艺设备。所公开的机械手包括基座、第一承托梁、第二承托梁和第一检测组件，第一承托梁和第二承托梁中的至少一者通过第一检测组件与基座相连；第一检测组件包括连接座及设于连接座上的弹性件和第一检测件，弹性件与第一承托梁或...
    2026-02-19
  • 半导体设备及排气管路维护方法
    半导体设备及排气管路维护方法_上海微釜半导体设备有限公司_202610018435.1
    本申请公开了一种半导体设备及排气管路维护方法，维护方法包括：在排气管路上定义目标管段和非目标管段；使目标管段处于第一温度，非目标管段和工艺腔体处于小于第一温度的第二温度，以在目标管段与非目标管段和工艺腔体之间形成温度梯度；经由工艺腔体内的底...
    2026-02-19
  • 一种转塔式分选芯片系统
    一种转塔式分选芯片系统_无锡芯启博电子有限公司_202511696044.7
    本发明公开了一种转塔式分选芯片系统，涉及半导体技术领域，包括机架、设置在机架上的上料单元、转塔单元、测试工位、打标工位和分选下料单元，转塔单元上设有用于承载芯片的多个吸嘴；还包括：视觉预检模块，沿转塔单元的旋转方向，设置在上料单元之后、测试...
    2026-02-19
  • 一种半导体器件压合装置的监控系统及监控方法
    一种半导体器件压合装置的监控系统及监控方法_厦门市南强新显智能装备技术有限责任公司_202511586896.0
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体器件压合装置的监控系统及监控方法，包括：第一平台；第二平台；压头，压头的下表面适于向第二平台施加压接压力；驱动电机，用于驱动压头运动；扭力感测模块，用于实时监测驱动电机的输出扭力值；控制单元，连接扭...
    2026-02-19
  • 一种蓝膜芯片分选装置
    一种蓝膜芯片分选装置_苏州新捷毅自动化科技有限公司_202511576842.6
    本发明公开一种蓝膜芯片分选装置，属于芯片单元制造设备技术领域。包括用于定位夹持并移载芯片料盘的芯片载具、用于定位夹持并移载蓝膜的蓝膜定位载台、能够在芯片载具与蓝膜定位载台之间移载芯片单元的真空搬运夹具以及用于供给芯片料盘至芯片载具的料盘供给...
    2026-02-19
  • 一种IGBT模块自动生产系统
    一种IGBT模块自动生产系统_浙江泛源鑫才科技有限公司_202511321141.8
    一种IGBT模块自动生产系统，包括底座、支撑架、电推杆、盖板、调节组件、等距传动组件、升降组件、横座和两个夹持部件。盖板上开设有两个第一通槽。夹持部件包括安装条、固定夹板和两组滑动夹板组。滑动夹板组由若干滑动夹板本体组成。调节组件包括竖杆、...
    2026-02-19
  • 闸阀组件、反应器系统以及执行并行操作的方法
    闸阀组件、反应器系统以及执行并行操作的方法_ASMIP私人控股有限公司_202511038814.9
    公开了闸阀组件、包括闸阀组件的反应器系统以及在闸阀组件内执行并行操作的方法。所公开的闸阀组件包括闸阀块主体，其配置成用于接收第一密封构件和第二密封构件。所公开的反应器系统包括后端转移模块、处理模块和闸阀组件，闸阀组件包括第一密封构件和第二密...
    2026-02-19
  • 清洗设备、清洗方法、半导体结构及其制备设备
    清洗设备、清洗方法、半导体结构及其制备设备_华为技术有限公司_202411055932.6
    提供了清洗设备、清洗方法、半导体结构及其制备设备，属于半导体领域，用于增加半导体结构的表面的亲水性，提高对半导体结构的清洗效果。该清洗设备包括：清洗装置、第一通道和第二通道，清洗装置分别和第一通道、第二通道相连通，其中，第一通道被配置为向清...
    2026-02-19
  • 一种外延片清洗水处理装置及处理方法
    一种外延片清洗水处理装置及处理方法_浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司_202511841640.X
    本发明属于外延片清洗水处理技术领域，具体是一种外延片清洗水处理装置及处理方法，包括：箱体，还包括：支撑板、支撑架和外延片；分流组件，包括多个分流板和分流管道，当使用不同溶液对外延片进行清洗时，不同的溶液通过多个分流板之间形成的不同的溶液通道...
    2026-02-19
  • 晶圆清洗工艺中超声波参数自适应调节与清洗评估方法
    晶圆清洗工艺中超声波参数自适应调节与清洗评估方法_深圳市上喜绿色能源科技有限公司_202511683850.0
    本发明提供晶圆清洗工艺中超声波参数自适应调节与清洗评估方法，涉及半导体制造技术领域，包括通过采集晶圆表面温度分布和腔体振动响应数据，计算声场能量分布；基于温度梯度和声强梯度计算清洗液微流场分布，建立空化气泡溃灭特征矩阵；通过特征矩阵的奇异值...
    2026-02-19
  • 改善配方药液颗粒物残留的系统及方法
    改善配方药液颗粒物残留的系统及方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511679176.9
    本发明提供了一种改善配方药液颗粒物残留的系统及方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，通过多级振荡发生器将配方药液雾化为微米级液滴，雾化为所述微米级液滴后能提高所述配方药液在颗粒物与晶圆表面的渗透性，从而进入颗粒物与晶圆表面；此外，能增大所...
    2026-02-19
  • 一种晶圆清洗方法及系统
    一种晶圆清洗方法及系统_安徽瑞纳半导体科技有限公司_202511663823.7
    本发明公开了一种晶圆清洗方法，涉及半导体领域，包括以下步骤：S1：在晶圆解键合后，将晶圆与具有吸附微孔的载盘分离；S2：在分离后的所述晶圆与所述载盘之间设置一隔离部件，所述隔离部件上设有微孔结构；S3：将设置有所述隔离部件的晶圆和载盘重新组...
    2026-02-19
  • 一种基于超临界流体的石墨烯/二硫化钼异质结转移清洁方法
    一种基于超临界流体的石墨烯/二硫化钼异质结转移清洁方法_哈尔滨工业大学_202511643358.0
    本发明公开了一种基于超临界流体的石墨烯/二硫化钼异质结转移清洁方法，属于二维材料器件制备与微纳加工技术领域。本发明方法将PMMA/石墨烯膜和MoS22的基底分别进行下述操作：用丙酮浸泡清洗至少2次，用异丙醇(IPA)冲洗两次并用氮气吹干，超...
    2026-02-19
  • 改善半导体清洗设备腔体环境的结构和方法
    改善半导体清洗设备腔体环境的结构和方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511577233.2
    本发明公开了一种改善半导体清洗设备腔体环境的结构，半导体清洗设备包括多个腔体，各腔体包括多个喷嘴托盘，每一种清洗液至少包括一个喷嘴托盘。各喷嘴托盘的底部都通过对应的排液管连接到主排液管。在各排液管上都设置有单向阀，在从喷嘴托盘到主排液管的方...
    2026-02-19
  • 一种提升硅片背面去蜡能力的方法
    一种提升硅片背面去蜡能力的方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202511563995.7
    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种提升硅片背面去蜡能力的方法，包括：一、兆声协同化学预处理，蜡残留高效活化；预处理液：制备DEA‑TMAH‑UPW混合液；兆声工艺：将硅片背面朝上置于兆声槽，加热至蜡熔融临界温度区间，处理8‑15 m...
    2026-02-19
  • 基板处理装置及基板处理方法
    基板处理装置及基板处理方法_株式会社迪佰世_202510082563.8
    本发明涉及基板处理装置及基板处理方法，本发明包括干燥液供给单元及加热单元，干燥液供给单元能够在基板上水平往复移动，并在基板的上表面整个区域被冲洗液覆盖的状态下，通过干燥液喷射喷嘴供给干燥液以将冲洗液置换为干燥液，加热单元在下部对基板进行加热...
    2026-02-19
  • 具有碎边抑制效果的芯粒切割方法
    具有碎边抑制效果的芯粒切割方法_北京芯力技术创新中心有限公司_202511562015.1
    本发明提供一种具有碎边抑制效果的芯粒切割方法，通过将晶圆物理切割成多个而制备芯粒，包括：在要被切割成芯粒的晶圆的表面生成TiN膜层，旋涂水溶性液体膜层；通过在晶圆的切割道位置进行激光烧蚀而使表面的介电膜层和水溶性液体膜层都形成在切割道位置处...
    2026-02-19
  • 一种复合碳化硅衬底分片方法
    一种复合碳化硅衬底分片方法_湖南大学_202610033158.1
    本发明公开了一种复合碳化硅衬底分片方法，其包括以下步骤：1)、将单晶碳化硅晶锭与基底层结合；2)、利用激光对单晶碳化硅晶锭进行内部改质加工，在单晶碳化硅晶锭内部形成改质加工层，激光的入射表面背离所述基底层；3)、将单晶碳化硅晶锭沿着改质加工...
    2026-02-19
  • 一种沟槽形成方法和半导体器件
    一种沟槽形成方法和半导体器件_捷捷微电(南通)科技有限公司_202511711599.4
    本申请提供一种沟槽形成方法和半导体器件，涉及半导体制作技术领域，包括：在半导体层上形成掩膜图案层，掩膜图案层具有露出半导体层的窗口；在氧气氛围中，采用激光以脉冲方式照射窗口内的半导体层，以在半导体层上形成氧化区，采用湿法腐蚀氧化区以在半导体...
    2026-02-19
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