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最新专利技术
  • 采用IPA的工艺装置和方法
    采用IPA的工艺装置和方法_上海华力集成电路制造有限公司_202410977635.0
    本发明公开了一种采用IPA的工艺装置包括：工艺槽，用于存储IPA。工艺槽包括第一入口和第二入口。第一入口通过第一管路连接IPA供给源。第二入口通过第二管路连接保护气体源；在工艺槽中，保护气体提供无氧气氛并从而阻止IPA氧化。本发明还公开了一...
    2026-02-15
  • 一种工艺腔室及半导体工艺设备
    一种工艺腔室及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410969506.7
    本申请公开了一种工艺腔室及半导体工艺设备，工艺腔室包括：腔室本体、进气结构和气流角度调整件；腔室本体沿第一方向的两侧分别设有传片口和排气口；进气结构设置于腔室本体上方靠近传片口的一侧，进气结构内设有沿第二方向延伸的匀流腔，匀流腔设有进气口和...
    2026-02-15
  • 机台控制方法、机台控制装置和机台
    机台控制方法、机台控制装置和机台_上海光通信有限公司_202410966348.X
    本公开涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种机台控制方法、机台控制装置和机台。机台控制方法包括：确定机台内的至少一个腔室的暖机状态；确定机台的可用装载口的数量；至少基于暖机状态、可用装载口的数量以及待加工片搬运至机台的搬运时间，确定预定装载...
    2026-02-15
  • 一种微电子芯片生产设备及其生产工艺
    一种微电子芯片生产设备及其生产工艺_国鲸盛泰(青岛)数字显示技术有限公司_202511193947.3
    本发明公开了一种微电子芯片生产设备及其生产工艺，涉及微电子芯片加工技术领域，具体包括传送装置，所述传送装置的右侧安装有挡板，所述传送装置上方的前后两侧分别设置有位于芯片外侧的辊筒，所述辊筒上端的外壁转动连接有固定杆，所述固定杆的外壁活动套接...
    2026-02-15
  • 等离子体切割半导体晶片的方法
    等离子体切割半导体晶片的方法_SPTS科技有限公司_202510759060.X
    提供一种等离子体切割半导体晶片的方法。所述方法包含提供包括主硅层和顶部氧化硅层的半导体晶片的步骤，所述顶部氧化硅层覆盖有有机软掩模。所述掩模限定待蚀刻的多个划割线区域。所述方法包含等离子体蚀刻以去除所述划割线区域中的所述顶部氧化硅层以暴露所...
    2026-02-15
  • 一种固态材料表面的加工方法
    一种固态材料表面的加工方法_深圳晶尹阳光电有限公司_202511612688.3
    本发明提供一种固态材料表面的加工方法，包括如下步骤：S1.在固态材料表面设置导电膜层，得半成品A；S2.采用聚焦离子束技术以0.05~0.5 μA的离子束电流在半成品A的表面形成凹槽，制得半成品B；S3.去除半成品B表面的导电膜层。本发明提...
    2026-02-15
  • 一种晶圆镀膜面平坦化刻蚀工艺
    一种晶圆镀膜面平坦化刻蚀工艺_合肥晶威特电子有限责任公司_202511603898.6
    本发明提供了应用于晶圆制备技术领域的一种晶圆镀膜面平坦化刻蚀工艺，包括如下步骤：S100：提供一镀膜晶圆，晶圆上具有多个产品区域，每个产品区域具有一单点频率，利用频率分选机测得晶圆上各产品区域的单点频率；S200：设定一目标频率，其中所述目...
    2026-02-15
  • 形成半导体结构的方法
    形成半导体结构的方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411011149.X
    本公开提出了一种形成半导体结构的方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：提供层结构，所述层结构包括第一层，所述第一层具有沿第一方向排列的利用光刻工艺形成的多个沟槽，所述多个沟槽包括相邻的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽在所述第一...
    2026-02-15
  • 一种提升曝光关键尺寸窗口的工艺方法
    一种提升曝光关键尺寸窗口的工艺方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511587021.2
    本发明提供一种提升曝光关键尺寸窗口的工艺方法，涉及半导体技术领域。该工艺方法包括：提供层叠结构，所述层叠结构包括自下而上依次层叠设置的待刻蚀膜层、传递膜层和图形化的光刻胶层，所述传递膜层包括自下而上依次层叠设置的图形转移层和旋涂层；刻蚀所述...
    2026-02-15
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511425673.6
    一种半导体器件及其制造方法，方法包括：提供键合衬底，所述键合衬底包括键合连接的第一衬底和第二衬底；检测所述键合衬底中键合空洞所在的目标区域；在所述键合衬底上形成掩膜，所述掩膜覆盖所述目标区域并暴露所述目标区域外的至少部分非目标区域；基于所述...
    2026-02-15
  • 自扩散生长掺杂膜层的方法及半导体结构
    自扩散生长掺杂膜层的方法及半导体结构_上海新傲科技股份有限公司_202511295218.9
    本发明涉及一种自扩散生长掺杂膜层的方法及半导体结构。所述自扩散生长掺杂膜层的方法包括如下步骤：放置初始衬底至反应腔室内，所述初始衬底包括相对分布的正面和背面；传输掺杂源气体至所述反应腔室内，并调整所述反应腔室内的温度和压力，使得所述掺杂源气...
    2026-02-15
  • 一种能够改变光子集成芯片晶圆退火后翘曲均匀性的方法
    一种能够改变光子集成芯片晶圆退火后翘曲均匀性的方法_宁波昭明半导体有限公司_202511409728.4
    本发明公开了一种能够改变光子集成芯片晶圆退火后翘曲均匀性的方法，在光子集成芯片晶圆制造过程中，当薄膜沉积在衬底上，对薄膜进行热退火，在薄膜折射率高于衬底的折射率时，通过使激光照射在薄膜上，并在薄膜和衬底的分界面发生全反射实现薄膜的热退火；优...
    2026-02-15
  • 复合衬底和复合衬底的制备方法
    复合衬底和复合衬底的制备方法_苏州龙驰半导体科技有限公司_202512038507.7
    本申请实施例提供一种复合衬底和复合衬底的制备方法。复合衬底包括载体衬底；过渡层，过渡层为非氧化物陶瓷层；过渡层层叠于载体衬底厚度方向的一侧；供体衬底，供体衬底层叠于过渡层背离载体衬底的一侧。过渡层能承受更高的温度，能够避免过渡层在退火工艺中...
    2026-02-15
  • 一种氮化铝复合衬底及其制备方法、半导体器件
    一种氮化铝复合衬底及其制备方法、半导体器件_江苏第三代半导体研究院有限公司_202511563954.8
    本发明公开一种氮化铝复合衬底及其制备方法、半导体器件。该制备方法包括如下步骤：在异质衬底上依次形成牺牲层与氮化铝外延层；通过键合胶在氮化铝外延层上临时键合支撑衬底，得到第一键合结构；解离牺牲层使第一键合结构的异质衬底与氮化铝外延层分离，得到...
    2026-02-15
  • 在衬底上形成图案化的功能性纳米颗粒的方法
    在衬底上形成图案化的功能性纳米颗粒的方法_香港大学_202510992503.X
    一种在衬底上形成图案化的功能性纳米颗粒的方法，所述方法包括以下步骤：用一种材料涂覆衬底，使得其是正电性的，对所涂覆的衬底执行光刻工艺，以形成在待定位ND的位置具有图案化孔阵列的模板，在所述模板的表面上滴加一定量的含有ND的液体，并保持所述模...
    2026-02-15
  • 基板键合方法以及基板键合装置
    基板键合方法以及基板键合装置_细美事有限公司_202510453420.3
    本发明提供基板键合方法以及基板键合装置。根据本发明的基板键合方法包括：在安装于下卡盘的尺度板装载第一基板的步骤；测定在第一基板中包括针对第一水平轴的第一尺度变形量及针对垂直于第一水平轴的第二水平轴的第二尺度变形量的第一位置信息的步骤；在与下...
    2026-02-15
  • 一种阻变存储器及其制作方法
    一种阻变存储器及其制作方法_钠存科技(杭州)有限公司_202511638689.5
    本申请提供了一种阻变存储器及其制作方法，涉及阻变存储器技术领域。首先提供一基体结构，其中，基体结构包括垂直通孔及通孔上方的层间介质层，之后对基体结构进行刻蚀，并在垂直通孔区域形成倒梯形沟槽；然后基于倒梯形沟槽的底部沉积下电极；再基于下电极的...
    2026-02-15
  • 一种RRAM存储器及其制作方法
    一种RRAM存储器及其制作方法_钠存科技(杭州)有限公司_202511638688.0
    本申请提供了一种RRAM存储器及其制作方法，涉及存储器技术领域。该RRAM存储器包括：底部结构；其中，底部结构包括金属层；位于金属层上的下电极；分别位于下电极顶部两侧的第一存储结构与第二存储结构；其中，第一存储结构与第二存储结构均包括逐层设...
    2026-02-15
  • 一种穿刺PDMS薄膜制备的纳米流体忆阻器及其力-电耦合调控系统与方法
    一种穿刺PDMS薄膜制备的纳米流体忆阻器及其力-电耦合调控系统与方法_东南大学_202511498286.5
    本发明涉及微纳电子器件技术领域，具体涉及一种穿刺PDMS薄膜制备的纳米流体忆阻器及其力‑电耦合调控系统与方法。忆阻器由带窗口的硅基底与覆盖其上的PDMS薄膜构成，利用三自由度探针台驱动钨探针在光学显微镜下对PDMS薄膜进行纳米级穿刺，形成具...
    2026-02-15
  • 一种导电丝型阈值转换器件及其制备方法
    一种导电丝型阈值转换器件及其制备方法_华中科技大学_202511463953.6
    本发明涉及一种导电丝型阈值转换器件及其制备方法，属于微电子技术领域。本发明导电丝型阈值转换器件从下到上依次为底电极、石墨烯层、功能层、顶电极。功能层为氧化处理后的二维ZrSe22材料，为导电丝生长与断裂的区域。石墨烯层一方面用于改善功能层与...
    2026-02-15
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