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最新专利技术
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510720743.4
    一种半导体装置包括：下层间绝缘层和其上的有源图案，其中，有源图案在第一水平方向上延伸并且在竖直方向上与下层间绝缘层的上表面间隔开；有源图案上的第一纳米片；在有源图案上在第一水平方向上与第一纳米片间隔开的第二纳米片；在第二水平方向上延伸并且环...
    2026-02-17
  • 一种击穿电压可调的防静电碳化硅IGBT及其制作方法
    一种击穿电压可调的防静电碳化硅IGBT及其制作方法_合肥钧联汽车电子有限公司_202511684226.2
    本发明提供了一种击穿电压可调的防静电碳化硅IGBT及其制作方法，涉及功率半导体器件技术领域。包括在栅极与发射极之间集成有由N型多晶硅栅极与第一重掺杂P+区构成的异质结二极管、以及由N+发射区与P型体区构成的同质结二极管，二者反向串联形成静电...
    2026-02-17
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510686214.7
    提供一种半导体装置，能够降低断开中的电压急剧变化时的电压相对时间的变化量。半导体部的第1面侧区域具有：第2导电类型的第2半导体层，与第1栅电极对置；以及第1导电类型的第3半导体层，与第1电极相接。半导体部的第2面侧区域具有：第2导电类型的第...
    2026-02-17
  • 一种IGBT器件及其制备方法
    一种IGBT器件及其制备方法_无锡华润华晶微电子有限公司_202410958497.1
    本发明提供一种IGBT器件及其制备方法，该IGBT器件包括半导体层、基区、沟槽栅结构、发射区、接触区、层间介质层、集电区、介电层及各电极，其中，半导体层包括元胞区和终端区；沟槽栅结构嵌于元胞区中半导体层上表层；基区位于元胞区上表层且边缘延伸...
    2026-02-17
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_马鞍山市槟城电子有限公司_202511641764.3
    本发明实施例公开一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件包括：衬底，设置为第一导电类型且两侧均设置有第二导电类型结构、发射单元、电极层和沟槽；第二导电类型结构包括第一区域、短基区和第二区域；第二区域的离子浓度大于短基区的离子浓度且小于第一区...
    2026-02-17
  • 一个单个裸片下的混合线大小直径
    一个单个裸片下的混合线大小直径_美光科技公司_202511007323.8
    提供用于在一个单个裸片下的混合线大小直径的系统及设备。例如，一种设备可包含存储器单元裸片、所述存储器单元裸片下方的多个信号垫以及所述存储器单元裸片下方的多个电源垫。耦合到所述多个信号垫中的相应一者的每一接合线具有第一线大小直径并且耦合到所述...
    2026-02-17
  • 半导体封装件
    半导体封装件_三星电子株式会社_202510814129.4
    一种半导体封装件包括具有连接端子的封装基底。连接端子包括第一DQ端子至第四DQ端子以及第一CA端子和第二CA端子。第一芯片堆叠件具有倒装安装并连接到第一DQ端子的第一半导体芯片和引线接合以连接到第四DQ端子的在第一半导体芯片上的第四半导体芯...
    2026-02-17
  • 电子模组及其制造方法
    电子模组及其制造方法_宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司_202411001993.4
    一种电子模组及其制造方法。电子模组包括中介基板、第一电子元件、软性电路板，以及第二电子元件。中介基板包括重布线层与主体层。主体层设置于重布线层上，并具有暴露重布线层的凹槽。第一电子元件埋入于中介基板的凹槽内，并电性连接重布线层。软性电路板包...
    2026-02-17
  • 相变存储器及其形成方法
    相变存储器及其形成方法_新存科技(武汉)有限责任公司_202311708507.8
    本公开提供了一种相变存储器及其形成方法，所述形成方法包括：在阵列区形成第一接触结构，并在外围连接区形成第二接触结构；所述阵列区和所述外围连接区沿第一方向排布；所述第一接触结构和所述第二接触结构沿第二方向延伸；所述第一方向与所述第二方向垂直；...
    2026-02-17
  • 集成电路器件以及制造方法
    集成电路器件以及制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511412047.3
    通过在RRAM单元上方形成层间电介质期间引入非氧化物电介质层，来保护底部电极免受氧诱导的损伤，来解决使电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的操作速度独立于底部电极厚度的问题。非氧化物电介质层可以用作位于围绕顶部电极的第一间隔件上方的第二间隔...
    2026-02-17
  • 电子设备及磁性存储器
    电子设备及磁性存储器_苏州凌存科技有限公司_202512053408.6
    本申请公开了一种电子设备及磁性存储器。该磁性存储器包括：衬底；多个磁性隧道结，设于所述衬底的一侧，且间隔分布；沿着远离所述衬底的方向，各所述磁性隧道结包括依次设置的参考层、隧道势垒层以及自由层；其中，在所述多个磁性隧道结中，存在两个磁性隧道...
    2026-02-17
  • 磁阻式随机存取存储器电路与布局结构
    磁阻式随机存取存储器电路与布局结构_联华电子股份有限公司_202411106615.2
    本发明提出了一种磁阻式随机存取存储器电路与布局结构。其中每个存储器单元包含一第一晶体管，其具有一第一栅极、一第一源极以及一第一漏极，该第一栅极连接到一第一字线、一第二晶体管，其具有一第二栅极、一第二源极以及一第二漏极，该第二栅极连接到一第二...
    2026-02-17
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411035246.2
    本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子设备，半导体器件，包括存储单元，存储单元包括第一栅极、铁电存储结构以及沟道结构。第一栅极沿第一方向延伸。铁电存储结构包括在第一方向上依次远离第一栅极的第二栅极、铁电介电层以及第三栅极。第二栅极在第一...
    2026-02-17
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510851592.6
    提供了一种包括高集成存储单元的半导体装置和制造该半导体装置的方法。该方法可以包括：在衬底上形成第一结合电介质层，在牺牲衬底上顺序地形成模塑堆叠、阻挡层和第二结合电介质层以创建堆叠结构，翻转包括所述牺牲衬底的堆叠结构，将第一结合电介质和第二结...
    2026-02-17
  • 一种铁电氧化铪基的MFIS结构存储器件
    一种铁电氧化铪基的MFIS结构存储器件_河南师范大学_202511254581.6
    本发明公开了一种基于铁电氧化铪的金属‑铁电‑绝缘层‑半导体(MFIS)结构存储器件的优化结构及其制备方法。该器件自下而上依次包括轻掺杂的P型硅衬底、热氧化所致的超薄SiO22绝缘层、(HfO22)xx(Al22O33)1‑x1‑x(HAO)...
    2026-02-17
  • 一种存储阵列、存储器和电子设备
    一种存储阵列、存储器和电子设备_华为技术有限公司_202411038783.2
    本申请实施例提供一种存储阵列、存储器和电子设备，涉及半导体存储技术领域。该存储阵列包括：刻蚀停止层；多层绝缘层和至少一层电极层，多层绝缘层和至少一层电极层交替设置在刻蚀停止层一侧；多个第一电极，第一电极沿刻蚀停止层的厚度方向贯穿多层绝缘层和...
    2026-02-17
  • 嵌入式低压纳米栅铁电晶体管结构及其制备方法
    嵌入式低压纳米栅铁电晶体管结构及其制备方法_北京大学_202511674034.3
    本发明涉及一种嵌入式低压纳米栅铁电晶体管结构及其制备方法，涉及存储器件领域，包括一硅基CMOS逻辑电路，在硅基CMOS逻辑电路上设置有第一绝缘介质层以及水平布置的若干纳米栅铁电晶体管，相邻的纳米栅铁电晶体管之间具有一第二绝缘介质层；纳米栅铁...
    2026-02-17
  • 半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统
    半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统_三星电子株式会社_202510555444.X
    一种半导体器件，包括：导电层；堆叠结构，在第一区域和第二区域中，包括在第一方向上彼此间隔开并顺序地堆叠的栅电极；第一分离区域和第二分离区域，穿透堆叠结构，在与第一方向垂直的第二方向上延伸，并且在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上彼此间隔开...
    2026-02-17
  • 包含十字形接触结构的微电子装置及相关方法及电子系统
    包含十字形接触结构的微电子装置及相关方法及电子系统_美光科技公司_202511040395.2
    本申请案涉及包含十字形接触结构的微电子装置及相关方法及电子系统。一种微电子装置包含：第一微电子装置结构；第二微电子装置结构，其接合到所述第一微电子装置结构；及十字形接触结构，其在所述第一微电子装置结构与所述第二微电子装置结构的接合界面处。所...
    2026-02-17
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510054110.4
    本发明提供一种半导体存储装置，其能够提高动作的可靠性。实施方式的半导体存储装置具备：第1多个字线，积层于衬底的上方；第2多个字线，积层于第1多个字线的上方；选择栅极线，设置于第2多个字线的上方；中间柱(MMP)，设置于衬底的上方，沿Z方向贯...
    2026-02-17
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