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最新专利技术
  • 一种非均匀离子注入掺杂浓度的二次谐波信号获取方法及应用
    一种非均匀离子注入掺杂浓度的二次谐波信号获取方法及应用_华中科技大学_202511400981.3
    本发明属于半导体掺杂相关技术领域，其公开了一种非均匀离子注入掺杂浓度的二次谐波信号获取方法及应用，步骤为：S1，基于离子注入掺杂样品中光学性质分布模型确定特定激光波长下、离子注入掺杂样品不同深度位置的折射率和吸收系数；S2，基于得到的折射率...
    2026-02-09
  • 硅基板电性检测链路结构及测试方法
    硅基板电性检测链路结构及测试方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511385632.9
    本申请涉及一种硅基板电性检测链路结构及测试方法，其中，硅基板电性检测链路结构包括：互连基板，互连基板包括沿第一方向和第二方向呈阵列排布的多个光罩区，每一个光罩区包括四个角落区，第一方向与第二方向垂直；多条分立的测试链路，每一条测试链路横跨沿...
    2026-02-09
  • PZT晶圆用检测设备
    PZT晶圆用检测设备_辰瓴半导体(嘉兴)有限公司_202511346666.7
    本申请公开了一种PZT晶圆用检测设备，涉及PZT晶圆检测的技术领域。一种PZT晶圆用检测设备，包括机架，所述机架上设有用于进行晶圆上下料的上下料装置、用于移动晶圆的移料装置、用于夹持晶圆的夹料装置和用于对晶圆进行检测的检测装置；所述检测装置...
    2026-02-09
  • 背接触太阳电池可靠性测试结构及背接触太阳电池可靠性测试方法
    背接触太阳电池可靠性测试结构及背接触太阳电池可靠性测试方法_通威太阳能(成都)有限公司_202511138665.3
    本申请提供了一种背接触太阳电池可靠性测试结构及背接触太阳电池可靠性测试方法，背接触太阳电池可靠性测试结构包括背接触太阳电池、透光层、导电层和背板层；背接触太阳电池的背面具有极性相反的第一电极和第二电极，透光层设于背接触太阳电池的正面，背板层...
    2026-02-09
  • 检验太阳能电池缺陷的方法
    检验太阳能电池缺陷的方法_通威太阳能(金堂)有限公司_202410977454.8
    本申请提出了一种检验太阳能电池缺陷的方法，其特征在于，包括：S10：对晶硅衬底进行制绒、清洗处理，在所述晶硅衬底的两侧分别形成功能膜层，在所述功能膜层远离所述晶硅衬底的一侧形成第一电极和第二电极，固化，以获得电池片；S20：采用电致发光测试...
    2026-02-09
  • 测试结构以及测试方法
    测试结构以及测试方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410954552.X
    一种测试结构及测试方法，测试结构包括：第一电信号加载线与第一子单元区的下拉晶体管的漏极侧电连接；第二电信号加载线与第一子单元区的传输门晶体管和下拉晶体管的源极侧电连接；第三电信号加载线与第一子单元区和第二子单元区的传输门晶体管的漏极侧电连接...
    2026-02-09
  • 一种外延炉装载过程中减少产品报废的工装
    一种外延炉装载过程中减少产品报废的工装_浙江晶睿电子科技有限公司_202511539091.0
    本发明公开了一种外延炉装载过程中减少产品报废的工装，涉及到基片加工工装技术领域，其包括中心真空吸盘夹片和抽真空主气管，该工装还包括：基片本体，所述基片本体的顶部吸附在中心真空吸盘夹片的底部，中心真空吸盘夹片的顶部设置有环形斜面；抽真空连接管...
    2026-02-09
  • 芯片吸取方法
    芯片吸取方法_威讯联合半导体(北京)有限公司_202511500609.X
    本发明实施例公开了一种芯片吸取方法，包括将多个间隔设置的行内的芯片识别为第一芯片和第三芯片，使同一行内的第一芯片和第三芯片交替排列，且相邻行之间间隔有一行间隔行；将间隔行行内的芯片识别为第二芯片和第三芯片，使每个间隔行内的第二芯片和第三芯片...
    2026-02-09
  • 晶圆吸附方法、真空吸附设备及计算机程序产品
    晶圆吸附方法、真空吸附设备及计算机程序产品_宸微设备科技(苏州)有限公司_202511492377.8
    本发明实施例提供了一种晶圆吸附方法、真空吸附设备及计算机程序产品，其中，所述方法应用于真空吸附设备，包括：获取具有相对的吸附面和功能面的待吸附晶圆；真空吸附其吸附面；向保持真空吸附状态的功能面施加预设流量的目标控压气体，改变吸附面的压力值和...
    2026-02-09
  • 一种用于金凸块ECD晶圆级封装的镀膜装置
    一种用于金凸块ECD晶圆级封装的镀膜装置_临沂金霖电子有限公司_202511257781.7
    本发明公开了一种用于金凸块ECD晶圆级封装的镀膜装置，涉及金凸块ECD晶圆级封装加工设备技术领域，其技术要点包括金凸块ECD晶圆级封装镀膜机体；控制面板，所述控制面板通过螺钉安装在金凸块ECD晶圆级封装镀膜机体的外壁上；升降晶圆运载台，所述...
    2026-02-09
  • 一种半导体器件加工夹持工装
    一种半导体器件加工夹持工装_派镀科技(深圳)有限公司_202511904334.6
    本发明涉及夹持工装技术领域，尤其是一种半导体器件加工夹持工装，包括工作台和圆台，所述圆台设置在工作台圆心位置处，所述圆台上方用于放置晶圆片，还包括滑动板，所述滑动板设有多个且呈环状同步滑动设置在工作台上方，所述滑动板内端设与圆台上表面共面的...
    2026-02-09
  • 一种引脚弯曲型管壳平行缝焊夹具
    一种引脚弯曲型管壳平行缝焊夹具_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202511898464.3
    本发明公开了一种引脚弯曲型管壳平行缝焊夹具，用于装夹引脚弯曲型管壳，引脚弯曲型管壳包括基体、设于基体上端的盖板以及设于基体下端的引脚，本平行缝焊夹具包括上夹具本体和下夹具本体，下夹具本体上端设有一用于支撑基体的支撑固定机构，对基体形成竖向支...
    2026-02-09
  • 减薄晶圆提取运送机构
    减薄晶圆提取运送机构_上海提牛科技股份有限公司_202511858740.3
    本发明公开了一种减薄晶圆提取运送机构，包括：夹取机构安装架、吊杆、两纵壁、纵向驱动机构、两水平导轨和水平驱动机构，其中夹取机构安装架悬吊在吊杆下，其内设有减薄晶圆夹取机构、两侧设有滑设在纵壁的纵向导轨上的纵向滑块；吊杆的两端分别设有与纵壁的...
    2026-02-09
  • 大尺寸高精度晶圆对准键合用卡盘
    大尺寸高精度晶圆对准键合用卡盘_西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所)_202511533684.6
    本发明涉及临时晶圆键合技术领域，具体涉及一种大尺寸高精度晶圆对准键合用卡盘，主要解决卡盘存在的仅能适用特定厚度的下晶圆且摆臂的旋转阻力不可调的技术问题。本卡盘包括外环框、内盘体和隔片组件，隔片组件设有多套且沿外环框的周向均布，隔片组件包括固...
    2026-02-09
  • 卡盘及半导体设备
    卡盘及半导体设备_深圳市新凯来工业机器有限公司_202511454267.2
    本申请提供一种卡盘及半导体设备。卡盘用于承载晶圆。本申请提供的卡盘能够提升在对晶圆进行加热或者散热时，晶圆表面温度的均匀性。所述卡盘包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面沿所述卡盘的厚度方向相背设置。所述卡盘包括第一区域和第二区...
    2026-02-09
  • 防腐蚀静电吸盘
    防腐蚀静电吸盘_深圳市川世达科技有限公司_202511670362.6
    本发明提供了防腐蚀静电吸盘，包括底座，所述底座固定有基板，所述基板上集成有层状的加热单元，所述加热单元上设置有电极，所述电极的顶部设置用于放置吸附物的陶瓷板；所述基板和底座上开设有用于引导陶瓷板表面边缘处液体流出的导流部；刮液组件，所述刮液...
    2026-02-09
  • 一种高温静电卡盘及其制备方法
    一种高温静电卡盘及其制备方法_广东精瓷新材料有限公司_202511251901.2
    本发明公开一种高温静电卡盘及其制备方法，其结构包括陶瓷层和陶瓷金属基座，陶瓷层是氮化铝陶瓷或者氧化铝陶瓷的一种；陶瓷金属基座以可伐合金(主要成分是铁、镍和钴)或铝的一种为基底，添加剂为碳化硅、氧化钇、碳化钛或氧化铝、碳化硅、氧化锆。本发明的...
    2026-02-09
  • 晶圆临时键合方法
    晶圆临时键合方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511785772.5
    本申请提供了一种晶圆临时键合方法，包括提供一载片晶圆，载片晶圆包括载片基底以及依次形成的缓冲氧化硅层、氮化钛剥离层以及第一键合氧化硅层；提供一器件晶圆，器件晶圆包括器件基底以及依次形成的氮化钛吸收层以及第二键合氧化硅层；通过第一键合氧化硅层...
    2026-02-09
  • 半导体键合结构
    半导体键合结构_天虹科技股份有限公司_202511586819.5
    本发明为一种半导体键合结构，主要包括一承载基板、一晶圆及一发泡黏合层。承载基板与晶圆层叠设置，而发泡黏合层位于承载基板及晶圆之间，并用以黏合承载基板及晶圆。发泡黏合层包括一黏合胶体及多个发泡颗粒，其中发泡颗粒在高温时会分解并产生气体。发泡颗...
    2026-02-09
  • 半导体结构、半导体单元及其形成方法
    半导体结构、半导体单元及其形成方法_隆达电子股份有限公司_202510971262.0
    本发明公开一种半导体结构、半导体单元及其形成方法。半导体结构包括底层、支架及半导体元件。底层具有凸部。支架设置于底层上。支架包括接合部、连接部及承载部。接合部与底层的凸部连接。连接部与接合部连接。承载部与连接部连接。半导体元件设置于承载部上...
    2026-02-09
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