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最新专利技术
  • 元器件制备方法、系统、芯片产品及设备
    元器件制备方法、系统、芯片产品及设备_腾讯科技(深圳)有限公司_202410987085.0
    本申请公开了一种元器件制备方法、系统、芯片产品及设备，涉及微纳加工技术领域。所述方法包括：刻蚀基底表面的第一区域，形成带有凹槽的基底，凹槽的底部具有凸起部分；采用第一溶液腐蚀凸起部分，得到带有整平处理后凹槽的基底；在带有整平处理后凹槽的基底...
    2026-02-10
  • 一种基于环形自由层的线性TMR传感器
    一种基于环形自由层的线性TMR传感器_广西电网有限责任公司电力科学研究院_202511395818.2
    本发明提供了一种基于环形自由层TMR传感器。属于传感器技术领域，包括参考层、势垒层与环形自由层构成，通过构建拓扑约束的环形磁畴结构，实现自由层磁矩在外磁场作用下的可控偏转，与参考层形成精确的相对取向，从而提升磁性隧道结(MTJ)的线性响应性...
    2026-02-10
  • 半导体结构的布局图案以及其形成方法
    半导体结构的布局图案以及其形成方法_联华电子股份有限公司_202411083359.X
    本发明公开一种半导体结构的布局图案以及其形成方法，其中半导体结构的布局图案包含多个SOT(Spin‑Orbit Torque，自旋轨道转矩)层，排列成阵列并且位于一介电层上，其中每一个SOT层下方连接两个接触插塞结构，多个MTJ(magne...
    2026-02-10
  • γ射线诱导增强Y掺杂HfO2稀磁半导体薄膜磁性的方法
    γ射线诱导增强Y掺杂HfO2稀磁半导体薄膜磁性的方法_北方工业大学_202511558133.5
    本发明属于稀磁半导体薄膜技术领域，具体公开了γ射线诱导增强Y掺杂HfO22稀磁半导体薄膜磁性的方法，包括如下步骤：S1、将Y掺杂HfO22的靶材放置在射频装置，将111取向的YSZ衬底固定在射频装置的表盘中心位置，使靶材与衬底相对应；S2、...
    2026-02-10
  • 磁阻式随机存取存储器及其制作方法
    磁阻式随机存取存储器及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411088214.9
    本发明公开一种磁阻式随机存取存储器及其制作方法，其中制作磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)元件的方法，其主要先形成一自旋轨道转矩式(spin orbit torqu...
    2026-02-10
  • 一种带非对称凸出电极的径向振动压电变压器及其制备方法
    一种带非对称凸出电极的径向振动压电变压器及其制备方法_北京聚才新创科技有限公司_202511536969.5
    本发明涉及压电变压器技术领域，具体为一种带非对称凸出电极的径向振动压电变压器及其制备方法，该压电变压器初、次级可以是同种或两种不同介电常数的压电陶瓷材料交替层叠，初、次级之间无隔离片或有隔离片；智能温控层，设置在变压器外层，包含热敏相变材料...
    2026-02-10
  • 一种含背孔的玻璃基异质集成结构及制作方法
    一种含背孔的玻璃基异质集成结构及制作方法_中电科技德清华莹电子有限公司_202511973008.0
    本发明提供一种含背孔的玻璃基异质集成结构及制作方法，在异质集成晶圆上设计背孔；异质集成晶圆包括玻璃基衬底和压电晶体层，或在玻璃基衬底与压电晶体层之间键合至少一层异质薄膜层；背孔为盲孔或/和通孔，盲孔刻蚀触达压电晶体层或任一异质薄膜层；背孔内...
    2026-02-10
  • 压电振膜及其制备方法、采用该压电振膜的MEMS器件
    压电振膜及其制备方法、采用该压电振膜的MEMS器件_昇澜半导体(常州)有限公司_202511651231.3
    本发明提供一种压电振膜及其制备方法、采用该压电振膜的MEMS器件，所述压电振膜包括基底以及依次设置在所述基底上的底电极、缓冲层、压电薄膜层以及顶电极，其特征在于，所述基底的参数满足如下条件中的至少一个：所述基底的杨氏模量小于硅的杨氏模量，所...
    2026-02-10
  • 一种平动偏转复合型压电微动平台
    一种平动偏转复合型压电微动平台_广州大学_202511364512.0
    本发明公开了一种平动偏转复合型压电微动平台，其包括底座、升降组件和旋转平台。其中，升降组件和旋转平台均安装至底座上。升降组件能够驱动旋转平台升降以及偏转，旋转平台设置有能够与外界部件连接的输出端，旋转平台能够驱动该输出端旋转。本申请通过升降...
    2026-02-10
  • 一种键合晶圆及其制备方法、滤波器
    一种键合晶圆及其制备方法、滤波器_天通瑞宏科技有限公司_202511960047.7
    本发明实施例提供一种键合晶圆及其制备方法、滤波器，制备方法包括：提供晶圆衬底，晶圆衬底包括第一衬底表面和第二衬底表面；提供压电层并调整压电层位于第一衬底表面的一侧，压电层包括第一压电表面和第二压电表面；键合压电层和晶圆衬底并制备键合单元；对...
    2026-02-10
  • 用于金属芯压电纤维制备的模具系统、装置及方法
    用于金属芯压电纤维制备的模具系统、装置及方法_台州学院_202511704693.7
    本发明提供了用于金属芯压电纤维制备的模具系统、装置及方法，属于压电材料技术领域。本发明的模具系统，包括：内部设有贯通的锥形内孔的锥形模具以及使模具具备预设角度自由度的弹性悬挂对中系统，以实现金属芯基底的动态对中。制备方法包括：金属芯基底预处...
    2026-02-10
  • 一种抗干扰压电式阵列柔性传感器及其制备方法
    一种抗干扰压电式阵列柔性传感器及其制备方法_南昌大学_202511560248.8
    本发明公开了一种抗干扰压电式阵列柔性传感器及其制备方法，属于压力传感器技术领域。本申请抗干扰压电式阵列柔性传感器由上而下包括：触觉层、上电极层、压电层、下电极层和下基板，其中触觉层为被十字结构制造的缝隙分裂成四部分的分体结构；通过改变触觉层...
    2026-02-10
  • 一种石墨烯-钽酸锂晶体管长波红外探测器及其制备方法
    一种石墨烯-钽酸锂晶体管长波红外探测器及其制备方法_中国科学院上海技术物理研究所_202511935715.0
    本发明属于半导体光电器件工艺技术领域，尤其涉及一种石墨烯‑钽酸锂晶体管长波红外探测器及其制备方法。该红外探测器包括衬底、钽酸锂薄膜、石墨烯层、源金属电极、漏金属电极和钝化层；其中钽酸锂薄膜位于衬底上；源金属电极和漏金属电极设置在所述钽酸锂薄...
    2026-02-10
  • 一种热释电红外探测器及热释电红外探测器制备方法
    一种热释电红外探测器及热释电红外探测器制备方法_杭州科迩光芯微电子有限公司_202511479385.9
    本发明公开了一种热释电红外探测器及热释电红外探测器制备方法，应用于红外探测领域，包括：依次设置的读出电路结构、第一电极、热释电单晶薄膜层、第二电极和红外辐射吸收层；红外辐射吸收层至少对波长3微米至14微米的红外辐射有效吸收；热释电单晶薄膜层...
    2026-02-10
  • 一种红外探测器灵敏元结构、制备方法及红外探测器
    一种红外探测器灵敏元结构、制备方法及红外探测器_杭州科迩光芯微电子有限公司_202511475753.2
    本发明公开了一种红外探测器灵敏元结构、制备方法及红外探测器，应用于红外探测领域，该红外探测器灵敏元结构包括：第一电极、热释电功能层和第二电极；热释电功能层为聚偏二氟乙烯基共聚物薄膜层，聚偏二氟乙烯基共聚物薄膜层直接吸收红外光；第一电极设置在...
    2026-02-10
  • 一种压紧式热电器件及其制备方法
    一种压紧式热电器件及其制备方法_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202511237389.6
    本发明公开一种压紧式热电器件，包括沿热源至冷源方向依次压紧设置的集热板、n个热端电极、n个热电单元、2n个冷端电极和冷靴，热电单元包括一对串联的P型热电臂和N型热电臂，热电单元中的P型热电臂与相邻热电单元中的N型热电臂串联，集热板上设有至少...
    2026-02-10
  • 一种Mg3(Sb, Bi)2基复合热电水凝胶器件的制备方法
    一种Mg3(Sb, Bi)2基复合热电水凝胶器件的制备方法_四川大学_202511514510.5
    本发明涉及一种Mg33(Sb, Bi)22基复合热电水凝胶器件的制备方法。将Mg3.193.19Co0.010.01Sb0.490.49Bi1.491.49Te0.010.01热电粉体与k‑卡拉胶、明胶及碳纳米管按比例混合，水浴加热搅拌均匀...
    2026-02-10
  • 一种空穴传输层及其制备方法和太阳能电池
    一种空穴传输层及其制备方法和太阳能电池_福建农林大学_202511297859.8
    本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种空穴传输层及其制备方法和太阳能电池。本发明太阳能电池使用羧酸锚定咔唑基衍生物作为空穴传输材料。本发明材料通过羧基与ITO表面羟基形成氢键，实现温和锚定；双羧酸结构进一步增强自组装分子与ITO之间的锚定能力...
    2026-02-10
  • 组合物、薄膜以及光电器件
    组合物、薄膜以及光电器件_深圳市TCL高新技术开发有限公司_202410985534.8
    本申请公开一种组合物、薄膜以及光电器件，所述组合物包括强碱性阴离子树脂和量子点，其中，强碱性阴离子树脂对量子点具有保护作用，能够降低高温对量子点的损伤，提高了量子点的热稳定性，所述组合物能够应用于制备光电器件，有利于提高光电器件的光电性能和...
    2026-02-10
  • 一种含增透层的复合FTO基板及其制备方法和钙钛矿电池
    一种含增透层的复合FTO基板及其制备方法和钙钛矿电池_正泰新能科技股份有限公司_202410984410.8
    本发明提供了一种含增透层的复合FTO基板及其制备方法和钙钛矿电池。所述复合FTO基板包括FTO基板和设置在所述FTO基板一侧表面的增透层；沿着远离所述FTO基板的方向，所述增透层包括依次层叠设置的磷酸氢镍层和纳米氧化硅层。本发明通过在所述F...
    2026-02-10
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