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最新专利技术
  • 封装基板的制造方法
    封装基板的制造方法_深圳大学_202511271417.6
    本发明涉及封装基板技术领域，公开了一种封装基板的制造方法，包括：提供基板原材；在基板原材上形成通孔；通过超声喷雾热解工艺在通孔侧壁形成种子层；采用金属导电材料填充通孔, 使得所述金属导电材料附着于所述种子层上。本发明的封装基板的制造方法中，...
    2026-01-27
  • 空腔基板及制作方法
    空腔基板及制作方法_珠海越芯半导体有限公司_202511222294.7
    本公开提供一种空腔基板及制作方法，通过将保护胶层贴附于所述核心基板的表面对应于空腔区域的位置，并且所述保护胶层的边缘搭接于核心基板表面的第一线路层的环形线路上，从而能够以所述第一线路层的环形线路为阻挡层，切割空腔区域的外围区域的第一介质层形...
    2026-01-27
  • 一种生产集成电路引线框架用刻蚀设备及其生产工艺
    一种生产集成电路引线框架用刻蚀设备及其生产工艺_国鲸合创(青岛)科技有限公司_202511181796.X
    本发明涉及引线框架技术领域，且公开了一种生产集成电路引线框架用刻蚀设备及其生产工艺，包括刻蚀设备外壳，其内腔设安装座，安装座上有第一驱动件，经第一传动件连接安装架；安装架上有第二驱动件，通过齿轮传动带动安装板；外壳内腔上部有第三驱动件，经第...
    2026-01-27
  • 一种具有温度检测功能的封装基板层叠制作方法
    一种具有温度检测功能的封装基板层叠制作方法_威海新佳电子有限公司_202511672580.3
    本发明公开了一种具有温度检测功能的封装基板层叠制作方法，包括以下步骤：采用梯度钎焊工艺将多层陶瓷基板与铜箔键合，通过系列工艺在陶瓷绝缘层内嵌入温度传感器，完成具有温度检测功能的层叠封装基板制作，所采用的钎料熔点依次降低，且相邻两次钎焊工艺所...
    2026-01-27
  • 一种具有温度传感器的叠层半桥功率半导体模块
    一种具有温度传感器的叠层半桥功率半导体模块_威海新佳电子有限公司_202511672467.5
    本发明公开了一种具有温度传感器的叠层半桥功率半导体模块，包括从下至上依次层叠设置的散热底板、绝缘陶瓷层以及构成电路图案的功能金属层，以及设置于功能金属层上的低侧功率半导体芯片和高侧功率半导体芯片，低侧功率半导体芯片与高侧功率半导体芯片通过一...
    2026-01-27
  • 一种芯片堆叠结构及模组设备
    一种芯片堆叠结构及模组设备_西安紫光国芯半导体股份有限公司_202511556854.2
    本发明公开了一种芯片堆叠结构及模组设备。该芯片堆叠结构包括：中介层、N个功能芯片和微通道基板，N取大于0的整数；所述N个功能芯片的第一表面与第二表面相背设置，所述第一表面为设置有功能电路的表面，所述第一表面与所述中介层固定连接，以通过所述中...
    2026-01-27
  • 基于高粘抗震材料的液冷散热装置、制备方法及电子设备
    基于高粘抗震材料的液冷散热装置、制备方法及电子设备_深圳市鑫典金光电科技有限公司_202511438823.7
    本发明公开一种基于高粘抗震材料的液冷散热装置、制备方法及电子设备，液冷散热装置包括金属基板，包覆于所述金属基板的高粘抗震导热层；所述高粘抗震导热层以分散有复合导热填料的环氧树脂连续相作为海相，以分布于所述海相的核壳橡胶微粒分散相为岛相；本申...
    2026-01-27
  • 埋入式芯片扇出方法及埋入式芯片扇出结构
    埋入式芯片扇出方法及埋入式芯片扇出结构_无锡深南电路有限公司_202511416307.4
    本发明提供了一种埋入式芯片扇出方法和埋入式芯片扇出结构。本发明实施例的埋入式芯片扇出方法包括如下操作：获取封装基板，封装基板具有埋设于其内部的芯片，在封装基板厚度方向上一侧对应芯片设置预设散热通道；在封装基板上对应预设散热通道的位置热压有散...
    2026-01-27
  • 埋入式芯片扇出方法、埋入式芯片扇出结构及电子装置
    埋入式芯片扇出方法、埋入式芯片扇出结构及电子装置_无锡深南电路有限公司_202511405269.2
    本发明提供了一种埋入式芯片扇出方法、埋入式芯片扇出结构及电子装置，本发明实施例的埋入式芯片扇出方法包括以下操作：在基板上设置通孔；将芯片埋设于所述通孔内，所述芯片具有电连接部，并使所述芯片的电连接部位于所述基板的一侧面；在所述基板的另一侧面...
    2026-01-27
  • 封装结构
    封装结构_台湾积体电路制造股份有限公司_202511401241.1
    根据本公开实施例的封装结构包括：封装衬底；中介层，接合至封装衬底；第一管芯和第二管芯，通过微凸块接合至中介层；底部填充物，围绕微凸块，设置在第一管芯和中介层之间以及第二管芯和中介层之间；金属层，与中介层、底部填充物、第一管芯的侧壁和第二管芯...
    2026-01-27
  • 半导体器件及电子设备
    半导体器件及电子设备_甬江实验室_202511925083.X
    本申请涉及半导体技术领域，提供了一种半导体器件及电子设备。半导体器件包括器件主体、芯片层和第一散热件。芯片层运行过程中产生的热量可以传导至第一散热件。散热流体可以流经第一散热件的表面，第一散热件中的第一扰流部凸起于第一基层部的一侧设置，使得...
    2026-01-27
  • 一种集成散热系统的压接式IGBT模块
    一种集成散热系统的压接式IGBT模块_华中科技大学_202511681078.9
    本发明属于功率半导体器件封装集成技术领域，尤其涉及一种集成散热系统的压接式IGBT模块，包括：功率芯片，一侧为集电极，另一侧为发射极；第一烧结层，固定连接在功率芯片的集电极；第一金属导电层，固定连接在第一烧结层远离功率芯片的一侧；第一散热机...
    2026-01-27
  • 相变散热系统用蒸发器、及泵驱低高度相变散热系统
    相变散热系统用蒸发器、及泵驱低高度相变散热系统_桂林电子科技大学_202511556523.9
    本发明涉及电子设备散热技术领域，公开一种相变散热系统用蒸发器以及一种泵驱低高度相变散热系统。所述蒸发器由底板和盖板形成蒸发腔体，底板设有平行阵列齿片，相邻的齿片之间构成用于产生毛细力并用于输送液态工质的微通道，盖板设置有针刺，针刺间隔地插入...
    2026-01-27
  • 冷却装置和芯片模块总成
    冷却装置和芯片模块总成_采埃孚股份公司_202410950200.7
    本发明涉及汽车零部件技术领域，提供冷却装置和芯片模块总成。冷却装置包括：冷却件，设置有不连通且共用热交换面的第一冷却空间和第二冷却空间；导流件，与冷却件密封装配，导流件设置有导流腔和带通孔的安装槽；其中，导流腔和第一冷却空间设置有相配合的挡...
    2026-01-27
  • 用于光电融合集成组件的微流道散热结构
    用于光电融合集成组件的微流道散热结构_中国科学院半导体研究所_202410944598.3
    本公开提供了一种用于光电融合集成组件的微流道散热结构，该微流道散热结构包括：光组件热沉，贴合在光组件下方，底部刻蚀有多条第一直流微通道；管壳，设于光组件热沉下方，设有垂直于第一直流微通道的第一进液口和第一出液口；光组件岐管层，设于管壳下方，...
    2026-01-27
  • 芯片封装结构及芯片封装方法
    芯片封装结构及芯片封装方法_长江存储科技有限责任公司_202410940368.X
    本公开涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种芯片封装结构及芯片封装方法。芯片封装结构包括封装基板、第一导热部以及至少一个芯片，所述第一导热部嵌设于所述封装基板；至少一个所述芯片嵌设于所述封装基板，所述芯片与所述第一导热部接触。通过将第一导热部和...
    2026-01-27
  • 一种直接液冷功率芯片结构及其制造方法
    一种直接液冷功率芯片结构及其制造方法_中山大学_202511892601.2
    本发明提供了一种直接液冷功率芯片结构及其制造方法，属于半导体封装技术领域，包括以下步骤：对封装基板的金属层进行表面预处理，以去除表面氧化物和有机污染物；在金属层中加工出微流道结构；将功率芯片的底部焊盘与金属层表面进行电气和热学互连，并使功率...
    2026-01-27
  • 一种基于金刚石-硅复合微通道的高效散热结构及其制造方法
    一种基于金刚石-硅复合微通道的高效散热结构及其制造方法_北京科技大学_202511292550.X
    本发明提供了一种金刚石‑硅复合微通道散热器的制备方法，涉及微电子封装与热管理技术领域。包括：步骤S1、制备金刚石膜；步骤S2、金刚石膜研磨抛光；步骤S3、硅片减薄；步骤S4、深硅刻蚀；步骤S5、键合歧管结构。本发明直接键合金刚石薄膜增强热扩...
    2026-01-27
  • 用于制造用于半导体组件的冷却装置的方法
    用于制造用于半导体组件的冷却装置的方法_西门子股份公司_202510952703.2
    本发明涉及用于制造用于半导体组件的冷却装置的方法。为了实现简单且成本适宜的制造，提出了以下步骤：制造基体、特别是金属的基体，该基体具有平坦的表面、第一侧面和与第一侧面相对布置的第二侧面，其中，向基体中引入从第一侧面到第二侧面连续伸展并且平行...
    2026-01-27
  • 导线和互连结构体以及半导体器件
    导线和互连结构体以及半导体器件_三星电子株式会社_202510914687.8
    导线、互连结构体、以及半导体器件，所述导线包括拓扑半金属和二维材料，所述互连结构体包括一个或多个介电层和第一导线，所述第一导线包括拓扑半金属和二维材料，所述半导体器件包括所述导线或所述互连结构体。
    2026-01-27
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