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最新专利技术
  • 氧化镓基板用研磨剂及研磨方法
    氧化镓基板用研磨剂及研磨方法_日产化学株式会社_202480037856.8
    本发明的课题是提供将氧化镓基板以高研磨速度进行研磨的研磨用组合物及其研磨方法。解决手段是一种研磨用组合物，是包含二氧化硅粒子、水和多价阴离子的、氧化镓基板的研磨用组合物，该多价阴离子的含量在该研磨用组合物中为0.002摩尔/升以下。多价阴离...
    2026-04-11
  • 等离子体处理装置和电位控制方法
    等离子体处理装置和电位控制方法_东京毅力科创株式会社_202480041221.5
    等离子体处理装置具有腔室、载置台、多个电极、电源、开关部和控制部。腔室构成为能够在内部生成等离子体。载置台配置在腔室内，由电介质形成，构成为能够载置基片，并且构成为能够在基片的周围载置环组件。多个电极设置在载置台的内部的与环组件相对的部分。...
    2026-04-11
  • 形成含镓膜的方法
    形成含镓膜的方法_周星工程股份有限公司_202480040912.3
    本公开的实施例涉及一种形成含镓膜的方法，该方法在其上形成有金属膜、硅(Si)膜、硅氧化物(SiO)膜和硅氮化物(SiN)膜中的至少一者的基板上形成含镓膜。该方法可以包括如下步骤：准备基板；向基板上喷洒含镓(Ga)源气体；以及向基板上喷洒含氮...
    2026-04-11
  • 制造用于将压电层转移到支撑衬底上的供体衬底的方法
    制造用于将压电层转移到支撑衬底上的供体衬底的方法_SOITEC公司_202480041118.0
    本发明涉及一种用于制造供体衬底(1)的方法，所述供体衬底(1)用于将压电层转移到支撑衬底上，所述方法包括以下连续步骤：·(a)提供压电衬底(5)和操作衬底(2)；·(b)在操作衬底(2)或压电衬底(5)的主表面上沉积光聚合粘合层(6)；·(...
    2026-04-11
  • 有机电子元件、有机电子元件用材料以及酰亚胺化合物
    有机电子元件、有机电子元件用材料以及酰亚胺化合物_东曹株式会社_202480041252.0
    本发明提供能够提高空穴的传输能力的有机电子元件、有机电子元件用材料以及该有机电子元件中使用的能够提高空穴的传输能力的酰亚胺化合物。一种有机电子元件，为包含第一电极、第二电极、以及配置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层的有机电子元件，所...
    2026-04-11
  • 发光基板、显示面板和显示装置
    发光基板、显示面板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202280004797.5
    一种发光基板(LS)、显示面板(DP)和显示装置。发光基板(LS)包括：衬底基板(1)；第一电源线(21)，设置在衬底基板(1)上；辅助电极图案(3)，设置在第一电源线(21)远离衬底基板(1)的一侧，并与第一电源线(21)电连接；有机材料...
    2026-04-11
  • 有机电场发光元件用混合材料及有机电场发光元件
    有机电场发光元件用混合材料及有机电场发光元件_日铁化学材料株式会社_202480039373.1
    本发明提供一种可获得低电压驱动、同时以高效率发光、且具有长寿命特性而在实用上有用的有机EL元件的有机电场发光元件用材料、及使用其获得的有机电场发光元件。一种有机电场发光元件用混合材料，包含通式(1)所表示的化合物、以及通式(10)所表示的环...
    2026-04-11
  • 一种LED器件、发光模组及显示装置
    一种LED器件、发光模组及显示装置_厦门市芯颖显示科技有限公司_202280004710.4
    一种LED器件、发光模组及显示装置。LED器件包括生长衬底(100)及形成在生长衬底(100)上的若干LED芯片(11)和隔离结构，隔离结构自生长衬底(100)的正面延伸，设置在相邻的LED芯片(11)之间。上述隔离结构可以形成为挡墙结构(...
    2026-04-11
  • 发光装置和灯具
    发光装置和灯具_沃思电子埃索斯有限责任两合公司_202480038851.7
    本发明提供一种发光装置(1)，具有至少两个LED单元(Lii，i＝1、2、3)，各自具有：至少一个LED芯片(Cii)，所述至少一个LED芯片用于产生具有初级光谱的初级光(Pii)；和转换元件(Kii)，所述转换装置用于将所述初级光(Pii...
    2026-04-11
  • 发光基板和显示装置
    发光基板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480000908.4
    一种发光基板和显示装置。发光基板包括基板(1)、承托基底(4)、发光芯片(2)和保护胶(3)；承托基底(4)设置在基板(1)的一侧，承托基底(4)上设有第一通孔；发光芯片(2)设置在基板(1)上且位于第一通孔内；保护胶(3)设置在发光芯片(...
    2026-04-11
  • 带有发光二极管的具有改进光提取的显示屏和用于这种屏的显示像素
    带有发光二极管的具有改进光提取的显示屏和用于这种屏的显示像素_艾利迪公司_202480040309.5
    本描述涉及一种显示像素(3')，其旨在被放置和附接到显示屏(10)的面板(2)，显示像素(3')包括：发光区(8)，其包括至少一个发光二极管LED；支撑件(9)，其对于由发光区(8)发射的辐射是透明的，支撑件(9)的高度大于5µm；以及由固...
    2026-04-11
  • 发光单元和显示基板
    发光单元和显示基板_京东方科技集团股份有限公司_202480000862.6
    一种发光单元和显示基板，发光单元包括：发光主体，所述发光主体包括依次堆叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第三半导体层，设置在所述第二半导体层远离所述发光层的一侧；第四半导体层，设置在所述第三半导体层远离所述发光层的一侧；所述第四半导体...
    2026-04-11
  • 用于在光电子器件的光路中将光学元件固定在衬底上的方法和光电子器件
    用于在光电子器件的光路中将光学元件固定在衬底上的方法和光电子器件_艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司_202480040226.6
    提出一种用于在光电子器件的光路中将光学元件固定在衬底上的方法，包括以下步骤：‑提供光学元件，所述光学元件具有包含第一表面材料的第一表面，并且提供衬底，所述衬底具有包含第二表面材料的第二表面，其中第一表面材料和第二表面材料彼此无关地选自透明的...
    2026-04-11
  • 采用非永久性互连结构的X射线探测器
    采用非永久性互连结构的X射线探测器_万睿视影像有限公司_202480038329.9
    一些实施例包括一种X射线探测器，其包括：基板，其包含：多个像素，其被配置为将入射X射线转换为电信号；多条数据线，其耦接至所述像素；印刷电路组件(PCA)，其包含：电路，其被配置为将所述电信号转换为数字化数据；以及互连结构，其电连接于所述数据...
    2026-04-11
  • 包括具有穿过基板的不同结晶取向沟道的场效应晶体管(FET)的栅极全包围(GAA)FET设备
    包括具有穿过基板的不同结晶取向沟道的场效应晶体管(FET)的栅极全包围(GAA)FET设备_高通股份有限公司_202480039801.0
    公开了一种栅极全包围(GAA)场效应晶体管(FET)设备和相关的制造方法。GAA FET设备包括具有沟道的P型半导体PFET和N型半导体NFET，沟道具有穿过基板的不同结晶取向。GAA PFET包括第一类型的结晶取向(例如，<110>或<1...
    2026-04-11
  • 具有不同栅极电介质厚度的纳米片晶体管
    具有不同栅极电介质厚度的纳米片晶体管_高通股份有限公司_202480037416.2
    公开了半导体器件和制造方法。一种半导体器件包括第一栅极结构(130)，该第一栅极结构包括穿过第一栅极金属沿第一方向设置的第一组沟道(134)以及设置在第一组沟道与第一栅极金属之间的第一组栅极电介质(136)。第一组栅极电介质各自具有第一厚度...
    2026-04-11
  • 双扩散中断内的正面到背面连接
    双扩散中断内的正面到背面连接_国际商业机器公司_202480035983.4
    一种半导体IC器件(50)包括导电贯穿器件连接。连接可位于将有源区域(52, 53)隔开的双扩散中断(DDB)区域(51)内。连接可包括位于正面接触(30)和背面接触(32)之间的伪S/D区域(24)。半导体IC器件可进一步包括第一(20)...
    2026-04-11
  • 半导体集成电路装置
    半导体集成电路装置_株式会社索思未来_202380099284.1
    设置有与多个单元行(CR)相邻且包含电源分接部(TAP)的电源分接行(CRT)。单元(C1)包括在俯视时重叠的晶体管、形成在BM0层的VDD电源布线(21)以及形成在M0层的VSS电源布线(11)。电源分接部(TAP)包括形成在BM0层的V...
    2026-04-11
  • 具有多个堆叠无源器件的半导体器件
    具有多个堆叠无源器件的半导体器件_高通股份有限公司_202480037164.3
    公开了一种半导体器件。在一方面中，一种半导体器件包括：第一层无源器件，该第一层无源器件包括以堆叠配置设置的基板部分、无源器件部分及金属化部分；以及设置在第一层无源器件上方的一个或多个第二层无源器件。该一个或多个第二层无源器件中的每个第二层无...
    2026-04-11
  • 冷源和负电容场效应晶体管及方法
    冷源和负电容场效应晶体管及方法_华为技术有限公司_202380099004.7
    提供了一种晶体管(200a)，包括源极区、漏极区、沟道和栅极。所述源极区具有硅化物区(224)和掺杂有第一掺杂剂类型的半导体区(222n)；所述漏极区(206p)包括掺杂有第二掺杂剂类型的半导体；所述沟道(208p)位于所述源极区和所述漏极...
    2026-04-11
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