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最新专利技术
  • 一种热电器件的制作方法
    一种热电器件的制作方法_浙江大学_202511891931.X
    本发明公开了一种热电器件的制作方法，涉及热电器件技术领域，制作方法包括：提供基板，基板具有相对设置的第一面和第二面，基板上形成多个通孔组，通孔组包括N型电极通孔和P型电极通孔，P型电极通孔和N型电极通孔均贯穿基板；在多个通孔组位于第一面上的...
    2026-04-27
  • 基于热电转化的核电气衣冷却装置
    基于热电转化的核电气衣冷却装置_江苏核电有限公司_202511388794.8
    本申请属于核电气衣冷却装置技术领域，旨在解决现有装置普遍存在响应速度慢、控温不够精准、体积大以及压缩机噪声大的问题，公开了一种基于热电转化的核电气衣冷却装置，包括外壳，外壳内设置有热端风道、热电制冷器、冷端风道、温控器和电源模块，热端风道和...
    2026-04-27
  • 一种Cu3SbSe3合金化的p型Bi2Te3基热电材料及器件的制备方法
    一种Cu3SbSe3合金化的p型Bi2Te3基热电材料及器件的制备方法_四川大学_202511515227.4
    本发明涉及一种Cu33SbSe33合金化的p型Bi22Te33基热电材料及其器件的制备方法。按设定摩尔比称取Bi、Sb、Te原料，加入Cu33SbSe粉末，混合后经真空封装、高温熔融和缓冷制得合金锭；然后进行高能球磨获得粒径均匀的粉末，经快...
    2026-04-27
  • ZnSb合金化与Se掺杂调控p型Bi2Te3热电材料及器件的制备方法
    ZnSb合金化与Se掺杂调控p型Bi2Te3热电材料及器件的制备方法_四川大学_202511513431.2
    本发明涉及一种ZnSb合金化与Se掺杂调控p型Bi22Te33热电材料及器件的制备方法。将Bi、Sb、Te、Se、ZnSb原料抽真空封管后，进行高温熔炼、自然冷却、高能球磨与快速热压烧结，制备得到块体材料。该材料结晶度高、致密性好且显微结构...
    2026-04-27
  • 一种量子点发光材料和稀土荧光粉混合制备宽色域WLED工艺
    一种量子点发光材料和稀土荧光粉混合制备宽色域WLED工艺_信阳市谷麦光电子科技有限公司_202511609312.7
    本发明提出了一种量子点发光材料和稀土荧光粉混合制备宽色域WLED工艺，属于WLED技术领域。将CsPbBr33量子点与[(CxxH2x+12x+1)N]22MnX44混合反应，制得复合量子点，与UiO‑66‑OH反应，制得复合量子点@MOF...
    2026-04-27
  • 一种基于有机量子阱的有机二极管或有机场效应晶体管及其制备方法
    一种基于有机量子阱的有机二极管或有机场效应晶体管及其制备方法_上海工程技术大学_202511296970.5
    本发明属于有机量子电子器件领域，具体涉及一种基于有机量子阱的有机二极管或有机场效应晶体管及其制备方法。所述有机量子阱为由依次设置的C6‑DPA层、TIPS‑PEN层与C6‑DPA层构成的I型量子阱。由该有机量子阱制备的二极管首次实现室温ND...
    2026-04-27
  • 一种基于有机双量子阱结构的高迁移率场效应晶体管及其制备方法
    一种基于有机双量子阱结构的高迁移率场效应晶体管及其制备方法_上海工程技术大学_202511296968.8
    本发明属于有机场效应晶体管技术领域，具体涉及一种基于有机双量子阱结构的高迁移率场效应晶体管及其制备方法。该高迁移率场效应晶体管包括栅极、绝缘层、有机半导体层、源极、漏极，绝缘层位于栅极与有机半导体层之间，绝缘层与有机半导体层之间设置OTS修...
    2026-04-27
  • 一种钙钛矿组件层压前生产设备及其生产工艺
    一种钙钛矿组件层压前生产设备及其生产工艺_苏州晟成光伏设备有限公司_202511906787.2
    本发明公开了一种钙钛矿组件层压前生产设备及其生产工艺，钙钛矿组件层压前生产设备包括输送装置、第一上料单元、若干个粘贴装置、第一胶膜铺设装置、第二上料单元、第二胶膜铺设装置、合片装置以及下料装置；钙钛矿组件层压前生产工艺包括钙钛矿玻璃上料、粘...
    2026-04-27
  • 加工设备
    加工设备_拉普拉斯新能源科技股份有限公司_202511491857.2
    本申请提供一种加工设备，加工设备包括：机身，开设有上料口及下料口，上料口及下料口在第一方向上间隔设置；反应装置，包括腔体、预热机构和第一加热机构，腔体设置在机身上，且位于上料口及下料口之间，腔体内设置预热腔及处理腔，预热腔位于处理腔朝向上料...
    2026-04-27
  • 一种光辅助化学掺杂有机半导体材料方法与应用
    一种光辅助化学掺杂有机半导体材料方法与应用_中国科学院化学研究所_202410942399.9
    本发明涉及一种光辅助化学掺杂有机半导体材料的方法与应用，属于有机半导体掺杂技术领域，解决了现有的掺杂剂氧化性不足，无法对高性能有机半导体进行高效掺杂，并且掺杂稳定性低，对器件的长期稳定性产生不利影响的问题，并且能够实现亚微米级的有机半导体图...
    2026-04-27
  • 钙钛矿太阳能电池中钙钛矿薄膜的制备方法和应用
    钙钛矿太阳能电池中钙钛矿薄膜的制备方法和应用_中核光电科技(上海)有限公司_202511902571.9
    本发明是关于一种钙钛矿太阳能电池中钙钛矿薄膜的制备方法和应用。所述钙钛矿太阳能电池为n‑i‑p型钙钛矿太阳能电池；所述钙钛矿薄膜通过两步旋涂法制得；其中，在第二次旋涂过程中加入结晶调控剂；所述结晶调控剂的原料包括：1, 4‑丁二胺、4‑氨基...
    2026-04-27
  • 一种阵列量子点薄膜及其制备方法、应用
    一种阵列量子点薄膜及其制备方法、应用_安徽量芯光电科技有限公司_202511365214.3
    本发明属于光电探测器制造技术领域，公开了一种阵列量子点薄膜及其制备方法、应用。所述量子点薄膜的制备方法包括：于基底上沉积绝缘层，于绝缘层表面形成具有孔洞阵列结构的光刻胶层，得到刻蚀孔，于刻蚀孔中依次沉积金属层和空穴传输层，然后去除孔洞阵列结...
    2026-04-27
  • 一种基于电子传输层改性的钙钛矿太阳能电池的制备方法
    一种基于电子传输层改性的钙钛矿太阳能电池的制备方法_长沙理工大学_202511608286.6
    本发明公开了一种基于电子传输层改性的钙钛矿太阳能电池的制备方法。该电池自下而上依次包含ITO导电基底、掺杂共轭有机酸钾盐改性的二氧化锡电子传输层、钙钛矿光吸收层及碳电极。制备时，先配制改性二氧化锡前驱体溶液并旋涂退火形成电子传输层，再在空气...
    2026-04-27
  • 钙钛矿膜层的制备方法及钙钛矿太阳能电池
    钙钛矿膜层的制备方法及钙钛矿太阳能电池_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511516351.2
    本发明公开一种钙钛矿膜层的制备方法及钙钛矿太阳能电池。钙钛矿膜层的制备方法包括：提供电池基体，电池基体的一侧至少包括第一载流子传输层；在第一载流子传输层外侧涂覆钙钛矿前驱体溶液，钙钛矿前驱体溶液包括用于形成钙钛矿的前驱体材料和包含吸电子基团...
    2026-04-27
  • 基于氨基酰胺盐酸盐分子钝化的高能量转换效率钙钛矿发光二极管的制备方法
    基于氨基酰胺盐酸盐分子钝化的高能量转换效率钙钛矿发光二极管的制备方法_浙江大学_202511183833.0
    本发明公开了一种基于氨基酰胺盐酸盐分子钝化的高能量转换效率钙钛矿发光二极管及其制备方法，属于发光二极管领域。该基于氨基酰胺盐酸盐分子钝化的高能量转换效率钙钛矿发光二极管的结构为导电玻璃衬底、电子传输层、电子传输层、钙钛矿发光层、空穴传输层、...
    2026-04-27
  • 显示面板的制备方法及显示面板
    显示面板的制备方法及显示面板_惠科股份有限公司_202511936440.2
    本申请属于显示技术领域，具体涉及一种显示面板的制备方法及显示面板，显示面板的制备方法包括：提供一基板，其上形成有有机发光单元；在所述有机发光单元上形成封装层，所述封装层包括依次层叠设置的第一无机层、有机层、隔热层以及第二无机层；在所述第二无...
    2026-04-27
  • 显示面板的制备方法及显示面板
    显示面板的制备方法及显示面板_惠科股份有限公司_202511936438.5
    本申请属于显示技术领域，具体涉及一种显示面板的制备方法及显示面板，显示面板的制备方法包括如下步骤：提供一基板，所述基板上形成有发光功能层以及覆盖所述发光功能层的封装层；在所述封装层上形成图案化的遮光件和图案化的滤光色阻，所述遮光件与所述滤光...
    2026-04-27
  • 一种保护钙钛矿太阳能电池中SAM空穴层的方法以及反式钙钛矿电池
    一种保护钙钛矿太阳能电池中SAM空穴层的方法以及反式钙钛矿电池_晶灵(宁波)新能源科技有限公司_202511799922.8
    本公开涉及钙钛矿电池技术领域，尤其涉及一种保护钙钛矿太阳能电池中SAM空穴层的方法以及反式钙钛矿电池。该方法包括以下步骤：提供衬底；衬底为设置有空穴传输层的导电玻璃基底；然后制备SAM层；制备氧化铝混悬液；将氧化铝混悬液旋涂于SAM层的表面...
    2026-04-27
  • 一种曲面钙钛矿电池划线设备及划线方法
    一种曲面钙钛矿电池划线设备及划线方法_湖北万度光能有限责任公司_202511582141.3
    本发明提供一种曲面钙钛矿电池划线设备及划线方法，划线设备包括：第一直线运动模组设置在底座上表面，第二直线运动模组与第一直线运动模组相连接，旋转运动模组与第二直线运动模组相连接，固定治具与旋转运动模组相连接，固定板与承载梁上的第三直线运动模组...
    2026-04-27
  • 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法_山东科技大学_202511341139.7
    本发明属于新材料及新能源技术领域，具体涉及一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，尤其是涉及基于液相法沉积C6060电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。本发明选用杯芳烃作为助溶剂和稳定剂，邻二氯苯作为分散溶剂，经过助溶分散形成的C6060薄...
    2026-04-27
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