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最新专利技术
  • 一种用于弯公屏蔽网塑胶的化学镀液、弯公屏蔽网塑胶PVD化学镀铜工艺
    一种用于弯公屏蔽网塑胶的化学镀液、弯公屏蔽网塑胶PVD化学镀铜工艺_万明电镀智能科技(东莞)有限公司_202511719523.6
    本申请涉及弯公屏蔽网塑胶加工技术领域，更具体地说，涉及一种用于弯公屏蔽网塑胶的化学镀液、弯公屏蔽网塑胶PVD化学镀铜工艺，该化学镀液以水为溶剂，包含铜盐、还原剂、促进剂、表面活性剂、乙酸铋、稳定剂、5, 5'‑二甲基‑2, 2'‑联吡啶、加...
    2026-03-20
  • 一种高耐蚀光亮化学镀镍液及集成电路镀镍工艺
    一种高耐蚀光亮化学镀镍液及集成电路镀镍工艺_珠海斯美特电子材料有限公司_202511411549.4
    本发明公开了一种高耐蚀光亮化学镀镍液及集成电路镀镍工艺，涉及电子核心产业领域。其中，高耐蚀光亮化学镀镍液，包括水溶性镍盐、硼酸、柠檬酸钠、苹果酸、N, N’‑双(2‑羟乙基)乙二胺、N, N‑二乙基丙炔胺甲酸盐、糖精钠以及还原剂，通过水溶性...
    2026-03-20
  • 一种航空发动机活塞的镀镍保护夹具及方法
    一种航空发动机活塞的镀镍保护夹具及方法_中国航发贵州黎阳航空动力有限公司_202511594106.3
    本发明涉及航空发动机制造技术领域，尤其涉及航空发动机零件表面处理技术领域，具体涉及一种航空发动机活塞的镀镍保护夹具及方法。夹具包括堵盖、堵头、密封套和螺堵；堵盖上的通孔用于形成活塞杆过孔；在堵盖安装有密封圈用于与活塞的过渡圆角接触密封；堵头...
    2026-03-20
  • HTCC陶瓷基板表面羟基化活化及金属化方法及应用
    HTCC陶瓷基板表面羟基化活化及金属化方法及应用_中航富士达科技股份有限公司_202511524229.X
    本发明公开了一种HTCC陶瓷基板表面羟基化活化及金属化方法及应用，包括对HTCC陶瓷基板进行湿化学羟基化处理，在基板表面形成羟基化层；对羟基化层采用双硅烷梯度修饰处理，在羟基化层表面形成含双活性位点的硅烷修饰层；对硅烷修饰层上进行无钯活化处...
    2026-03-20
  • 一种提升激光活化选择性金属化平整度的方法
    一种提升激光活化选择性金属化平整度的方法_四川大学_202511412324.0
    本发明提供了一种提升激光活化选择性金属化平整度的方法，它是在激光活化前，在待活化的制件或样板表面覆盖静水层，并覆盖透明玻璃以抑制水面波动。在可激光活化选择性金属化复合材料表面覆盖水平静水层及透明玻璃可以使得激光在含激光敏化剂的复合材料上活化...
    2026-03-20
  • 一种高效稳定的胶体钯活化液及其制备方法
    一种高效稳定的胶体钯活化液及其制备方法_上海屹盟表面处理科技有限公司_202511196590.4
    本发明涉及汽车塑料电镀技术领域，且公开了一种高效稳定的胶体钯活化液及其制备方法，包括以下步骤：S1、向反应容器中加入纯水、氯化钠，搅拌均匀，加入888溶液，碳酸氢钠通气，启动加热；S2、升温加入钯小料，保温搅拌，加入稳定剂，继续搅拌，加入A...
    2026-03-20
  • 镀膜装置及其镀膜方法
    镀膜装置及其镀膜方法_浙江晶盛光子科技有限公司_202410930040.X
    本发明公开了一种镀膜装置及其镀膜方法，涉及薄膜沉积技术领域。该镀膜装置包括机架、反应腔机构、进出舟流转机构和搬运机械手，反应腔机构设于机架内，反应腔机构包括两组反应腔组件，两组反应腔组件沿机架的宽度方向间隔设置，每组反应腔组件包括沿机架的高...
    2026-03-20
  • 一种小型元件CVD涂覆装置
    一种小型元件CVD涂覆装置_无锡智远芯半导体设备技术有限公司_202511564632.5
    本发明公开了一种小型元件CVD涂覆装置，所述反应器腔室呈圆弧状，反应室的腔体内壁镀金，反应室的上盖内按照由热灯，反应室内的加热盘载物台在反应室的反应室进气端接通一个切向旋流发生器，切向旋流发生器包括由绝缘材质制成的分配器和多个长度不一的中空...
    2026-03-20
  • 一种等离子体输运生长CVD金刚石的方法与装置
    一种等离子体输运生长CVD金刚石的方法与装置_广东众元半导体科技有限公司_202410938111.0
    本发明提供一种等离子体输运生长CVD金刚石的方法和装置。氢气和微波分别从氢气入口和同轴端口进入等离子体源发生腔室，并在等离子体源发生腔室内形成氢等离子体、原子氢和氢气的等离子混合气体, 在气压差的作用下通过等离子通道进入等离子匀流腔室，并通...
    2026-03-20
  • 一种改善PECVD制备硅氧烷涂层外观质量的方法
    一种改善PECVD制备硅氧烷涂层外观质量的方法_兰州空间技术物理研究所_202511523883.9
    本发明提供一种改善PECVD制备硅氧烷涂层外观质量的方法。在化学气象沉积反应初期阶段在真空室内充入氩气或氮气等惰性气体，优化气氛比例，防止单体过度反应，从而抑制白色粉末污染物的产生。通过该方法的实施，在镀制硅氧烷涂层过程中，可有效消除镀膜初...
    2026-03-20
  • 基于PECVD管式炉的改善氧化硅膜沉积均匀性的方法及应用
    基于PECVD管式炉的改善氧化硅膜沉积均匀性的方法及应用_泰州中来光电科技有限公司_202511388125.0
    本发明属于光伏技术领域，提供一种基于PECVD管式炉的改善氧化硅膜沉积均匀性的方法及应用。该方法包括：基片放入加热的炉管中，抽真空，将炉管压力控制在80‑140Pa；再恒温处理，使炉管热场分布均匀，将炉管温度控制在500‑560℃，炉口与炉...
    2026-03-20
  • 环硅氧烷和由其制备的膜
    环硅氧烷和由其制备的膜_弗萨姆材料美国有限责任公司_202511402179.8
    公开了可用于通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺将低介电常数(低k)绝缘材料沉积到半导体器件的高纵横比间隙、沟槽、通孔和其它表面特征中的组合物。所述组合物可包含衍生自三甲基环三硅氧烷、四甲基环四硅氧烷或五甲基环五硅氧烷的烷氧基官能...
    2026-03-20
  • 一种晶圆升降装置及一种反应腔室
    一种晶圆升降装置及一种反应腔室_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511872633.6
    本发明提供了一种晶圆升降装置及一种反应腔室。该晶圆升降装置包括多根顶针及升降机构。该多根顶针的第一端位于加热盘的下侧，而第二端经由分布于加热盘的顶针过孔，延伸到加热盘的上侧。该顶针朝向顶针过孔的表面设有至少一个凹陷部，以收集沉积副产物。该升...
    2026-03-20
  • 一种镜框镀膜装置
    一种镜框镀膜装置_中国科学院山西煤炭化学研究所_202511820871.2
    本发明公开了一种镜框镀膜装置，涉及表面处理技术领域，包括箱体、镜框承载组件、气体供给组件和驱动机构；镜框承载组件用于承载多个镜框；气体供给组件具有若干出气口；驱动机构用于驱动偏离所述第一轴线的所述出气口绕第一轴线旋转；通过镜框承载组件承载多...
    2026-03-20
  • 一种管式ALD的硅片装载方法
    一种管式ALD的硅片装载方法_艾华(无锡)半导体科技有限公司_202511355808.6
    本发明是一种管式ALD的硅片装载方法，通过调整金属载具内各排硅片的插片疏密，来对金属舟内气流进行调整，具体的，金属载具内共有偶数排，每排内采用下列两种硅片装载方式中的其中一种进行硅片装载，第一种硅片装载方式是金属载具一排内两侧的槽内插满硅片...
    2026-03-20
  • 半导体处理设备及其基板支撑结构
    半导体处理设备及其基板支撑结构_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202410933702.9
    一种半导体处理设备及其基板支撑结构，基板支撑结构位于半导体处理设备的反应腔内，在基板支撑结构的加热基座下方设置铝延展部，并通过支撑杆实现加热基座和铝延展部之间的机械连接，同时形成射频导电通路，在加热基座因升温发生向外膨胀时，铝延展部也被同步...
    2026-03-20
  • 一种气体传输系统及薄膜沉积设备
    一种气体传输系统及薄膜沉积设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511872649.7
    本发明提供了一种气体传输系统及薄膜沉积设备。气体传输系统包括：第一管路，其第一端连接工艺腔室，而其第二端连接远程等离子系统；第二管路，其第一端连接第一反应气源，而其第二端经由第一接口连接到所述第一管路，其中，所述第一接口位于所述工艺腔室和所...
    2026-03-20
  • 选择性原子层沉积方法
    选择性原子层沉积方法_华中科技大学_202511622072.4
    本申请涉及一种选择性原子层沉积方法，包括以下步骤：S1、提供衬底，所述衬底的表面包括相邻设置的介电材质区域和金属材质区域；S2、将抑制剂旋涂于所述衬底的属材质区域形成抑制层，所述抑制剂包括长链烷基硫醇，所述长链烷基硫醇中烷基碳链的碳原子≥1...
    2026-03-20
  • 进气结构及半导体工艺设备
    进气结构及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202511592147.9
    本申请公开了一种进气结构及半导体工艺设备，该进气结构包括多个导流件和沿第一方向延伸的进气通道，多个导流件沿第二方向间隔地设于进气通道内并将进气通道分隔为沿第二方向间隔分布的多个子通道；第二方向与第一方向相交；多个导流件中的至少一个导流件可拆...
    2026-03-20
  • 一种衬套、安装方法及工艺腔室
    一种衬套、安装方法及工艺腔室_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511504902.3
    本发明提供了一种衬套、一种工艺腔室，以及一种衬套的安装方法。所述衬套包括衬套本体及弹片。衬套本体设于工艺腔室的传片口的内侧壁。所述衬套本体的外侧面设有安装槽。弹片设于所述安装槽内并设有至少一个弯折部。所述至少一个弯折部发生形变，以压紧所述衬...
    2026-03-20
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