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最新专利技术
  • 互补环沟道MOS管及其制备方法、半导体器件、电子设备
    互补环沟道MOS管及其制备方法、半导体器件、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410866616.0
    本公开涉及一种互补环沟道MOS管及其制备方法、半导体器件、电子设备。该互补环沟道MOS管包括：第一MOS管和第二MOS管；其中，第一MOS管包括：栅极结构及第一环绕结构，第二MOS管包括：栅极结构及第二环绕结构。本公开通过第一环绕结构和第二...
    2026-01-21
  • 一种沟槽型集成电路芯片及其制备方法
    一种沟槽型集成电路芯片及其制备方法_无锡祥瑞微电子科技有限公司_202511796739.2
    本发明具体为一种沟槽型集成电路芯片及其制备方法，包括若干均匀排布的元胞结构，元胞结构包括沟槽，沟槽上部分包括控制栅多晶硅、由热氧化层和第二栅氧化层共同组成的栅氧化层；下部分包括屏蔽栅多晶硅、ONO氧化层及隔离氧化层；所述ONO氧化层由外到内...
    2026-01-21
  • 一种高压大功率超声波驱动芯片
    一种高压大功率超声波驱动芯片_重庆大学_202511435893.7
    本发明公开了一种高压大功率超声波驱动芯片，涉及集成电路技术领域，包括高压大功率超声波驱动电路，所述高压大功率超声波驱动电路由逻辑输入电路、低压侧电平转换电路、高压侧电平转换电路，以及多级高压输出级、连续波输出级组成；该高压大功率超声波驱动芯...
    2026-01-21
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410867793.0
    本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：衬底，衬底包括器件区和位于器件区之间的隔断区；沟道凸起部，位于器件区的衬底上；绝缘凸起部，位于隔断区的衬底上；隔离结构，位于沟道凸起部和绝缘凸起部的侧部的衬底上，隔离结构的顶部低于...
    2026-01-21
  • 一种具有自偏置结构的宽禁带和超宽禁带半导体超结MOSFET
    一种具有自偏置结构的宽禁带和超宽禁带半导体超结MOSFET_电子科技大学_202511389358.2
    本发明属于功率半导体器件领域，公开了一种集成自偏置结构的宽禁带和超宽禁带槽栅超结MOSFET器件，利用自偏置形成的电子积累层进一步解决高压MOSFET难以继续降低比导通电阻的技术瓶颈，突破了常规半导体材料制成的MOSFET导通电阻受材料极限...
    2026-01-21
  • 可变电容电路、可变电容结构及其形成方法
    可变电容电路、可变电容结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410866375.X
    本申请提供可变电容电路、可变电容结构及其形成方法，所述可变电容电路包括：第一电容，所述第一电容的第一端连接至第一存储器的第二端，所述第一存储器的第一端连接至第一工作电压；第一电压，连接至所述第一存储器的第二端；第二电容，所述第二电容的第一端...
    2026-01-21
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511216294.6
    本公开提供一种半导体结构及其形成方法，该形成方法包括形成鳍片；在鳍片中形成第一及第二源极/漏极沟槽；分别在第一及第二源极/漏极沟槽中形成第一及第二半导体材料层；及分别在第一及第二源极/漏极沟槽中于第一及第二半导体材料层上形成第一及第二源极/...
    2026-01-21
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511113144.2
    提供一种半导体结构的形成方法，包括：形成从基底突出的鳍形结构、沉积隔离特征部件于鳍形结构的侧壁上、形成虚置栅极堆叠于一部分的鳍形结构上、去除一部分的虚置栅极堆叠，以形成露出上述部分的鳍形结构的沟槽、凹陷上述部分的鳍形结构以将沟槽向下延伸至隔...
    2026-01-21
  • 一种集成续流二极管的MOS控制晶闸管器及其制备方法
    一种集成续流二极管的MOS控制晶闸管器及其制备方法_安徽北方微电子研究院集团有限公司_202511364743.1
    本发明公开了一种集成续流二极管的MOS控制晶闸管器及其制备方法，涉及半导体领域。该晶闸管包括N型衬底，其正面设环形P型终端环、N型JFET隔离阱，隔离阱内有P型PS阱区、P型阱区(含N型阱区及N型NP阱区)，还设栅氧化层与多晶硅层的叠层栅极...
    2026-01-21
  • 氮化镓基高耐压大电流双向导通垂直型晶体管及制备方法
    氮化镓基高耐压大电流双向导通垂直型晶体管及制备方法_杜鸣_202511353954.5
    本申请涉及功率半导体技术领域，公开了氮化镓基高耐压大电流双向导通垂直型晶体管，自下而上包括：底部共享电极、均匀重掺杂N型GaN衬底层、均匀轻掺杂N型漂移层、反向肖特基阳极导通通道均匀N型掺杂层、重掺杂P型高斯分布区、重掺杂N型高斯分布区、多...
    2026-01-21
  • 一种树状仿生栅极结构、功率半导体芯片
    一种树状仿生栅极结构、功率半导体芯片_中国电力科学研究院有限公司_202511821679.5
    本发明提供了一种树状仿生栅极结构、功率半导体芯片，该结构包括栅pad区域，连接有电极引线；多个连接节点，分布在元胞区域内，用于连接其周围设定范围内的元胞栅；汇流结构；以栅pad区域为根节点，以连接节点为叶子节点，以汇流结构为枝条，连接呈树状...
    2026-01-21
  • 一种超级结MOSFET器件结构及其制造方法
    一种超级结MOSFET器件结构及其制造方法_深圳争妍微电子有限公司_202511443477.1
    本申请涉及高分子材料技术领域，公开了一种超级结MOSFET器件结构及其制造方法，包括在半导体衬底上形成催化剂纳米点阵；随后，在一个单一、连续的外延生长过程中，通过高频次地交替执行N型脉冲和P型脉冲，实现N型半导体柱的催化剂引导生长与P型半导...
    2026-01-21
  • 半导体器件的终端结构及其制造方法、半导体器件、功率模块、电力电子器件和车辆
    半导体器件的终端结构及其制造方法、半导体器件、功率模块、电力电子器件和车辆_比亚迪半导体股份有限公司_202410866923.9
    本发明公开了一种半导体器件的终端结构及其制造方法、半导体器件、功率模块、电力电子器件和车辆，半导体器件的终端结构，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，外延层在第一方向上位于衬底上；以及场限环结构，场限环结构在第一方向上位于外延层...
    2026-01-21
  • 一种采用3C-SiC P区的MPS器件及其制备方法
    一种采用3C-SiC P区的MPS器件及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511372623.6
    本发明提供了一种采用3C‑SiC P区的MPS器件及其制备方法，该MPS器件包括：N型4H‑SiC衬底；位于N型4H‑SiC衬底上方的N型4H‑SiC外延层；在N型4H‑SiC外延层中分为3C‑SiC P区和4H‑SiC N区。本发明通过在...
    2026-01-21
  • 一种SiC横向JFET器件
    一种SiC横向JFET器件_苏州华太电子技术股份有限公司_202511553393.3
    本申请提供一种SiC横向JFET器件，包括：N型多晶SiC的衬底；P型多晶SiC的第一外延层，形成在衬底之上；P型SiC的第二外延层，形成在所述第一外延层之上；JFET结构层，形成在所述第二外延层内。本申请解决了传统的P型多晶碳化硅衬底的S...
    2026-01-21
  • 薄膜晶体管、阵列基板及显示面板
    薄膜晶体管、阵列基板及显示面板_武汉华星光电技术有限公司_202511640771.1
    本申请公开了一种薄膜晶体管、阵列基板及显示面板，属于显示技术领域，薄膜晶体管包括遮光层、有源层、栅极、以及源漏极；遮光层与有源层在基底表面的正投影具有交接区；有源层包括：扩展部，位于交接区内；以及，主体部，连接扩展部；其中，扩展部的宽度，大...
    2026-01-21
  • 一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法
    一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法_广州新视界光电科技有限公司_202511440585.3
    本发明提供一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法，所述金属氧化物薄膜晶体管的有源层上设置有沟道保护层；所述沟道保护层为含有氧化钽和氧化锡的氧化物；薄膜晶体管的制备方法中有源层、沟道保护层可连续沉积，而且可以实现一道刻蚀图形化，操作简单，制备成本低...
    2026-01-21
  • 半导体器件、半导体器件的制备方法及电子设备
    半导体器件、半导体器件的制备方法及电子设备_华为技术有限公司_202410869382.5
    本申请提供一种半导体器件、电子设备以及半导体器件的制备方法。涉及半导体技术领域。该半导体器件包括P型晶体管，该P型晶体管可以是垂直沟道晶体管；即P型晶体管的源漏极沿与衬底相垂直的方向设置，沟道层垂直设置在源漏极之间，源漏极包括硅和锗；本申请...
    2026-01-21
  • 一种新式内置栅极电阻器结构的半导体功率器件及其制备方法
    一种新式内置栅极电阻器结构的半导体功率器件及其制备方法_赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司_202511815036.X
    本发明涉及一种新式内置栅极电阻器结构的半导体功率器件及其制备方法；半导体衬底的有源区设有栅极电解质层，栅极电解质层上设有多晶硅层，多晶硅层上设有第一连通孔，各第一连通孔设有温度系数热敏电阻，温度系数热敏电阻延伸至第一通孔外，多晶硅层和各温度...
    2026-01-21
  • 沟槽栅器件
    沟槽栅器件_深圳尚阳通科技股份有限公司_202511448575.4
    本发明公开了一种沟槽栅器件，包括：第一和第二外延层。第二外延层作为第一耐压层，具有本征掺杂或者具有掺杂浓度低于第一外延层的第一导电类型掺杂。在第二外延层的顶部区域中形成有沟道区和纵向穿过沟道区的沟槽栅。在沟槽栅底部的第二外延层中形成有第一导...
    2026-01-21
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